chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

有助于車載和工業(yè)設(shè)備降低功耗!內(nèi)置SiC二極管的IGBT

jf_94163784 ? 來源:jf_94163784 ? 作者:jf_94163784 ? 2024-04-01 05:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在現(xiàn)代社會,工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動和廠房的運轉(zhuǎn)等都會消耗大量的能源。然而,近年來,全球眾多國家和地區(qū)加快了實現(xiàn)碳中和的進程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超出以往任的努力來應(yīng)對去碳化。

2021年末召開的“聯(lián)合國氣候變化框架公約第26次締約方大會(COP26)”達成了“努力將全球平均氣溫升幅限制在工業(yè)革命前水平的1.5℃以內(nèi)”的決議文件(圖1)。決議文件將6年前《巴黎協(xié)定》中1.5℃的“努力目標”升級為“必達目標”,“我們國家很難從化石燃料轉(zhuǎn)向可再生能源,希望延緩實現(xiàn)目標”之類的借口不再適用。未來,各國政府應(yīng)該會陸續(xù)出臺減少溫室氣體(GHG)排放的具體政策和法規(guī)。特別是目前排放大量二氧化碳的汽車和工廠的生產(chǎn)活動,很可能成為需要減排的主要目標。

將這種情況反映在具體行動中的表現(xiàn)是全球已經(jīng)有很多國家和地區(qū)開始執(zhí)行碳稅等“碳定價機制”,即將企業(yè)的二氧化碳排放量轉(zhuǎn)嫁到企業(yè)成本中的機制。根據(jù)世界銀行的數(shù)據(jù),截至2021年4月10日,全球已經(jīng)有46個國家和35個地區(qū)推行這種機制。特別是對于從事跨國業(yè)務(wù)的企業(yè)而言,已經(jīng)進入了去碳化努力與公司產(chǎn)品的成本競爭力直接相關(guān)的時代。

用電力驅(qū)動的設(shè)備和設(shè)施劇增,

當務(wù)之急是提升效率

在去碳化的努力中,經(jīng)常被提及的是以所謂的“EV轉(zhuǎn)型”為中心的汽車電動化、以及使用由可再生能源產(chǎn)生的電能。但是,僅靠這些還不足以實現(xiàn)1.5℃的目標,而且去碳化努力也不止這些。

根據(jù)《2021年全球可再生能源現(xiàn)狀報告》的記載,全球能源消耗總量的32%與汽車等發(fā)動機驅(qū)動的運輸設(shè)備有關(guān),17%為家庭和工廠等使用的電能(圖2)。實際上,從百分比來看,可以說目前因電力消耗而產(chǎn)生的二氧化碳排放量占比較少。剩下的51%則是讓工廠運轉(zhuǎn)的渦輪機、熱處理等所用的鍋爐等設(shè)備,通過燃燒化石燃料來使用熱能的。這部分也是去碳化難度較大的部分。

wKgaomYJ0OOAJ3qSAAENrdugxFs688.png

圖2 全球能源消耗總量的17%為電能 資料來源:REN21,《Renewables 2021 Global Status Report (GSR)》

未來,全球的去碳化大致會按照如下戰(zhàn)略推進:首先,盡可能將能源消耗量大、燃燒化石燃料的相關(guān)運輸設(shè)備和利用熱能的領(lǐng)域轉(zhuǎn)為利用電能,并進行精細控制。該策略是將能源利用形態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橐子诳刂频碾娔?。一般而言,比起一旦啟動就很難停止的發(fā)動機、渦輪機和鍋爐,用電能驅(qū)動的電機和加熱器更容易根據(jù)需求停止和運轉(zhuǎn)。除此之外,還會通過利用可再生能源發(fā)電、僅在必要時在最高效的條件下運行設(shè)備,來推動節(jié)電。也就是說,未來由電力驅(qū)動的設(shè)備、設(shè)施和工廠的數(shù)量將會急劇增加,這意味著希望以優(yōu)異的功率轉(zhuǎn)換效率運行的電氣設(shè)備和機電設(shè)備的數(shù)量將急劇增加。

