隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，MCU芯片因其強(qiáng)大功能被廣泛應(yīng)用，尤其是成為汽車領(lǐng)域的核心電子元器件。現(xiàn)如今車規(guī)應(yīng)用要求更加嚴(yán)格，對(duì)于車載mcu芯片測(cè)試的要求也變得嚴(yán)苛。今天將為大家介紹車載mcu芯片測(cè)試需要測(cè)試哪些測(cè)試項(xiàng)目。

1.工作電壓及電流

測(cè)試MCU工作電壓是否在范圍內(nèi)，電壓過(guò)高可能會(huì)造成MCU損壞，電壓過(guò)低會(huì)影響MCU的外圍電路驅(qū)動(dòng)能力，甚至可能會(huì)導(dǎo)致外圍電路無(wú)法正常工作。

2.mcu靜態(tài)電流

靜態(tài)電流是衡量MCU性能的主要參數(shù)之一，靜態(tài)電流越小越好，根據(jù)MCU規(guī)格書(shū)測(cè)試靜態(tài)電流是否符合要求，一旦MCU有損壞的話，靜態(tài)電流就會(huì)變大，會(huì)增加產(chǎn)品的靜耗，致使產(chǎn)品整體功耗增加。

3.mcu的振蕩頻率

比如外接晶振型MCU，需要檢測(cè)正常工作下它的晶振輸入腳的振蕩頻率是否正確。振蕩頻率不符合要求會(huì)影響到產(chǎn)品的定時(shí)及延時(shí)，甚至無(wú)法正常運(yùn)行。

4. 上電、掉電測(cè)試

在使用過(guò)程中用戶必然會(huì)遇到上電和掉電的情況，可以進(jìn)行多次開(kāi)關(guān)電源，測(cè)試MCU系統(tǒng)的可靠性。

5. 老化測(cè)試

比如進(jìn)行高溫、高壓、強(qiáng)電磁干擾等測(cè)試，檢測(cè)其長(zhǎng)時(shí)間工作下的可靠性。

6. ESD和EFT等測(cè)試

7. 功能測(cè)試

檢測(cè)MCU基本功能能否正常工作，如檢查輸入輸出端口、時(shí)鐘、存儲(chǔ)器、驗(yàn)證芯片內(nèi)部邏輯電路是否按照設(shè)計(jì)要求運(yùn)行等。

8. 時(shí)序測(cè)試

檢測(cè)MCU各個(gè)信號(hào)的時(shí)序關(guān)系是否滿足要求，包括時(shí)鐘頻率測(cè)試、數(shù)據(jù)傳輸速率測(cè)試等。

9. 通信接口測(cè)試

檢測(cè)通信接口如UART、SPI、I2C等，確保芯片能夠正確地與外部設(shè)備進(jìn)行通信。

10. 溫度測(cè)試

檢測(cè)MCU芯片在不同溫度下的性能，進(jìn)而評(píng)估其可靠性和穩(wěn)定性。

ATECLOUD-IC芯片測(cè)試系統(tǒng)

元器件測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

1. 兼容2000+儀器信號(hào)，內(nèi)含多種測(cè)試項(xiàng)目，無(wú)代碼編程模式，根據(jù)MCU測(cè)試項(xiàng)目及參數(shù)，快速搭建方案，一鍵運(yùn)行測(cè)試。

2. 內(nèi)含批量測(cè)試功能，測(cè)試流程簡(jiǎn)單化，測(cè)試效率提升。

3. 數(shù)據(jù)洞察功能會(huì)將MCU芯片的測(cè)試數(shù)據(jù)自動(dòng)采集存儲(chǔ)，無(wú)需手動(dòng)記錄，避免記錄出錯(cuò)，節(jié)省記錄時(shí)間。此外以圖表形式展示測(cè)試數(shù)據(jù)，便于觀測(cè)數(shù)據(jù)變化情況，多測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行多維度分析。

4. 移動(dòng)端實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)測(cè)試數(shù)據(jù)情況。

5. 可以自定義數(shù)據(jù)報(bào)告，支持修改，報(bào)告模板多樣化，可以自由選型，支持word、excel格式導(dǎo)出。

已完成的歷史測(cè)試以列表形式展現(xiàn)，方便查看以往的測(cè)試信息。

審核編輯 黃宇