韓國媒體Moneytoday透露，SK海力士計劃今年3月起量產(chǎn)全球首發(fā)的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E，預計下月起開始向英偉達供應用品。作為全球存儲半導體領(lǐng)域三巨頭之一，SK海力士搶先實現(xiàn)HBM3E的大規(guī)模生產(chǎn)和供應，擴大自身在全球HBM市場的競爭力。

早在去年8月，SK海力士便宣稱研發(fā)出適用于AI場景的超高性能DRAM—— HBM3E，并開始向客戶公眾提供樣品以進行性能驗證。

半導體業(yè)內(nèi)信息顯示，SK海力士在今年1月中旬圓滿完成HBM3E的開發(fā)進程。為期半年多的英偉達績效評估也順利告一段落。

在嚴格的9個開發(fā)階段后，當前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達產(chǎn)升能的標志，這預示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質(zhì)量的認可，同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。

盡管同業(yè)三星電子及美光亦向英偉達提供HBM3E樣本，但確定是否達到質(zhì)保品質(zhì)的最終審核預計仍要等到3月開啟。由于SK海力士已在1月完成最后的質(zhì)量檢測環(huán)節(jié)并定于3月出貨，足足領(lǐng)先于預定計劃兩個月。

值得注意的是，SK海力士提供的HBM3E配置于英偉達定于今年第二季度末乃至季初發(fā)布的全新人工智能（AI）GPU B100核心之中。英偉達在AI GPU市場所占比重高達全球90%以上，而作為內(nèi)存半導體供應商SK海力士為英偉達供給HBM也將助其進一步穩(wěn)固業(yè)界“科技領(lǐng)先”地位。半導體行業(yè)中有聲音指出，“近期SK海力士推出的HBM3E樣本完全契合英偉達設定的最終規(guī)格標準”。但SK海力士表示，“無可確認與客戶相關(guān)的情報?！?/p>