光儲能的發(fā)展勢頭仍在高速增長，就在2024年的6月25日上午，長三角G60科創(chuàng)走廊·正泰電源松江區(qū)光儲智能制造基地項目舉行了隆重的開工儀式。

意味著該產(chǎn)業(yè)鏈的又一重大項目被推進，而儲能逆變器作為其中重要一環(huán)。在市場中可以選擇怎么樣的IGBT單管來代換國際型號75N65的參數(shù)來使用呢？

目前在國家政策的支持下，國產(chǎn)化IGBT單管發(fā)展進入快車道。我國IGBT技術不斷更新迭代，目前國產(chǎn)化IGBT就有國產(chǎn)FHA75T65A型號可以直接代換75N65型號參數(shù)來使用在儲能逆變器。

為什么是FHA75T65AIGBT單管？這是由于它擁有高可靠性以及反向并行的快恢復二極管特性，Trench Field Stop technology（關斷損耗低、拖尾電流非常短、出色的Vcesat飽和壓降）、擁有正溫度系數(shù)。

結合IGBT單管特點可知，這一款75A、650V電流、電壓的FHA75T65A型號IGBT單管參數(shù)是很適合使用在儲能逆變器的逆變電路上。

在應用中值得儲能逆變器研發(fā)工程師留意，這款優(yōu)質FHA75T65A國產(chǎn)IGBT單管的詳細參數(shù)：其具有75A, 650V, VCEsat典型值：1.75V-typ ，＜2.0V；ID (Tc=100℃)：75A；BVdss：650V；IF（A）(Tc=25℃)：150A；IF（A）(Tc=100℃)：75A。

FHA75T65A是一款N溝道溝槽柵截止型IGBT，通過優(yōu)化工藝和使用Trench Field stop Ⅱ technology ，即可獲得極低的 VCEsat 飽和壓降，并在導通損耗和關斷損耗（Eoff）之間能做出來良好的權衡。

FHA75T65A出色的導通壓降與極短的拖尾電流為客戶在優(yōu)化系統(tǒng)效率時提供有力的幫助。

目前FHA75T65A型號IGBT單管已經(jīng)廣泛適用于儲能逆變器、戶外儲能電源、UPS、光伏逆變器、電焊機等各類軟硬開關和PFC電路，可適用開關頻率1~60KHz。

封裝形式是TO-247也進一步驗證其適合代換75N65型號IGBT單管。在國產(chǎn)化技術與性價比的提升下，選用FHA75T65A的IGBT單管是直接代換75N65參數(shù)型號，幫助提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。

650V、75A 的IGBT代換使用，對于儲能逆變器選對型號很重要。飛虹半導體的IGBT不僅廣泛應用于儲能逆變器中，還可用于戶外儲能電源、變頻器、光伏逆變器、電焊機和工業(yè)縫紉機等終端應用場景。為國內的電子產(chǎn)品廠家提供了優(yōu)質的產(chǎn)品以及配套服務。除提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制IGBT產(chǎn)品。