在電動車輛(xEV)、工業(yè)用電機驅(qū)動裝置、太陽能發(fā)電廠的功率調(diào)節(jié)器、乃至工業(yè)設(shè)備和各種工廠的控制設(shè)備等應(yīng)用中,會配備有車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等各種功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。然而,在功率轉(zhuǎn)換過程中總是存在著功率損耗。比如DC-DC轉(zhuǎn)換器,其轉(zhuǎn)換效率通常在80~95%左右。即使單次功率轉(zhuǎn)換時的效率較低,發(fā)電廠產(chǎn)生的電力通過傳輸和分配,到使用之前會經(jīng)歷幾次功率轉(zhuǎn)換,最終有約1/3變?yōu)闊崃炕螂姶挪ǘ鴵p耗掉。從這個損耗量要通過增設(shè)發(fā)電廠數(shù)量來補償?shù)慕嵌瓤?,可以知道這個浪費有多么大。更大程度地減少損耗是推動去碳化的關(guān)鍵要點。

而且,重要的是,提高電能利用率的解決方案,不僅需要更加高效的相關(guān)產(chǎn)品,還需要能夠適用于更多應(yīng)用。這是因為,即使是可以大幅提高效率的技術(shù),如果引進該技術(shù)所需的成本過高,其應(yīng)用范圍就會受到限制,從而無法全面降低功耗。

利用SiC器件降低損耗,

利用混合器件提供優(yōu)質(zhì)解決方案

降低功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)損耗的方法包括改進轉(zhuǎn)換電路的配置,以及采用工作時損耗低的功率器件。

近年來,IGBT等傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件已經(jīng)開始逐漸被碳化硅(SiC)基的功率器件取代。與Si器件相比,SiC器件的導(dǎo)通電阻更低,在高溫、高頻、高電壓環(huán)境下的性能更出色。由于具備這些特點,SiC器件有望成為適用于多在嚴苛環(huán)境下使用的汽車和工業(yè)用功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的下一代低損耗器件。

SiC器件在太陽能和風力發(fā)電設(shè)備中的DC-AC轉(zhuǎn)換器、電動汽車和混合動力汽車的車載充電器和功率轉(zhuǎn)換器、工業(yè)設(shè)備等的功率逆變器電源、以及蓄電設(shè)備等中的應(yīng)用正在不斷增加。在這種背景下,ROHM量產(chǎn)并供應(yīng)650V/1200V耐壓的SiC肖特基勢壘二極管(SBD)、650V/750V/1200V/1700V耐壓的SiC MOSFET

目前很多功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)使用的是硅基IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)或SJ-MOSFET(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為開關(guān)器件。其中,IGBT具有生產(chǎn)成本低廉的優(yōu)點,但當其用于電機和線圈等感性負載時,需要續(xù)流二極管才能工作。另外,IGBT通常存在關(guān)斷損耗問題。SJ-MOSFET具有關(guān)斷損耗低的優(yōu)點,但其存在難以支持大功率的問題。而SiC MOSFET和SiC SBD組合使用,可以大幅提高功率轉(zhuǎn)換效率。但是,目前由于用來形成元件的襯底—SiC晶圓極其昂貴,因此現(xiàn)狀是其應(yīng)用范圍受到限制。

要想積極推動去碳化,能夠適用于更廣泛的應(yīng)用、并同時實現(xiàn)高效率和低成本的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)解決方案是不可或缺的。針對這種需求,ROHM將適合降低成本的IGBT和能夠提高效率的SiC器件的優(yōu)點結(jié)合起來,打造出突破性的解決方案“Hybrid IGBT”。該解決方案使用SiC SBD作為IGBT續(xù)流二極管,可以大幅降低導(dǎo)通損耗。通過改善半橋配置中續(xù)流側(cè)器件(Low side)的關(guān)斷特性,改善了開關(guān)側(cè)器件(High side)的導(dǎo)通損耗。此外,開關(guān)器件元件本身采用了比SiC MOSFET更便宜的IGBT,因此可以降低成本,從而支持更廣泛的應(yīng)用。

