3月25日?qǐng)?bào)道,英偉達(dá)即將自九月起大批量采購(gòu)三星電子提供的12層HBM3E內(nèi)存,該內(nèi)存由三星獨(dú)家供應(yīng)。
在GTC2024大會(huì)上,黃仁勛為三星電子12層HBM3E原件簽字評(píng)價(jià)“黃仁勛認(rèn)證(JENSEN APPROVED)”。
雖然SK海力士在部分制造過程中遇到困難,未能如期推出12層HBM3E產(chǎn)品,但將在本月底啟動(dòng)批量生產(chǎn)8層HBM3E。
此前,三星已于2月27日宣布研發(fā)出全球首款36GB 12H HBM3E DRAM內(nèi)存。
據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
與此同時(shí),應(yīng)用該內(nèi)存的人工智能訓(xùn)練速率平均提高了34%,推理服務(wù)能力更是提高了超乎想象的11.5倍。
對(duì)比而言,威盛在2024年的技術(shù)型展會(huì)中,嶄新推出了B200和GB200系列芯片。
據(jù)黃仁勛介紹,B200芯片搭載了2,080億枚晶體管,借助臺(tái)積電4NP工藝,最大可支持約10萬億個(gè)人工智能參數(shù),并實(shí)現(xiàn)單GPU達(dá)20PFLOPS的強(qiáng)大運(yùn)算能力。
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傳三星 HBM4 通過英偉達(dá)認(rèn)證,量產(chǎn)在即
突破堆疊瓶頸:三星電子擬于16層HBM導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)

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