據(jù)消息人士12月24日透露，全球第三大DRAM制造商美光因其HBM3E多層Memory產品廣受好評而受到客戶關注。

據(jù)悉，HBM內存因其精準特性，結合多層次的DRAM技術，使得它能在AI服務器起到迅速提升數(shù)據(jù)處理能力和效率的作用。隨著市場領導者三星電子和SK海力士的持續(xù)投入，這一市場規(guī)模預計將于2026年達到近8萬億韓元。

美光已明確表示，預期明年將進占市場份額約5%，排名第三。為了縮小與各領軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計劃于2023年最后階段為英偉達提供測試。

美光CEO薩吉還指出，美光將于2024年滿負荷生產HBM芯片，這意味著相關業(yè)務的收益必將得到巨大提升。他預計，在兩年下滑后，個人電腦和智能手機市場將于2024年稍有反彈，尤其是NOR閃存市場的復蘇趨勢更為明顯。對于產能問題，薩吉表示會視產品價格回升情況再做調整。

引領市場的競爭對手也在積極推陳出新，擴大領先優(yōu)勢。例如，三星電子和SK海力士正在努力研究的HBM4第六代產品中，混合鍵合技術將有助于減小體積，增大容量。