SiC內(nèi)卷和洗牌加速，目前國(guó)產(chǎn)SiC器件性能與國(guó)際大廠相比是否還有差距？車載SiC國(guó)產(chǎn)化何時(shí)才能實(shí)現(xiàn)？SiC產(chǎn)業(yè)未來(lái)的方向又在哪里？

2024年10月22日，由EEVIA主辦的第12屆中國(guó)硬科技產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢(shì)峰會(huì)暨百家媒體論壇在深圳灣萬(wàn)怡酒店隆重舉行，Big-Bit資訊記者受邀親臨現(xiàn)場(chǎng)，見(jiàn)證了這場(chǎng)科技盛宴的精彩瞬間。

第12屆中國(guó)硬科技產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢(shì)峰會(huì)暨百家媒體論壇現(xiàn)場(chǎng)

艾邁斯歐司朗、Qorvo、RAMXEED（原富士通半導(dǎo)體）、飛凌微、安謀科技、清純半導(dǎo)體等6家知名企業(yè)詳細(xì)展示了車載LED、傳感器、高性能存儲(chǔ)器、端側(cè)SoC芯片，AI圖像圖處理芯片和車載SiC芯片等場(chǎng)景的最新SiC產(chǎn)品。

Big-Bit資訊將通過(guò)論壇演講內(nèi)容，帶大家一起了解上述企業(yè)究竟有哪些“科技與狠活”。

艾邁斯歐司朗：智能駕駛中的光與智

艾邁斯歐司朗深耕光源市場(chǎng)已有百余年，在汽車光源領(lǐng)域也已經(jīng)超過(guò)四十年的歷史，是名副其實(shí)的汽車照明龍頭企業(yè)，在汽車照明光源市場(chǎng)有著無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。此次論壇，艾邁斯歐司朗高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理羅理為與會(huì)聽(tīng)眾介紹了3款艾邁斯歐司朗人車互動(dòng)方面的創(chuàng)新光源。

艾邁斯歐司朗高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理 羅理

首款光電結(jié)合的車載LED。艾邁斯歐司朗最新推出的25600像素EVIYOS? 2.0，是業(yè)界第一款光與電子相結(jié)合的LED，底部集成了CMOS電路控制LED的亮和滅，25600個(gè)像素點(diǎn)壓縮到40平方毫米的曲光面上，每個(gè)像素點(diǎn)粗細(xì)僅50微米，且都可以獨(dú)立尋址開(kāi)關(guān)，為汽車照明工程師設(shè)計(jì)提供了更多可能性和想象空間。

艾邁斯歐司朗車載LED應(yīng)用示例

首款智能RGB LED。OSIRE?E3731i這款產(chǎn)品是業(yè)界首個(gè)推出基于OSP開(kāi)放架構(gòu)的、把LED和驅(qū)動(dòng)集成在一個(gè)封裝的SiC產(chǎn)品，是艾邁斯歐司朗為應(yīng)對(duì)新能源汽車信息顯示越來(lái)越豐富，逐漸成為人車互動(dòng)載體而推出的SiC產(chǎn)品，解決了當(dāng)前汽車LED使用顆粒數(shù)增加、保障RGB混色均勻等痛點(diǎn)問(wèn)題，并實(shí)現(xiàn)成本和數(shù)量的平衡。通過(guò)OSP開(kāi)放協(xié)議，免除了MCU廠家的限制，只需要雙絞線和高低電頻，一個(gè)SPI接口就可串聯(lián)高達(dá)1,000顆的RGBi，且可預(yù)埋在SiC主控域控制器上，通過(guò)OTA升級(jí)更新，大大簡(jiǎn)化了架構(gòu)布局，提高了整車的通用性。

360°輻射側(cè)發(fā)光LED。SYNIOS? P1515的封裝是1.5×1.5mm2，通過(guò)創(chuàng)新性的SiC封裝設(shè)計(jì)，把整個(gè)尾燈信號(hào)燈面發(fā)光源的結(jié)構(gòu)壓縮到5毫米甚至更低，其均勻地分布在側(cè)面、360°環(huán)繞的出光方式，可以為工程師帶來(lái)更多結(jié)構(gòu)上的創(chuàng)新，如替代傳統(tǒng)頂發(fā)光LED，使得整體結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單；或者用于實(shí)現(xiàn)類似于OLED的超薄均勻性面發(fā)光。

