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英飛凌發(fā)布新型模塊化半橋功率板

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 2024-10-23 17:27 ? 次閱讀
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近日,英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V,并配備了D2PAK 7引腳封裝,是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。

該模塊化半橋功率板設計獨特,帶有一個功率開關和柵極驅動接口,為用戶提供了一個單半橋解決方案。這一設計使得用戶可以輕松構建任何基于半橋的功率拓撲,從而滿足各種應用需求。

此外,英飛凌還推出了多種功率板,這些功率板采用了D2PAK、D2PAK-7和TO無引線封裝的OptiMOS?系列產品。這些功率板不僅展示了OptiMOS?功率MOSFET的卓越性能,還演示了功率MOSFET的并聯(lián)和散熱性能。

英飛凌此次發(fā)布的模塊化半橋功率板,不僅為用戶提供了更加靈活和高效的功率解決方案,還進一步推動了功率半導體技術的發(fā)展。通過采用先進的OptiMOS? 6功率MOSFET和優(yōu)化的封裝設計,英飛凌成功地將高性能和可靠性結合在一起,為用戶帶來了更加出色的使用體驗。

未來,英飛凌將繼續(xù)致力于功率半導體技術的研發(fā)和創(chuàng)新,為用戶提供更加優(yōu)質的產品和服務。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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