電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道,三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時,美光已經(jīng)為英偉
發(fā)表于 07-23 00:04
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量測試,正就量產(chǎn)供應(yīng)展開磋商。當(dāng)前協(xié)商的供應(yīng)量按容量計(jì)算約為10億Gb級別左右,量產(chǎn)時間預(yù)計(jì)最早從今年下半年延續(xù)至
發(fā)表于 07-12 00:16
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其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣
發(fā)表于 02-18 11:00
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近日,英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪時透露,英偉達(dá)正在全力加速對三星最新推出的AI存儲芯片——HB
發(fā)表于 11-26 10:22
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近日,英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露,他們正在不遺余力地
發(fā)表于 11-25 14:34
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近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向
發(fā)表于 10-23 17:15
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近日,三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲,對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道,三星
發(fā)表于 10-11 17:37
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近日,知名市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展:三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達(dá)驗(yàn)證,并正式開啟
發(fā)表于 09-05 17:15
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9月4日最新資訊,據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露,三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程,并正式啟動了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產(chǎn)品主要面向英偉
發(fā)表于 09-04 15:57
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進(jìn)入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過英偉
發(fā)表于 08-23 15:02
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近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對此傳
發(fā)表于 08-08 10:06
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8月7日,市場上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(dá)(Nvidia)測試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而,
發(fā)表于 08-07 15:23
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三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e的量產(chǎn)工作,并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露,隨著
發(fā)表于 08-02 16:32
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最先進(jìn)的HBM3e芯片占總HBM的銷售額比例將從本季度略高于10%增長到今年最后一個季度的60%。三星存儲銷售和營銷負(fù)責(zé)人Kim Jaejune表示,該公司將為幾家客戶供貨,但未透露客戶姓名。 ?
發(fā)表于 08-01 11:08
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近日,三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào),其高頻寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉
發(fā)表于 07-18 09:36
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