隨著新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展，中國(guó)汽車市場(chǎng)正逐漸脫離跟隨者的角色，艾邁斯歐司朗也緊跟步伐，扎根于中國(guó)，在技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)降本增效的基礎(chǔ)上，不斷追求解放SiC技術(shù)設(shè)計(jì)師的思路和思維，增加SiC產(chǎn)品工程師架構(gòu)設(shè)計(jì)的可塑性，從而為SiC業(yè)界和SiC市場(chǎng)提供更多的選擇。

Qorvo：從突破射頻到UWB和應(yīng)用于下一代移動(dòng)設(shè)備的傳感器

Qorvo是一家全球領(lǐng)先的的連接和電源解決方案供應(yīng)商，作為首個(gè)將ACS TUNER天線方案帶到中國(guó)市場(chǎng)的品牌，經(jīng)過(guò)二十多年的深耕，目前Qorvo產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于互聯(lián)移動(dòng)、電源、AI服務(wù)器和汽車。Qorvo中國(guó)高級(jí)銷售總監(jiān)江雄詳細(xì)介紹了目前Qorvo應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域的最新SiC產(chǎn)品。

Qorvo中國(guó)高級(jí)銷售總監(jiān) 江雄

基于人機(jī)交互的Sensor Fusion（傳感器融合），關(guān)于Force Sensor部分，今年最熱的就是iPhone16采用了融合壓力傳感器單獨(dú)拍攝鍵，這個(gè)按鍵被業(yè)界定義為AI鍵，未來(lái)會(huì)集成更多的功能和用途。Force Sensor在很多領(lǐng)域例如智能穿戴、筆記本、智能家電等，尤其是汽車上，從車外到車內(nèi)、車門(mén)、方向盤(pán)、控制面板，已有多家知名整車廠商使用Qorvo的MEMS Sensor方案，最多的一款用了28顆Sensor了，可以讓人機(jī)交互體驗(yàn)更加流暢，界面更加時(shí)尚，也可以增加更多的方式。

此外，江雄還詳細(xì)介紹了Qorvo的Phase 8射頻前端模組、濾波器、Wi-Fi芯片、功率器件等相關(guān)SiC新產(chǎn)品及其應(yīng)用進(jìn)展，致力于通過(guò)技術(shù)為用戶提供更好的performance、更創(chuàng)新的SiC技術(shù)方案、更小SiC產(chǎn)品尺寸和更高的集成度。

RAMXEED：高可靠性和無(wú)遲延應(yīng)用首選

RAMXEED（原富士通半導(dǎo)體）總經(jīng)理馮逸新為與會(huì)嘉賓詳細(xì)介紹了富士通集團(tuán)的發(fā)展歷程。

RAMXEED（原富士通半導(dǎo)體）總經(jīng)理 馮逸新

富士通從1956年開(kāi)始研發(fā)半導(dǎo)體，80年代成長(zhǎng)為頂級(jí)的半導(dǎo)體公司，是IDM的典型代表，并將于2025年1月1日正式撤出半導(dǎo)體市場(chǎng)，以全新面貌——RAMXEED回歸大眾視野。

目前RAMXEED只專注于高性能存儲(chǔ)器FeRAM、ReRAM和以FeRAM、ReRAM為基礎(chǔ)的SiC定制產(chǎn)品，SiC產(chǎn)品生產(chǎn)銷量主要在日本，以定制芯片ASIC為主；其次就是亞太，主要是在中國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣，中國(guó)臺(tái)灣主要是FA和醫(yī)療電子標(biāo)簽，大陸主要是表計(jì)、FA、新能源汽車充電樁、PV（光伏發(fā)電的設(shè)備）逆變器和儲(chǔ)能應(yīng)用。

本屆論壇，RAMXEED帶來(lái)新產(chǎn)品鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FeRAM），是為數(shù)不多實(shí)現(xiàn)ReRAM量產(chǎn)的半導(dǎo)體供應(yīng)商，目前最大容量12Mbit，能耐高溫（125°C），傳輸速度快（50MHz、108MHz），功耗低（1.65V），且尺寸?。―FN封裝），在智能電網(wǎng)、汽車、充電樁、工廠和樓宇自動(dòng)化、船舶、工程機(jī)械、醫(yī)療電子、云計(jì)算、游戲等方面均有成熟應(yīng)用，并詳細(xì)介紹了其未來(lái)SiC技術(shù)迭代路徑，并可根據(jù)SiC市場(chǎng)需求把速度做得更快。

飛凌微：端側(cè)SoC與感知融合 助力車載智能視覺(jué)升級(jí)

