芯片的制造過程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指晶圓制造廠的加工過程，在空白的硅片完成電路加工，出廠后依然是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測試過程，在封測廠中將圓形的硅片切割成單獨的晶粒，完成外殼的封裝，最后完成終端測試，出廠為芯片成品。

一片晶圓可以產(chǎn)出多少芯片取決于晶圓的大小，晶粒的大小和良率三個因素。本期我們將從這三個方面簡單的展開說說。

一片wafer有多大？

晶圓，又稱wafer, 常見的尺寸大小為6英寸、8英寸、12英寸等，換算成mm分別是150mm, 200mm,300mm, 這里的長度指的是晶圓的直徑。由此可見，12寸的直徑是8寸晶圓直徑的1.5倍，12寸晶圓的面積為8寸晶圓的2.25倍。

什么是“Die”?

Die指的是芯片未封裝前的晶粒，是從wafer上用激光切割而成的一個單獨的晶圓區(qū)域，它包含了芯片的一個完整功能單元或一組相關功能單元。每個Die最終都切割成一個小方塊并封裝起來，成為我們常見的芯片。

晶圓的良率很重要

通常芯片的制造步驟會設計到幾百步工藝，其相當長且很復雜。這些制程也不可能每次都很完美，因此晶圓的良率管控就顯得尤其重要，同時良率對產(chǎn)品的成本也有著顯著的影響。

晶圓可切割晶粒計算器 DPW

一片晶圓可以切出多少芯片？拋去良率因素，這是一個簡單的圖形面積計算問題，它的專有的表征名詞是“DPW”，DPW是Die Per Wafer的縮略詞。晶圓可切割晶粒數(shù)(DPW)的計算是非常簡單的。它的計算實際上是與圓周率π有密切的關聯(lián)。

晶圓上的晶粒其實可以看作是圓形所能容納下的所有方形的集合。所以，可切割晶粒數(shù)的計算就是利用圓周率和晶圓尺寸作為已知參數(shù)，確定出整體圓形區(qū)域能容量下的方形數(shù)量。

π：圓周率

d: 晶圓直徑

W: 晶粒長度

H: 晶粒寬度

晶圓尺寸和晶粒尺寸雖然是已知的，但是，由于晶粒相互之間是有空隙（如預留的劃道）的，晶圓的邊緣去除區(qū)也不可用。這些因素使得計算變得稍微有點復雜和棘手。因此，把DPW工具的計算結果作為可切割晶粒估算值而非精確的計算值可能更準確一點。

除了前面提到的無效區(qū)域外，晶圓廠還會額外占用部分區(qū)域做測試(PCM結構)，相對而言也會占用晶圓一小部分面積。另外還有劃道、晶圓裕量，以及因為各工序之間或晶圓廠之間要求不同而導致的測試結構大小不一致而浪費的區(qū)域。因此，如需精確的最終DPW數(shù)值應直接向晶圓廠問詢，以得到更專業(yè)準確的數(shù)據(jù)。