消息稱(chēng)美光HBM3E正接受主要客戶(hù)質(zhì)量評(píng)價(jià)
據(jù)消息人士12月24日透露，全球第三大DRAM制造商美光因其HBM3E多層Memory產(chǎn)品廣受好評(píng)而受到客戶(hù)關(guān)注。
據(jù)悉，HBM內(nèi)存因其精準(zhǔn)特性，結(jié)合多層次的DRAM技術(shù)，使得它能在AI服務(wù)器起到迅速提升數(shù)據(jù)處理能力和效率的作用。隨著市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者三星電子和SK海力士的持續(xù)投入，這一市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將于2026年達(dá)到近8萬(wàn)億韓元。
美光已明確表示，預(yù)期明年將進(jìn)占市場(chǎng)份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計(jì)劃于2023年最后階段為英偉達(dá)提供測(cè)試。
美光CEO薩吉還指出，美光將于2024年滿負(fù)荷生產(chǎn)HBM芯片，這意味著相關(guān)業(yè)務(wù)的收益必將得到巨大提升。他預(yù)計(jì)，在兩年下滑后，個(gè)人電腦和智能手機(jī)市場(chǎng)將于2024年稍有反彈，尤其是NOR閃存市場(chǎng)的復(fù)蘇趨勢(shì)更為明顯。對(duì)于產(chǎn)能問(wèn)題，薩吉表示會(huì)視產(chǎn)品價(jià)格回升情況再做調(diào)整。
引領(lǐng)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也在積極推陳出新，擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。例如，三星電子和SK海力士正在努力研究的HBM4第六代產(chǎn)品中，混合鍵合技術(shù)將有助于減小體積，增大容量。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
2362瀏覽量
187538 -
美光
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
735瀏覽量
53201 -
英偉達(dá)
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
4022瀏覽量
97050 -
HBM3E
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
82瀏覽量
703
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
美光確認(rèn)HBM4將在2026年Q2量產(chǎn)
11Gbps，帶寬超2.8TB/s，采用12層堆疊架構(gòu)，基礎(chǔ)邏輯裸片由內(nèi)部CMOS工藝制造，單顆容量36GB，功耗較競(jìng)品低30%，且已通過(guò)英偉達(dá)等核心客戶(hù)驗(yàn)證。2025財(cái)年第四季度，美光HBM
HBM應(yīng)用在手機(jī)上，可行嗎？
，HBM是采用多層DRAM芯片通過(guò)硅通孔（TVS）垂直堆疊，比如HBM3E就是8層或12層；而這些DRAM芯片通
英偉達(dá)認(rèn)證推遲，但三星HBM3E有了新進(jìn)展
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量測(cè)試，正就量產(chǎn)供應(yīng)展開(kāi)磋商。當(dāng)前協(xié)商的供應(yīng)量按容量計(jì)算約為10億Gb級(jí)別左右，量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)最早從今年下半年延續(xù)至
美光12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存已向主要客戶(hù)出貨
隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)AI訓(xùn)練與推理工作負(fù)載需求的持續(xù)增長(zhǎng)，高性能內(nèi)存的重要性達(dá)到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）宣布已向多家主要
Cadence推出HBM4 12.8Gbps IP內(nèi)存系統(tǒng)解決方案
需求。Cadence HBM4 解決方案符合 JEDEC 的內(nèi)存規(guī)范 JESD270-4，與前一代 HBM3E IP 產(chǎn)品相比，內(nèi)存帶寬翻了一番。Cadence HBM4 PHY 和控制器 IP 現(xiàn)已
美光量產(chǎn)12層堆棧HBM，獲英偉達(dá)供應(yīng)合同
近日，美光科技宣布即將開(kāi)始量產(chǎn)其最新的12層堆棧高帶寬內(nèi)存（HBM），并將這一高性能產(chǎn)品供應(yīng)給領(lǐng)先的AI半導(dǎo)體公司英偉達(dá)。這一消息的發(fā)布，標(biāo)志著美光在
三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤，商討HBM3E供應(yīng)
其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問(wèn)題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測(cè)，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量
三星電子將供應(yīng)改良版HBM3E芯片
三星電子在近期舉行的業(yè)績(jī)電話會(huì)議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷(xiāo)售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，
美光加入16-Hi HBM3E內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)
近日，全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進(jìn)軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場(chǎng)。目前，美光正在對(duì)最終設(shè)備進(jìn)行評(píng)估，
美光新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動(dòng)工
光在亞洲地區(qū)的進(jìn)一步布局和擴(kuò)張。 據(jù)美光方面介紹，該工廠將采用最先進(jìn)的封裝技術(shù)，致力于提升HBM內(nèi)存的產(chǎn)能和質(zhì)量。隨著AI芯片行業(yè)的迅猛發(fā)展，HBM
SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備
近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測(cè)試已經(jīng)正式啟動(dòng)，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)奠定了
美光發(fā)布HBM4與HBM4E項(xiàng)目新進(jìn)展
近日，據(jù)報(bào)道，全球知名半導(dǎo)體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4，第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項(xiàng)目的最新研發(fā)進(jìn)展。 據(jù)悉，
SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品
在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動(dòng)中，SK hynix（SK海力士）透露了一項(xiàng)令人矚目的新產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)悉，該公司正在積極開(kāi)發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB，將為用戶(hù)帶來(lái)前所未有的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會(huì)上，韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論