長鑫存儲技術(shù)有限公司申請“延遲電路及半導(dǎo)體存儲器技術(shù)”專利的公告日為11月7日，申請公告號為cn117012238a。

據(jù)專利摘要本公開涉及一種延遲電路及半導(dǎo)體存儲器，所述延遲電路包括溫度控制模塊補(bǔ)償及延時模塊、溫度補(bǔ)償控制模塊根據(jù)接收到的控制信號初期，實(shí)時環(huán)境溫度，溫度系數(shù)補(bǔ)償信號及溫度系數(shù)，以便生成信號控制目標(biāo)溫度控制信號，給予補(bǔ)償。延遲模塊連接所述溫度補(bǔ)償控制模塊，使用接收控制信號的所述目標(biāo)根據(jù)溫度補(bǔ)償和初期演技經(jīng)過信號生成溫度補(bǔ)償后目標(biāo)，能夠根據(jù)溫度傳感器信號采集的實(shí)時環(huán)境溫度對信號的電路生成的目標(biāo)信號的延遲延時動態(tài)補(bǔ)償因溫度變化而實(shí)際上生成的避免目標(biāo)延遲信號延遲時間與所需目標(biāo)延遲信號延遲時間差異較大的情況，提高信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性和準(zhǔn)確度，提高集成電路的性能和可靠性。