思特威副總裁、飛凌微首席執(zhí)行官邵科主要從端側(cè)AI處理優(yōu)勢(shì)及主要SiC技術(shù)應(yīng)用場(chǎng)景、飛凌微M1智能視覺(jué)處理系列芯片及其在車載視覺(jué)中的SiC技術(shù)應(yīng)用三個(gè)方面進(jìn)行了分享。

思特威副總裁、飛凌微首席執(zhí)行官 邵科

邵科提到，最近十年中視覺(jué)系統(tǒng)有兩大方面發(fā)展非常迅速，一是圖像傳感器、視覺(jué)類的SiC產(chǎn)品用得越來(lái)越多，從原來(lái)安防監(jiān)控到現(xiàn)在的手機(jī)，再到門(mén)鈴、掃地器、人臉支付等日常生活的方方面面，視覺(jué)應(yīng)用越來(lái)越寬泛；

二是神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，像AI算法發(fā)展越來(lái)越快速、應(yīng)用越來(lái)越多，會(huì)催生大量的視覺(jué)應(yīng)用需求，主要包括三大類：

第一類是在端側(cè)采集數(shù)據(jù)，在云端做處理，時(shí)效性要求相對(duì)較低；

第二類是在端側(cè)采集數(shù)據(jù)，同時(shí)在本地中央計(jì)算來(lái)處理AI數(shù)據(jù)；

第三類是直接在端側(cè)采集數(shù)據(jù)，同時(shí)在端側(cè)處理，挑戰(zhàn)相對(duì)較大。

這種發(fā)展趨勢(shì)要求視覺(jué)處理對(duì)圖像性能要求越來(lái)越高，對(duì)圖像處理芯片的性能要求也越來(lái)越高。

飛凌微今年推出的M1系列三款SiC產(chǎn)品，均是SiC業(yè)內(nèi)最小的封裝尺寸（BGA 7mm*7mm封裝）。

飛凌微M1系列芯片

M1是一款高性能ISP芯片，能夠接收800萬(wàn)像素的圖像數(shù)據(jù)或同時(shí)接收兩張300萬(wàn)像素的圖像數(shù)據(jù)；

M1 Pro基于高性能ISP加入了輕量級(jí)CPU、NPU算力，可處理人臉識(shí)別、姿態(tài)識(shí)別等輕量級(jí)AI應(yīng)用；

M1 Max算力是M1 Pro的兩倍，能夠在端側(cè)處理更多的數(shù)據(jù)。

M1系列芯片在車載ADAS、影像類產(chǎn)品和后視鏡等方面都有SiC技術(shù)應(yīng)用落地。

安謀科技：“芯”機(jī)遇 NPU加速終端算力升級(jí)

安謀科技產(chǎn)品總監(jiān)鮑敏祺主要分享了端側(cè)AI應(yīng)用的新機(jī)遇，尤其是新的AIGC大模型帶來(lái)算力的提升，在圖像識(shí)別、信息總結(jié)、智能提示等方面展現(xiàn)出強(qiáng)大的SiC技術(shù)應(yīng)用功能，提升了使用SiC產(chǎn)品效率和用戶體驗(yàn)，使得端側(cè)AI應(yīng)用得到更多的關(guān)注和認(rèn)可。

安謀科技產(chǎn)品總監(jiān) 鮑敏祺

但目前這種新興SiC技術(shù)應(yīng)用仍面臨不小的挑戰(zhàn)：

一是算力限制：由于memory帶寬的限制，端側(cè)模型的大小通常在1-3B之間，高帶寬場(chǎng)景下可達(dá)7B。

二是成本與功耗：存儲(chǔ)介質(zhì)、計(jì)算資源的成本和功耗是端側(cè)AI面臨的主要挑戰(zhàn)；

三是軟件成熟度：需要不斷迭代優(yōu)化，以抓住最重要的目標(biāo)客戶。

安謀科技周易NPU針對(duì)智能汽車、手機(jī)PC、AIOT等場(chǎng)景分別采用了不一樣的SiC技術(shù)應(yīng)對(duì)策略。

智能汽車策略：安謀科技針對(duì)智能汽車領(lǐng)域提供了全面的SiC技術(shù)解決方案應(yīng)對(duì)智艙一體化趨勢(shì)，涵蓋了GPU渲染、前級(jí)攝像頭處理、以及安全性相關(guān)的SPU和VPU需求。

AI加速卡策略：設(shè)計(jì)注重安全性，支持高效的圖像和視頻輸入處理，以及JPEG解碼能力。根據(jù)SiC技術(shù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同（如NVME存儲(chǔ)、車載、手機(jī)等），加速卡的功耗和尺寸受到嚴(yán)格控制，保證足夠的算力輸出和整體SiC技術(shù)方案的多樣性，支持未來(lái)多模態(tài)模型的SiC技術(shù)需求。

