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華大電子MCU CIU32M010、CIU32M030嵌入式閃存及中斷和事件

沈陽(yáng)芯碩科技 ? 來(lái)源:jetson024 ? 作者:jetson024 ? 2023-06-20 10:17 ? 次閱讀
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1.嵌入式閃存

1.1模塊介紹

CIU32M010、CIU32M030 集成了嵌入式 FLASH 控制模塊,該模塊控制 FLASH 的擦除、編程以及讀取數(shù)據(jù)。上電時(shí)會(huì)從 FLASH 中讀取相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)以及初始化配置,保證芯片程序在正確且安全的情況下運(yùn)行。

1.2功能特點(diǎn)

? 支持高達(dá) 64K 主閃存空間的 FLASH

? 存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

– 主閃存空間 64K 字節(jié)

– 副閃存空間 4.5K 字節(jié)

? 指出對(duì)閃存空間的擦寫(xiě)、編程和讀操作

? 支持對(duì)閃存空間訪問(wèn)限制和擦寫(xiě)保護(hù)

? 支持低功耗模式

1.3功能說(shuō)明

1.3.1.閃存讀保護(hù)

讀操作在整個(gè)芯片工作電壓范圍內(nèi)都可以完成,用于存放指令或者數(shù)據(jù)。

當(dāng) NVR8 用戶(hù)配置區(qū)經(jīng)過(guò)自定義的保護(hù)配置后,SWD 連接時(shí)會(huì)對(duì) FLASH 的代碼數(shù)據(jù)執(zhí)行保護(hù)機(jī)制。

注:FLASH 運(yùn)行在 24MHz 工作頻率,當(dāng)系統(tǒng)時(shí)鐘超過(guò) 30MHz 時(shí),需要配置 TIMER_REG0 的 RC 參數(shù),增加時(shí)鐘周期數(shù)再把 FLASH 接口的數(shù)據(jù)寫(xiě)到寄存器。

1.3.2.閃存擦除和燒寫(xiě)操作

燒寫(xiě)和擦除操作在整個(gè)芯片工作電壓范圍內(nèi)都可以完成。

燒寫(xiě)和擦除操作由下列 6 個(gè)寄存器完成,先根據(jù)燒寫(xiě)的時(shí)鐘配置好燒寫(xiě)時(shí)序(TIME_REG1),再配置燒寫(xiě)密碼,配置好編程地址,最后配置好編程數(shù)據(jù),即可開(kāi)始執(zhí)行燒寫(xiě),然后等待操作結(jié)束。

燒寫(xiě)操作相關(guān)寄存器

? 時(shí)序寄存器 1 :TIME_REG1

? 密碼寄存器 :NVR_PASSWORD/MAIN_PASSWORD

? 編程地址寄存器:PROG_ADDR

? 編程數(shù)據(jù)寄存器:PROG_DATA

? 狀態(tài)寄存器 :DONE

擦除操作相關(guān)寄存器:

? 擦除控制寄存器:ERASE_CTRL

注:需要注意的是,F(xiàn)LASH 在擦除/燒寫(xiě)的同時(shí)不可以從 FLASH 取數(shù)據(jù),所以 FLASH 在擦除/燒寫(xiě)過(guò)程中會(huì)讓總線停頓,直到完成后才能繼續(xù)運(yùn)行

1.4模塊框圖

pYYBAGSRC9mAESPGAABK9Z0miik808.png

1.5NVR8 閃存用戶(hù)配置區(qū)

副閃存 NVR8 最后 64byte 為用戶(hù)配置區(qū),邏輯地址區(qū)間:0x0001_11C0-0x0001_11FF,該區(qū)域的配置數(shù)據(jù)需要在程序燒寫(xiě)階段燒寫(xiě),芯片正常上電后這些信息為只讀。

2.中斷和事件(INT/EVT)

2.1嵌套向量中斷控制器

? 中斷都可屏蔽(除了 NMI)

? 4 個(gè)可編程的優(yōu)先等級(jí)

? 低延遲的異常和中斷處理

? 電源管理控制

? 系統(tǒng)控制寄存器的實(shí)現(xiàn)

嵌套向量中斷控制器(NVIC)和處理器核的接口緊密相連,可以實(shí)現(xiàn)低延遲的中斷處理和高效地處理晚到的中斷。

2.2系統(tǒng)滴答(SysTick)校準(zhǔn)值寄存器

本芯片支持系統(tǒng)滴答計(jì)時(shí)。

2.3中斷功能描述

處理器和嵌套式矢量型中斷控制器(NVIC)在處理(Handler)模式下對(duì)所有異常進(jìn)行優(yōu)先級(jí)區(qū)分以及處理。當(dāng)異常發(fā)生時(shí),系統(tǒng)自動(dòng)將當(dāng)前處理器工作狀態(tài)壓棧,在執(zhí)行完中斷服務(wù)子程序 (ISR)后自動(dòng)將其出棧。

取向量是和當(dāng)前工作態(tài)壓棧并行進(jìn)行的,從而提高了中斷入口效率。處理器支持咬尾中斷,可實(shí)現(xiàn)背靠背中斷,大大削減了反復(fù)切換工作態(tài)所帶來(lái)的開(kāi)銷(xiāo)。

2.4外部中斷/事件控制器(EXTI)

外部中斷/事件控制器包含 44 個(gè)產(chǎn)生中斷/事件觸發(fā)的邊沿檢測(cè)電路,每條輸入線可以獨(dú)立地配置觸發(fā)事件類(lèi)型(上升沿或下降沿或者雙邊沿都觸發(fā))。每條輸入線都可以獨(dú)立地被屏蔽,掛起寄存器保持著狀態(tài)線的中斷請(qǐng)求,可通過(guò)對(duì)掛起的寄存器對(duì)應(yīng)位寫(xiě)“1”清除中斷請(qǐng)求。

2.4.1主要特征

EXTI 控制器的主要特性如下

? 每個(gè)中斷/事件都有獨(dú)立的觸發(fā)和屏蔽

? 每個(gè)中斷線都有專(zhuān)用的狀態(tài)位

? 支持多達(dá) 44 個(gè)軟件中斷/事件請(qǐng)求

? 支持上升沿、下降沿和雙邊沿 3 種觸發(fā)事件類(lèi)型

2.4.2喚醒事件管理

CIU32M010、CIU32M030 可以處理外部或內(nèi)部事件來(lái)喚醒內(nèi)核(WFE)。喚醒事件可以通過(guò)下述配置產(chǎn)生:

外設(shè)的控制寄存器使能一個(gè)中斷,但不在 NVIC 中使能,同時(shí)在 CPU 的系統(tǒng)控制寄存器中使能SEVONPEND 位。當(dāng) CPU 從 WFE 恢復(fù)后,需要清除相應(yīng)外設(shè)的中斷掛起位和外設(shè) NVIC 中斷通道掛起位(在 NVIC 中斷清除掛起寄存器中)。

配置一個(gè)外部或內(nèi)部 EXTI 線為事件模式,當(dāng) CPU 從 WFE 恢復(fù)后,因?yàn)閷?duì)應(yīng)事件線的掛起位沒(méi)有被置位,不必清除相應(yīng)外設(shè)的中斷掛起位或 NVIC 中斷通道掛起位。

審核編輯:湯梓紅

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