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      FQD17P06TM

      深圳市和諾泰科技有限公司 ? 2022-04-21 11:12 ? 次閱讀
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      FQD17P06TM是一款大功率MOS管，

      制造商: onsemi
      產(chǎn)品種類: MOSFET
      RoHS: 詳細(xì)信息
      技術(shù): Si
      安裝風(fēng)格: SMD/SMT
      封裝 / 箱體: DPAK-3
      晶體管極性: P-Channel
      通道數(shù)量: 1 Channel
      Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
      Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
      Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 135 mOhms
      Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
      Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
      Qg-柵極電荷: 27 nC
      最小工作溫度: - 55 C
      最大工作溫度: + 150 C
      Pd-功率耗散: 2.5 W
      通道模式: Enhancement
      封裝: Reel
      封裝: Cut Tape
      封裝: MouseReel
      商標(biāo): onsemi / Fairchild
      配置: Single
      下降時間: 60 ns
      正向跨導(dǎo) - 最小值: 8.7 S
      高度: 2.39 mm
      長度: 6.73 mm
      產(chǎn)品類型: MOSFET
      上升時間: 100 ns
      系列: FQD17P06
      2500
      子類別: MOSFETs
      晶體管類型: 1 P-Channel
      類型: MOSFET
      典型關(guān)閉延遲時間: 22 ns
      典型接通延遲時間: 13 ns
      寬度: 6.22 mm
      單位重量: 330 mg

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 功率MOSFET
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