HBM高帶寬存儲顆料被廣泛聚焦于現今最為領先的AI芯片領域。據悉，英偉達的嚴苛質檢給各大存儲器制造商帶來嚴峻挑戰(zhàn)，相較于常規(guī)的DRAM產品，HBM良品率明顯偏低。

在以臺積電與三星代工為首的諸多企業(yè)中，長期以來，保持硅晶圓高效產出的良品率一直是個難題。然而，這個難關如今已經蔓延至HBM行業(yè)。

根據最新信息，美光、SK海力士等存儲器制造商在英偉達未來的AI GPU資格測試中展開激烈角逐，競爭形勢膠著，良品率或成為關鍵障礙。

據悉，由于HBM制程的復雜性，如多層堆疊和通過硅通孔（TSV）工藝連接小芯片，使得制造過程中出現缺陷的風險加大，一旦發(fā)現某一層存在問題，整個堆疊均需廢棄，因此提升良率難度重重。

市場數據顯示，目前HBM存儲器件的總體良率大約預計為65%，其中美光和SK海力士似乎處于有利地位。據了解，美光已經開始為英偉達最新的H200 AI GPU生產HBM3e存儲半導體，并且成功通過了Team Green設定的認證階段。

SK海力士副社長Kim Ki-tae在2月21日的公開信息中強調，盡管外部環(huán)境依然存在不確定性，但預計今年內存芯片市場將會逐步回暖，PC、智能手機等應用需求增長，將進一步推動HBM3e及其周邊產品的銷售。該高管明確表示，公司HBM已全部售罄并已開始為2025年做好了全面準備。