英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC MOSFET 650 V 和 1200 V Generation 2 技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。

CoolSiC 650V/1200V

CoolSiC MOSFET 新一代G2 技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程中的效率。這為光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅(qū)動和工業(yè)電源等功率半導體應用領(lǐng)域的客戶帶來了巨大優(yōu)勢。與前幾代產(chǎn)品相比，采用CoolSiC G2 的電動汽車直流快速充電站最高可減少10%的功率損耗，并且在不影響外形尺寸的情況下實現(xiàn)更高的充電功率?；贑oolSiC G2器件的牽引逆變器可進一步增加電動汽車的續(xù)航里程。在可再生能源領(lǐng)域，采用 CoolSiC G2的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現(xiàn)更小的尺寸，從而降低每瓦成本。

英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁 Peter Wawer 博士表示：“目前的大趨勢是采用高效的新方式來產(chǎn)生、傳輸和消耗能量。英飛凌憑借 CoolSiC MOSFET G2 將碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技術(shù)使廠商能夠更快地設計出成本更低、結(jié)構(gòu)更緊湊、性能更可靠，且效率更高的系統(tǒng)，在實現(xiàn)節(jié)能的同時減少現(xiàn)場的每瓦二氧化碳排放。這充分體現(xiàn)了英飛凌堅持不懈持續(xù)推動工業(yè)、消費、汽車領(lǐng)域的低碳化和數(shù)字化的創(chuàng)新?！?/p>

英飛凌開創(chuàng)性的CoolSiC MOSFET溝槽柵技術(shù)推動了高性能CoolSiC G2解決方案的發(fā)展，實現(xiàn)了更加優(yōu)化的設計選擇，與目前的SiC MOSFET技術(shù)相比，具有更高的效率和可靠性。結(jié)合屢獲殊榮的.XT封裝技術(shù)，英飛凌以更高的導熱性、更優(yōu)的封裝控制以及更出色的性能，進一步提升了基于 CoolSiC G2 的設計潛力。

英飛凌掌握了硅、碳化硅和氮化鎵（GaN）領(lǐng)域的所有的關(guān)鍵功率技術(shù)，可提供靈活的設計和領(lǐng)先的應用知識，滿足現(xiàn)代設計的期待和需求。在推動低碳化的過程中，基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶（WBG）材料的創(chuàng)新半導體已成為能源高效利用的關(guān)鍵。

審核編輯：劉清