深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線(xiàn),收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線(xiàn),收購(gòu)三星指紋排線(xiàn),全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線(xiàn),專(zhuān)業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠(chǎng)的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
近日,據(jù)韓媒報(bào)道,三星位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠(chǎng)正在加速推進(jìn)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。該工廠(chǎng)在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-
發(fā)表于 02-14 13:43
?893次閱讀
據(jù)外媒報(bào)道,芯片巨頭Arm計(jì)劃大幅度提高授權(quán)許可費(fèi)用,漲幅最高可達(dá)300%。這一消息對(duì)三星Exynos芯片的未來(lái)發(fā)展構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
發(fā)表于 01-23 16:17
?601次閱讀
DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn),已決定在2024年底對(duì)現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn),并從頭開(kāi)始設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。然而,三星電子現(xiàn)在對(duì)此表示否認(rèn),強(qiáng)調(diào)其并未有重新設(shè)計(jì)1b
發(fā)表于 01-23 15:05
?750次閱讀
問(wèn)題,在2024年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有1b nm工藝的同時(shí),從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。 不過(guò),三星通過(guò)相關(guān)媒體表示相關(guān)報(bào)道不準(zhǔn)確。盡管三星否認(rèn)了重新設(shè)計(jì),但有業(yè)內(nèi)人士透露,三星的目
發(fā)表于 01-23 10:04
?1161次閱讀
(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結(jié)束開(kāi)發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階段所必需的水平
發(fā)表于 01-22 14:27
?881次閱讀
nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P,其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似,顯示出
發(fā)表于 01-22 14:04
?1178次閱讀
價(jià)格將出現(xiàn)暴跌。在這樣的市場(chǎng)環(huán)境下,三星電子面臨著巨大的壓力,難以維持過(guò)去那種壓倒性的生產(chǎn)力。 據(jù)報(bào)道,SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應(yīng)規(guī)模,這無(wú)疑加劇了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。面對(duì)如此激烈的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境,
發(fā)表于 01-14 14:21
?702次閱讀
近日,三星電子宣布將對(duì)其在中國(guó)西安的NAND閃存工廠(chǎng)實(shí)施減產(chǎn)措施,以應(yīng)對(duì)全球NAND市場(chǎng)供過(guò)于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢(shì)。據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星
發(fā)表于 01-14 10:08
?716次閱讀
近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對(duì)三星電子的未來(lái)前景表達(dá)了擔(dān)憂(yōu)。他預(yù)測(cè),由于客戶(hù)庫(kù)存過(guò)剩,三星電子在2025年上半年可能會(huì)面臨內(nèi)存芯片價(jià)格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出,盡管下半年
發(fā)表于 11-27 11:22
?1003次閱讀
近日,據(jù)相關(guān)報(bào)道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND閃存的生產(chǎn)路線(xiàn)圖,并
發(fā)表于 11-27 11:00
?796次閱讀
近日,業(yè)界傳出消息稱(chēng),三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷(xiāo)售該類(lèi)產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC NAND閃存可能會(huì)正式停產(chǎn)。這一消
發(fā)表于 11-21 14:16
?1286次閱讀
近日,業(yè)界傳出消息,MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減,其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場(chǎng)傳言,三星計(jì)劃在2024年底現(xiàn)貨市場(chǎng)停止銷(xiāo)售MLC
發(fā)表于 11-20 16:13
?1302次閱讀
近日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對(duì)NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn),并預(yù)計(jì)根據(jù)市場(chǎng)狀況分階段實(shí)施。
發(fā)表于 10-30 16:18
?820次閱讀
評(píng)論