隨著英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品，電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用領(lǐng)域得到了顯著的推進(jìn)。這一系列產(chǎn)品專(zhuān)為各種電動(dòng)交通工具，（如電動(dòng)滑板車(chē)、微型電動(dòng)車(chē)及電動(dòng)叉車(chē)等）提供了卓越的性能表現(xiàn)。

OptiMOS 6 200 V MOSFET的溝槽技術(shù)，通過(guò)降低了RDS（on）（漏源電阻），有效減少了傳導(dǎo)損耗，使其在電動(dòng)工具的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了更高效的運(yùn)行。這項(xiàng)技術(shù)不僅優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗，降低了電磁干擾（EMI），而且提供了更好的并聯(lián)運(yùn)作能力，這得益于它窄的柵極閾值電壓范圍和降低的跨導(dǎo)效果。其軟二極管特性和低的反向恢復(fù)電荷，加上線(xiàn)性輸出電容的改善，這些都有助于在不同的操作條件下提升系統(tǒng)效率。

這些特性對(duì)于任何需要高效能源交換的應(yīng)用程序，如服務(wù)器、通信、儲(chǔ)能和太陽(yáng)能系統(tǒng)等，都是至關(guān)重要的。此外，OptiMOS 6 200 V更寬的安全工作區(qū)（SOA）以及更低的RDS（on）的結(jié)合，使得它成為靜態(tài)交換應(yīng)用（如電池管理系統(tǒng)）的理想選擇。

與OptiMOS 3相比，OptiMOS 6 200 V的性能有了質(zhì)的飛躍，RDS（on）降低了42%，大大減少了傳導(dǎo)損耗并提升了輸出功率。在二極管的軟切換特性上，OptiMOS 6 200 V的表現(xiàn)是OptiMOS 3的三倍以上，加上89%的Qrr（反向恢復(fù)電荷）降低，使得開(kāi)關(guān)和EMI性能都得到了顯著提升。寄生電容（Coss 和 Crss）的線(xiàn)性度改進(jìn)，減少了開(kāi)關(guān)時(shí)的振蕩和電壓過(guò)沖，緊密的V GS(th)分布和更低的跨導(dǎo)有助于并聯(lián)MOSFET的均衡流動(dòng)，實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度分布，同時(shí)減少了并聯(lián)MOSFET的需要。

新的OptiMOS 6 200 V產(chǎn)品系列不僅在技術(shù)性能上設(shè)立了新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，也因其提高的功率密度、效率和系統(tǒng)可靠性，為客戶(hù)帶來(lái)了實(shí)質(zhì)性的利益。隨著這些創(chuàng)新產(chǎn)品的推出，我們可以期待在電力電子領(lǐng)域的更多應(yīng)用突破和進(jìn)步。

OptiMOS 6 200 V MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

? 低傳導(dǎo)損耗

? 開(kāi)關(guān)損耗低

?改善了EMI

?減少了并聯(lián)的需要

?并聯(lián)時(shí)更好的電流共享

?符合RoHS，無(wú)鉛

OptiMOS 6 200 V MOSFET技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

? 室溫下RDS(on)減少42%，175°C時(shí)減少53%

?降低了Qrr和提高了電容線(xiàn)性度與開(kāi)關(guān)性能

?在不影響EMI的情況下，降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗

?改進(jìn)SOA以增加保護(hù)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中MOSFET電流處理

?設(shè)計(jì)優(yōu)化和生產(chǎn)精度使可靠的高性能技術(shù)

OptiMOS 6 200 V 產(chǎn)品采用多種封裝，適合各種應(yīng)用。這一廣泛的封裝產(chǎn)品組合包括 PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P 以及 D2PAK-3P。現(xiàn)已開(kāi)放訂購(gòu)

審核編輯：劉清