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英偉達2025年計劃發(fā)布Blackwell Ultra與B200A,或大幅提升HBM消耗量

要長高 ? 2024-08-09 15:51 ? 次閱讀
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根據(jù)TrendForce最新發(fā)布的HBM市場研究報告,隨著人工智能AI芯片技術(shù)的持續(xù)迭代升級,單顆芯片所集成的HBM(高帶寬內(nèi)存)容量正顯著增長。英偉達作為HBM市場的領軍者,預計在推出Blackwell Ultra和B200A等新一代產(chǎn)品后,其在該市場的采購份額將于2025年突破70%大關。

以英偉達的Hopper系列芯片為例,其發(fā)展歷程清晰地展現(xiàn)了這一趨勢:從第一代H100芯片的80GB HBM容量,到預計于2024年發(fā)布的H200芯片,其HBM容量已躍升至144GB,彰顯了AI芯片與單芯片HBM容量之間的協(xié)同發(fā)展對整體市場需求的巨大拉動作用。TrendForce預測,這一增長趨勢將推動2024年HBM市場的年增長率超過200%,并在2025年實現(xiàn)再翻倍。

值得注意的是,英偉達針對不同市場需求,規(guī)劃了多樣化的產(chǎn)品策略。其中,面向OEM客戶的降規(guī)版B200A芯片將采用4顆12層HBM3e,相較于其他B系列芯片搭載的HBM數(shù)量有所減少。然而,TrendForce強調(diào),這種產(chǎn)品策略的多元化不僅不會削弱HBM市場的整體消耗量,反而有望激發(fā)更多中小客戶的采購興趣,進一步促進市場的繁榮。

在供應鏈層面,SK海力士和美國廠商預計將于2024年第二季度開始量產(chǎn)HBM3e產(chǎn)品。而英偉達H200芯片的出貨預期將大幅提升該公司在HBM3e市場的消耗比重,預計全年占比將超過60%。進入2025年,隨著Blackwell平臺全面采用HBM3e、產(chǎn)品層數(shù)增加以及單芯片HBM容量的進一步提升,英偉達對HBM3e市場的整體消耗量預計將攀升至85%以上。

特別值得關注的是,12層HBM3e將成為2024年下半年市場的焦點。TrendForce預計,隨著Blackwell Ultra等高端產(chǎn)品的推出,以及GB200和B200A等產(chǎn)品的潛在升級,12層HBM3e在整體HBM3e市場中的比重將在2025年提升至40%,且存在進一步上調(diào)的可能性。然而,隨著技術(shù)難度的提升,驗證進度的快慢將直接影響訂單的分配比例。目前,三星在驗證進度上領先于其他競爭對手,正積極尋求擴大其在HBM市場的份額。

總體來看,盡管當前市場仍以8層HBM3e為主流,但12層HBM3e的增長潛力將在未來幾年內(nèi)逐漸釋放,為HBM市場帶來新的發(fā)展機遇。

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