chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星計(jì)劃提高DRAM和NAND芯片價(jià)格

jf_35673951 ? 來(lái)源:jf_35673951 ? 作者:jf_35673951 ? 2023-09-14 10:42 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

日前有消息稱(chēng),存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正在迎來(lái)一輪明顯的復(fù)蘇,特別是移動(dòng)DRAM芯片銷(xiāo)售行業(yè)。

據(jù)悉,三星電子公司最近與一些重要客戶(hù)(包括小米、OPPO和谷歌)簽署了DRAM和NAND芯片供應(yīng)協(xié)議,而這些合同的價(jià)格較現(xiàn)有合同高出10-20%。

此外,還有內(nèi)部人士表示,三星計(jì)劃向其移動(dòng)業(yè)務(wù)部門(mén)供應(yīng)存儲(chǔ)芯片,并且價(jià)格也將上漲。中國(guó)客戶(hù)已經(jīng)同意接受三星芯片的漲價(jià)要求,因?yàn)樗麄冾A(yù)計(jì)智能手機(jī)銷(xiāo)量將在海外市場(chǎng)增長(zhǎng)。

隨著芯片行業(yè)自2022年底開(kāi)始大幅減產(chǎn),智能手機(jī)制造商的芯片庫(kù)存水平已經(jīng)下降。而在上游市場(chǎng),受益于智能手機(jī)新品發(fā)布的熱潮,LPDDR5X等DRAM芯片的價(jià)格逐漸上漲。

當(dāng)前三星在第二季度已經(jīng)開(kāi)始控制產(chǎn)量,預(yù)計(jì)第三季度將進(jìn)一步緊縮。而隨著庫(kù)存的逐漸減少,價(jià)格上漲已成為必然趨勢(shì)。

實(shí)際上,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商有決心提高其最新芯片的價(jià)格。再加上業(yè)內(nèi)高管透露,在NAND閃存市場(chǎng),客戶(hù)已經(jīng)停止削減訂單數(shù)量,并開(kāi)始下更多訂單

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    462

    文章

    53166

    瀏覽量

    453480
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2362

    瀏覽量

    187258
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1733

    瀏覽量

    139884
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15891

    瀏覽量

    182702
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    回收三星S21指紋排線(xiàn) 適用于三星系列指紋模組

    深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線(xiàn),收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線(xiàn),收購(gòu)三星指紋排線(xiàn),全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線(xiàn),專(zhuān)業(yè)求購(gòu)指紋
    發(fā)表于 05-19 10:05

    三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

    三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠(chǎng)的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
    發(fā)表于 04-18 10:52

    三星西安NAND閃存工廠(chǎng)將建第九代產(chǎn)線(xiàn)

    近日,據(jù)韓媒報(bào)道,三星位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠(chǎng)正在加速推進(jìn)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。該工廠(chǎng)在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-
    的頭像 發(fā)表于 02-14 13:43 ?893次閱讀

    Arm漲價(jià)計(jì)劃或影響三星Exynos芯片未來(lái)

    據(jù)外媒報(bào)道,芯片巨頭Arm計(jì)劃大幅度提高授權(quán)許可費(fèi)用,漲幅最高可達(dá)300%。這一消息對(duì)三星Exynos芯片的未來(lái)發(fā)展構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:17 ?601次閱讀

    三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道

    DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn),已決定在2024年底對(duì)現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn),并從頭開(kāi)始設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。然而,三星電子現(xiàn)在對(duì)此表示否認(rèn),強(qiáng)調(diào)其并未有重新設(shè)計(jì)1b
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:05 ?750次閱讀

    三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

    問(wèn)題,在2024年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有1b nm工藝的同時(shí),從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。 不過(guò),三星通過(guò)相關(guān)媒體表示相關(guān)報(bào)道不準(zhǔn)確。盡管三星否認(rèn)了重新設(shè)計(jì),但有業(yè)內(nèi)人士透露,三星的目
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?1161次閱讀

    三星1c nm DRAM開(kāi)發(fā)良率里程碑延期

    (High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結(jié)束開(kāi)發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階段所必需的水平
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?881次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)

    nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P,其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似,顯示出
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?1178次閱讀

    三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

    價(jià)格將出現(xiàn)暴跌。在這樣的市場(chǎng)環(huán)境下,三星電子面臨著巨大的壓力,難以維持過(guò)去那種壓倒性的生產(chǎn)力。 據(jù)報(bào)道,SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應(yīng)規(guī)模,這無(wú)疑加劇了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。面對(duì)如此激烈的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境,
    的頭像 發(fā)表于 01-14 14:21 ?702次閱讀

    三星削減中國(guó)西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化

    近日,三星電子宣布將對(duì)其在中國(guó)西安的NAND閃存工廠(chǎng)實(shí)施減產(chǎn)措施,以應(yīng)對(duì)全球NAND市場(chǎng)供過(guò)于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢(shì)。據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星
    的頭像 發(fā)表于 01-14 10:08 ?716次閱讀

    三星或受內(nèi)存芯片價(jià)格下跌影響

    近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對(duì)三星電子的未來(lái)前景表達(dá)了擔(dān)憂(yōu)。他預(yù)測(cè),由于客戶(hù)庫(kù)存過(guò)剩,三星電子在2025年上半年可能會(huì)面臨內(nèi)存芯片價(jià)格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出,盡管下半年
    的頭像 發(fā)表于 11-27 11:22 ?1003次閱讀

    三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

    近日,據(jù)相關(guān)報(bào)道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND閃存的生產(chǎn)路線(xiàn)圖,并
    的頭像 發(fā)表于 11-27 11:00 ?796次閱讀

    三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

    近日,業(yè)界傳出消息稱(chēng),三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷(xiāo)售該類(lèi)產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC NAND閃存可能會(huì)正式停產(chǎn)。這一消
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:16 ?1286次閱讀

    MLC NAND產(chǎn)能或遭削減?三星否認(rèn)停產(chǎn)傳聞

    近日,業(yè)界傳出消息,MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減,其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場(chǎng)傳言,三星計(jì)劃在2024年底現(xiàn)貨市場(chǎng)停止銷(xiāo)售MLC
    的頭像 發(fā)表于 11-20 16:13 ?1302次閱讀

    三星與鎧俠計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存

    近日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對(duì)NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn),并預(yù)計(jì)根據(jù)市場(chǎng)狀況分階段實(shí)施。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 16:18 ?820次閱讀