ROHMHybrid IGBT的性能和優(yōu)勢

IGBT的續(xù)流二極管需要選用適合IGBT特性的產(chǎn)品。只是用碳化硅基二極管取代現(xiàn)有的硅基二極管,效率改善效果并不能達到預(yù)期。ROHM的650V耐壓Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”融合了IGBT和SiC SBD特性上的優(yōu)點,并實現(xiàn)了一體化封裝。由于已經(jīng)在元器件層面優(yōu)化了需要進行精密電路設(shè)計的部分,因此用戶使用該系列產(chǎn)品可以輕松構(gòu)建性價比高的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

將RGWxx65C系列應(yīng)用于車載充電器時,與以往的IGBT相比,損耗可降低67%;與SJ-MOSFET相比,損耗可降低24%(圖3)。在轉(zhuǎn)換效率方面,可以在更寬的工作頻率范圍確保97%以上的高效率,并且在100kHz的工作頻率下,效率可比IGBT高3%,而且,只需替換當前所用的配有IGBT的電路,即可實現(xiàn)這種效率提升效果。本系列產(chǎn)品還符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準“AEC-Q101”,即使在車載和工業(yè)設(shè)備等的嚴苛環(huán)境下也可以安心使用。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城

可以說ROHM的Hybrid IGBT是有助于更多汽車和工廠的去碳化、應(yīng)用效果非常出色的器件。

wKgZomYJ0OSAXTqiAAAX7yfdkj0747.png

wKgaomYJ0OSAF4bcAABNeTd6hgs079.png

wKgZomYJ0OSAa5FfAABt5-J7CwA293.png



審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    149

    文章

    10367

    瀏覽量

    177401
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4306

    瀏覽量

    261638
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3626

    瀏覽量

    68824
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    浮思特 | 從充電樁到光伏逆變:至信微 SiC 肖特基二極管強在哪?

    二極管正逐漸取代傳統(tǒng)硅二極管,成為工程師的重要選擇。一、為什么高頻電源越來越依賴SiC肖特基二極管?與傳統(tǒng)硅快恢復(fù)二極管相比,
    的頭像 發(fā)表于 12-29 10:05 ?1439次閱讀
    浮思特 | 從充電樁到光伏逆變:至信微 <b class='flag-5'>SiC</b> 肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>強在哪?

    二極管的原理

    怎么工作?二極管最主要的一個能力就是可以控制電路中電流流動的能力,也就是單向?qū)ㄐ?。與通過抵抗或存儲的無源器件不同,二極管在電流流經(jīng)設(shè)備時主動地深入了解電流的漲落。下面有兩種方法可以展示二極管
    發(fā)表于 12-22 13:15

    理想二極管+雷卯TVS:過拋負載P5A測試,功耗降97%

    講解理想二極管=NMOS+專用控制器一.優(yōu)點:1、極低功耗:導(dǎo)通壓降僅10-20mV,20A電流下功耗降至0.4W(較肖特基二極管降低97%
    的頭像 發(fā)表于 08-27 21:01 ?986次閱讀
    理想<b class='flag-5'>二極管</b>+雷卯TVS:過拋負載P5A測試,<b class='flag-5'>功耗</b>降97%

    SiC二極管相比普通二極管有哪些優(yōu)勢呢?

    在功率電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件。作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表,SiC二極管憑借其物理特性在多方面實現(xiàn)了性能突破。寬禁帶半導(dǎo)體材料碳禁帶寬度(SiC:3.2eVvs
    的頭像 發(fā)表于 07-21 09:57 ?1296次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>二極管</b>相比普通<b class='flag-5'>二極管</b>有哪些優(yōu)勢呢?

    你知道什么是“二極管發(fā)言”嗎?

