chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-05-09 08:13 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

用于2kV碳化硅MOSFET模塊的

數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板

045c883e-0d99-11ef-9118-92fbcf53809c.png

評(píng)估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動(dòng)基于2kV碳化硅MOSFET樣機(jī)的特性測(cè)試。評(píng)估板使用EiceDRIVER 1ED38x0Mc12M數(shù)字驅(qū)動(dòng)電路,參數(shù)可以通過(guò)I2C-BUS靈活設(shè)置。電路板可以在不改變硬件設(shè)計(jì)的前提下針對(duì)不同用于優(yōu)化設(shè)計(jì)。電路有27個(gè)配置寄存器,通過(guò)I2C接口設(shè)置。這些配置選項(xiàng)可以調(diào)整多個(gè)閾值和時(shí)序參數(shù),以優(yōu)化驅(qū)動(dòng)保護(hù)特性。

產(chǎn)品型號(hào):

EVAL-FFXMR20KM1HDR

所用器件:

柵極驅(qū)動(dòng)器:1ED38x0Mc12M

產(chǎn)品特點(diǎn)

用于62mm,2kV CoolSiC溝槽柵MOSFET模塊的半橋驅(qū)動(dòng)板

驅(qū)動(dòng)有獨(dú)立的拉電流和灌電流管腳,便于優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)

驅(qū)動(dòng)IC 1ED3890MC12M或1ED3890MU12M X3系列數(shù)字電路,帶I2C總線,用于參數(shù)調(diào)整

硬件欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)

應(yīng)用價(jià)值

兩級(jí)關(guān)斷(TLTO),可調(diào)節(jié)斜率、第二級(jí)電壓平臺(tái)時(shí)間和電壓值

驅(qū)動(dòng)負(fù)電壓調(diào)節(jié)范圍為-5V至0V

可以調(diào)節(jié)正電壓,在高開關(guān)頻率下降低總損耗

電路板設(shè)計(jì)降低電路板發(fā)熱

與2kV的新型碳化硅62毫米半橋模塊配套

可以實(shí)現(xiàn)-5V至+18V范圍正負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)

客戶可用EiceDRIVER軟件工具,設(shè)計(jì)方便

集成了TLTO、DESAT檢測(cè)、軟特性UVLO、米勒箝位等功能

應(yīng)用領(lǐng)域

直流-直流轉(zhuǎn)換器

太陽(yáng)能應(yīng)用

不間斷電源系統(tǒng)

固態(tài)變壓器

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

框圖

04b437c8-0d99-11ef-9118-92fbcf53809c.png

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9200

    瀏覽量

    227218
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3223

    瀏覽量

    51496
  • 數(shù)字驅(qū)動(dòng)器

    關(guān)注

    1

    文章

    4

    瀏覽量

    2406
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取
    的頭像 發(fā)表于 10-18 21:22 ?68次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>高級(jí)柵極<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>設(shè)計(jì):核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?687次閱讀
    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋<b class='flag-5'>模塊</b>Pcore <b class='flag-5'>2</b>系列介紹

    基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:26 ?329次閱讀

    SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:57 ?854次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>時(shí)代的<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 06-09 17:22 ?583次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>全橋<b class='flag-5'>模塊</b>在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

    碳化硅MOSFET模塊碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?960次閱讀
    國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>全面取代進(jìn)口IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的必然性

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?650次閱讀
    國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?574次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    茜 微信&手機(jī):13266663313 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-03 10:45 ?430次閱讀
    基于國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案

    SiC-MOSFET,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型
    的頭像 發(fā)表于 04-21 09:21 ?608次閱讀
    傾佳電子提供SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>正負(fù)壓<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>供電與米勒鉗位解決方案

    超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?794次閱讀
    超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級(jí)至650V<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>力分析

    國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

    傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案,助力射頻電源業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 02-13 21:56 ?709次閱讀
    國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>和隔離<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37