據(jù)報(bào)道，韓國(guó)科技巨頭 SK 海力士首席執(zhí)行官（CEO）郭魯正于當(dāng)日召開的年度股東大會(huì)上透露，預(yù)計(jì)本年其高速緩存模塊 （HBM） 在全線DRAM內(nèi)存中銷量會(huì)占據(jù)兩位數(shù)比例，即便如此，明年DRAM供應(yīng)仍將處于緊缺狀態(tài)。

面對(duì)股東對(duì)該公司去年在AI領(lǐng)域備受矚目及HBM熱賣背景下，仍然出現(xiàn)9萬(wàn)億韓元（折合約482.4億元人民幣）凈虧問題的質(zhì)疑，郭魯正解釋為主要由占銷售額主導(dǎo)地位的普通DRAM產(chǎn)品價(jià)格下滑所致，盡管HBM如日中天，但去年貢獻(xiàn)的銷售額卻僅占個(gè)位數(shù)字。

針對(duì)常規(guī)DRAM價(jià)格從去年四季度開始回升以及內(nèi)存業(yè)務(wù)整體盈利狀況可能得到顯著改善的預(yù)期，郭魯正亦做此表態(tài)。對(duì)于NAND閃存和固態(tài)硬盤領(lǐng)域，他主張將策略重點(diǎn)由追求市場(chǎng)份額轉(zhuǎn)移到提高營(yíng)收方面，加大高利潤(rùn)產(chǎn)品的推廣力度，以應(yīng)對(duì)去年因勇敢投入而遭受的重大損失。

截至目前，SK 海力士并未打算放棄旗下圖像傳感器CIS業(yè)務(wù)，相反，他們正在對(duì)此進(jìn)行重組。關(guān)于技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，郭魯正預(yù)測(cè)未來HBM內(nèi)存將會(huì)根據(jù)客戶需求進(jìn)行個(gè)性化設(shè)計(jì)，逐漸擺脫通用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的標(biāo)簽。另外，The Elec，韓國(guó)電子媒體曾報(bào)道，SK 海力士已經(jīng)成功接獲來自谷歌的HBM內(nèi)存定制訂單。

至于中國(guó)地區(qū)的產(chǎn)能，SK 海力士方面表示已獲得升級(jí)許可，將在無錫工廠將DRAM工藝升級(jí)至1a納米，進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。