    。 簡單來說,“二極管發(fā)言”就是指那些、“非此即彼”、“走極端”、“非黑即白”、“認死理”、“容不得半點不同意見”的言論。 理解“二極管發(fā)言”有助于我們在網(wǎng)絡(luò)交流和現(xiàn)實生活中識別這種思維模式,我們應(yīng)該努力進行更全面、辯證、理性的
    發(fā)表于 06-11 09:47

    SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能

    使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進展。SiC
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:16 ?1108次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET與肖特基勢壘<b class='flag-5'>二極管</b>的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能

    輸出二極管選?。上螺d)

    有關(guān)二極管選取一般從一下幾點著手一、根據(jù)二極管應(yīng)用的開關(guān)速度來選取不同類型的二極管、根據(jù)輸出的電流來選取二極管的電流范圍三、通過計算來確定
    發(fā)表于 03-04 14:02 ?0次下載

    Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管,提升高頻應(yīng)用效率

    40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-27 12:49 ?787次閱讀
    Vishay推出多款采用<b class='flag-5'>工業(yè)</b>標準SOT-227封裝的650 V和1200 V <b class='flag-5'>SiC</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>,提升高頻應(yīng)用效率

    SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

    電流、適用于高頻操作等特性,有助于提升系統(tǒng)效率,降低散熱需求,在并聯(lián)使用時也不會出現(xiàn)熱失控問題??蓱?yīng)用于消費類開關(guān)模式電源(SMPS)、功率因數(shù)校正(PFC)或DC/DC 階段的升壓二極管以及 AC/DC
    的頭像 發(fā)表于 02-25 15:44 ?818次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> SBD-P3D06002G2 650V <b class='flag-5'>SiC</b> 肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>數(shù)據(jù)手冊

    二極管為什么單向?qū)?/a>

    二極管是最基本的半導(dǎo)體元件之一,廣泛應(yīng)用于整流、電路保護、信號調(diào)制等多種電子設(shè)備中。二極管的核心特性就是單向?qū)щ娦裕簿褪撬軌蜃岆娏髟谝粋€方向上流動,而在相反方向上則阻止電流通過。那么
    的頭像 發(fā)表于 02-10 14:09 ?3215次閱讀
    <b class='flag-5'>二極管</b>為什么單向?qū)? />    </a>
</div>                              <div   id=

    Zener二極管的作用與應(yīng)用

    Zener二極管的作用 Zener二極管的主要作用是提供穩(wěn)定的電壓參考。在正常的二極管中,電流只能從陽極流向陰極,而在Zener二極管中,當反向電壓達到或超過Zener電壓時,電流可以
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:38 ?2057次閱讀

    為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管

    ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動下,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長,BA
    的頭像 發(fā)表于 02-06 11:51 ?1123次閱讀
    為什么BASiC基本公司<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>全面取代FRD快恢復(fù)<b class='flag-5'>二極管</b>

    如何辨別共陰二極管與共陽二極管

    在電子領(lǐng)域中,二極管作為一種基礎(chǔ)且重要的電子元件,被廣泛應(yīng)用于各類電路中。其中,共陰二極管與共陽二極管在外觀上極為相似,然而其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作特性卻存在差異。
    的頭像 發(fā)表于 02-05 17:35 ?5496次閱讀

    采用 MPS SiC 二極管最大程度地降低高頻開關(guān)模式電源的損耗

    (Si) 二極管而言,這些開關(guān)損耗來自二極管關(guān)斷時二極管結(jié)內(nèi)存儲的電荷產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流。要將這些損耗降到最低,通常需要一個具有更高平均正向電流的 Si 二極管,但這會導(dǎo)致更大的尺寸
    的頭像 發(fā)表于 01-26 22:27 ?1714次閱讀
    采用 MPS <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>二極管</b>最大程度地<b class='flag-5'>降低</b>高頻開關(guān)模式電源的損耗

    AN029:了解SiC功率肖特基二極管的數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN029:了解SiC功率肖特基二極管的數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-23 16:40 ?0次下載
    AN029:了解<b class='flag-5'>SiC</b>功率肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>的數(shù)據(jù)表