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SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達(dá)56.1%

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-06-27 10:50 ? 次閱讀
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在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實(shí)力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的需求日益增長(zhǎng),傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)已難以滿足高性能、高密度的存儲(chǔ)需求。在這樣的背景下,3D DRAM技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,它通過垂直堆疊的方式將多個(gè)存儲(chǔ)層疊加在一起,從而在不增加芯片面積的情況下提高存儲(chǔ)容量和性能。

SK海力士作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一,一直在積極探索和推動(dòng)3D DRAM技術(shù)的發(fā)展。據(jù)悉,公司早在數(shù)年前就開始了對(duì)3D DRAM技術(shù)的研發(fā)工作,并投入了大量的人力、物力和財(cái)力。經(jīng)過不懈的努力和持續(xù)的創(chuàng)新,SK海力士終于在3D DRAM技術(shù)上取得了重大突破。

在VLSI 2024峰會(huì)上,SK海力士首次詳細(xì)公布了其5層堆疊3D DRAM的具體成果和特性。據(jù)公司透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%。這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上,SK海力士能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元,其中超過一半(即561個(gè))為良品,可用于實(shí)際應(yīng)用。這一良品率的提升不僅證明了SK海力士在3D DRAM技術(shù)上的實(shí)力,也為其未來的商業(yè)化應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

對(duì)于這一突破性的進(jìn)展,SK海力士表示將繼續(xù)加大研發(fā)投入,加速3D DRAM技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。公司計(jì)劃在未來幾年內(nèi)將3D DRAM技術(shù)應(yīng)用于更廣泛的領(lǐng)域,包括高性能計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、人工智能等。同時(shí),SK海力士還將與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)緊密合作,共同推動(dòng)3D DRAM技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,SK海力士在3D DRAM技術(shù)上的突破將對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。首先,它將推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)向更高性能、更高密度的方向發(fā)展,滿足不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理需求。其次,它將促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的合作和創(chuàng)新,推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的持續(xù)進(jìn)步。最后,它將為消費(fèi)者帶來更加高效、便捷的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理體驗(yàn),推動(dòng)智能生活的普及和發(fā)展。

總之,SK海力士在3D DRAM技術(shù)上的突破為其未來的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),也為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)帶來了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。我們期待SK海力士在未來的發(fā)展中能夠繼續(xù)發(fā)揮其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)和創(chuàng)新精神,推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的持續(xù)進(jìn)步和發(fā)展。

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