IGBT是一種晶體管結構，由MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）控制Bipolar雙極晶體管的開關動作。

發(fā)熱量巨大的電子器件、芯片、MOSFET等必須與五金鑄模的殼體內壁接觸，以有效地實現(xiàn)熱傳遞，進行散熱。MOS管在電子電路中起到放大或者開關電路的作用，所以高絕緣高導熱性能材料是為MOS管散熱材料的首先考慮的參數(shù)。目前較為普遍的熱管理材料方案是使用導熱絕緣片類或導熱絕緣片+導熱硅脂。

單管IGBT和IGBT模塊對產品安全、可靠性提出耐高溫、散熱性優(yōu)、工作溫度范圍廣、使用壽命長等更高要求。芯片的散熱主要通過IGBT模塊中的陶瓷基板來實現(xiàn)，其作用是吸收芯片的產熱并傳導至熱沉上，從而實現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換，對于熱界面材料有耐高溫阻燃高導熱高絕緣的要求。

晟鵬技術（晟鵬科技）研發(fā)的高導熱絕緣片具有絕緣耐電壓、抗撕裂壓力等特性，垂直導熱系數(shù)3.5W和5W，耐擊穿電壓達到4KV以上，厚度超薄0.25毫米、0.38毫米，UL-V0阻燃等級，使用壽命周期長，滿足變頻家電（空調冰箱）、汽車電子、新能源電池、電力、交通等行業(yè)的需求,低熱阻高導熱可以快速地把功率器件產生的熱量傳遞到散熱器上。

公司介紹

廣東晟鵬材料技術有限公司（廣東晟鵬科技有限公司）主要從事以氮化硼材料為主的電子封裝熱管理材料研發(fā)與生產，是二維氮化硼商業(yè)化應用開拓者。

公司致力于解決5G通訊及新能源電池絕緣導熱“卡脖子”問題，大幅擴展了國產氮化硼原料的應用前景，從二維材料角度突破國際專利壁壘，助力我國半導體電子產業(yè)的發(fā)展，實現(xiàn)國產替代。依托清華大學蓋姆石墨烯中心、中科院深圳先進院、華南新材料研究院等多家研發(fā)平臺，前期研發(fā)經費投入超2億元，擁有院士級海歸研發(fā)團隊、強大的研發(fā)背景和技術實力。

公司開發(fā)的低介電氮化硼散熱膜、高絕緣氮化硼導熱膜及高導熱墊片等產品，性能領先于國內外同行競品，具備強大的競爭優(yōu)勢。目前該產品已被華為、OPPO、小米、VIVO等國內3C電子領域龍頭企業(yè)廣泛使用。