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      新品 | 通用分立功率半導體測試評估平臺

      英飛凌工業(yè)半導體 ? 2022-04-01 10:32 ? 次閱讀
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      新品

      通用分立功率半導體

      測試評估平臺

      3ecdaef2-b117-11ec-82f6-dac502259ad0.png

      型號為EVAL_PS_DP_MAIN，適用產品為600-1200V的TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET，SiC MOSFET。

      該評估平臺的開發(fā)是為了讓工程師研究MOSFET、IGBT及其驅動器的開關行為，適用產品為600-1200V的TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET， SiC MOSFET，它是現(xiàn)有雙脈沖平臺的改進版，該主板的最大電壓為800V，最大脈沖電流為130A。

      評估平臺包括主板和目前的兩個驅動子板。模塊化設計是為了使該平臺能夠在將來用新的驅動子板進行擴展。

      第一塊驅動卡

      REF-1EDC20I12MHDPV2


      3ef11126-b117-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg


      包含EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC20I12MH，它集成了一個有源米勒鉗，防止寄生開啟。

      第二塊驅動卡

      REF-1EDC60H12AHDPV2


      3efef034-b117-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

      包括EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC60H12AH，允許正負電源供電，其中VCC2為+15V，GND2為負極。

      產品特點

      VCC2柵極驅動電壓供應，從-5V到+20V

      VCC1電源固定在+5V

      通過SMA-BNC連接器進行柵極測試點連接

      通過可選的同軸分流器測量電流

      優(yōu)化的換流回路

      外部負載電感器連接

      散熱器設計允許在各種溫度下進行測試

      應用價值

      可以作為客戶系統(tǒng)中驅動設計的參考

      可以對TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET, SiC MOSFET進行對比測試

      模塊化平臺允許未來進行擴展

      平臺框圖

      3f0c6df4-b117-11ec-82f6-dac502259ad0.png

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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