在智能電源和感知技術(shù)領(lǐng)域,美國納斯達(dá)克上市的安森美公司(onsemi,股票代碼:ON)再次展現(xiàn)其技術(shù)實力。近日,該公司正式發(fā)布了第7代1200VQDual3絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊,標(biāo)志著電力電子領(lǐng)域又一大步的飛躍。
這款最新的QDual3模塊,在功率密度方面實現(xiàn)了顯著的提升,相較于同類產(chǎn)品,它能夠提供高達(dá)10%的輸出功率增長。其背后的核心技術(shù)是全新的場截止第7代(FS7)IGBT技術(shù),不僅確保了高效的能量轉(zhuǎn)換,更為用戶帶來了更低的系統(tǒng)成本和更為簡潔的設(shè)計。
值得一提的是,當(dāng)QDual3模塊應(yīng)用于150千瓦的逆變器中時,其損耗相較于最接近的競品減少了200瓦(W),這意味著散熱器的尺寸可以大幅縮減,從而進一步降低了系統(tǒng)的整體成本和維護難度。
QDual3模塊不僅性能卓越,還具備出色的耐用性。專為惡劣環(huán)境下工作而設(shè)計,它特別適用于大功率變流器,如太陽能發(fā)電站的中央逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)、商用農(nóng)業(yè)車輛(CAV)以及工業(yè)電機驅(qū)動器。這些應(yīng)用環(huán)境通常對設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性有著極高的要求,而QDual3模塊無疑能夠勝任這些挑戰(zhàn)。
為了滿足不同用戶的需求,安森美提供了兩種型號的QDual3模塊:NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG。無論是哪種型號,都充分體現(xiàn)了安森美在智能電源和感知技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和創(chuàng)新能力。未來,我們有理由相信,安森美將繼續(xù)引領(lǐng)電力電子領(lǐng)域的發(fā)展潮流。
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