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三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-02-27 14:28 ? 次閱讀
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近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。

具體來看,HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達(dá)1280GB/s,這一數(shù)字令人矚目,意味著數(shù)據(jù)傳輸速度將得到大幅提升。同時,該產(chǎn)品的容量也達(dá)到了36GB,為大型計算任務(wù)提供了充足的內(nèi)存支持。

與三星之前的8層堆疊HBM3 8H相比,HBM3E 12H在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著增長。據(jù)三星官方數(shù)據(jù)顯示,其性能提升超過50%,為高性能計算和人工智能等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了更強(qiáng)大的支持。

目前,三星已經(jīng)開始向客戶提供HBM3E 12H的樣品,并預(yù)計于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。這一消息無疑將為整個半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的活力,并有望推動相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)革新和應(yīng)用拓展。

HBM3E 12H的成功發(fā)布,不僅展示了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新能力,也為其在全球市場上的競爭提供了有力支持。未來,我們期待看到更多基于這一技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用和產(chǎn)品問世。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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