AIOT場(chǎng)景策略：由于面積和功耗的限制，算力需求相對(duì)較低，但對(duì)安全性的要求更高。安謀科技的SiC技術(shù)解決方案?jìng)?cè)重于提供低功耗、高安全性的AI加速能力，適用于聲音和圖像檢測(cè)等輕量級(jí)任務(wù)

周易NPU能夠根據(jù)需求裁剪IP，支持從20 TOPS到320 TOPS的算力范圍，以適應(yīng)不同的SiC技術(shù)應(yīng)用場(chǎng)景。

鮑敏祺還提到，針對(duì)下一代周易NPU，安謀科技已布局Wenxin、Llama、GPT等模型，在端側(cè)可覆蓋Pad、PC、Mobile，可以從實(shí)際場(chǎng)景匹配相應(yīng)的算力和模型需求，匹配最合適的SiC產(chǎn)品形態(tài)。

清純半導(dǎo)體：車載SiC技術(shù)最新發(fā)展趨勢(shì)

清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司市場(chǎng)經(jīng)理詹旭標(biāo)在演講中回顧了新能源汽車行業(yè)的快速增長(zhǎng)，分析了目前SiC在主驅(qū)應(yīng)用中的市場(chǎng)接受度。

清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司市場(chǎng)經(jīng)理 詹旭標(biāo)

SiC技術(shù)因其低導(dǎo)通電阻、低開(kāi)關(guān)損耗等優(yōu)勢(shì)，整個(gè)電機(jī)控制系統(tǒng)有望能降低70%損耗，從而增加5%的行駛里程，已成為提升續(xù)航里程和解決補(bǔ)能焦慮的關(guān)鍵，詹旭標(biāo)指出SiC產(chǎn)品上車已成為行業(yè)共識(shí)。

詹旭標(biāo)還詳細(xì)分析了SiC產(chǎn)業(yè)及技術(shù)現(xiàn)狀，對(duì)比了國(guó)內(nèi)外主流SiC MOSFET技術(shù)的平面柵與溝槽柵結(jié)構(gòu)優(yōu)缺點(diǎn)，以及國(guó)際廠家的SiC技術(shù)迭代路線。

目前整個(gè)SiC產(chǎn)品市場(chǎng)仍然是以國(guó)外企業(yè)占主導(dǎo)地位。頭部5家外資企業(yè)市場(chǎng)份額合計(jì)高達(dá)91.9%，按Top 10算市場(chǎng)份額更高，國(guó)內(nèi)企業(yè)的SiC產(chǎn)品占比非常小。

不管外資還是內(nèi)資廠商，均在大力擴(kuò)充產(chǎn)能，Wolfspeed規(guī)劃投入64億美元，英飛凌總投資達(dá)到50億歐元，國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)能規(guī)劃大概是1000億，但過(guò)于分散。

大面積的擴(kuò)產(chǎn)，也導(dǎo)致SiC產(chǎn)業(yè)逐步開(kāi)始內(nèi)卷。根據(jù)預(yù)測(cè)，2026年國(guó)內(nèi)襯底的規(guī)劃產(chǎn)能約460萬(wàn)片，能滿足約3000萬(wàn)輛新能源汽車的需求，產(chǎn)能將嚴(yán)重過(guò)剩，而目前SiC器件的價(jià)格已在快速下降的過(guò)程中。比如從2023年9月份到2024年4月份，SiC市場(chǎng)熱賣的1200V/40mΩ SiC MOS管，平均價(jià)格從約35元跌到23元左右，下降幅度約35%，僅為硅基IGBT價(jià)格的1.5-2倍，即將抵達(dá)觸發(fā)SiC市場(chǎng)變革的臨界點(diǎn)。

從SiC技術(shù)路線角度看，主要分為兩種技術(shù)流派。

第一種是平面柵結(jié)構(gòu)的SiC器件，以Wolfspeed、ST、Onsemi等廠商為代表，特點(diǎn)是工藝成熟，可靠性高，平面柵結(jié)構(gòu)的MOSFET目前也是新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域出貨量最大的；

第二種是溝槽柵結(jié)構(gòu)的SiC器件，ROHM、英飛凌、博世為代表，相比于平面柵結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)是比導(dǎo)通電阻（Rsp）更低。

從最近十年的SiC技術(shù)發(fā)展歷史看，每隔3-6年就會(huì)迭代一次，每次迭代導(dǎo)通電阻大概下降20%-25%，目前主流國(guó)際大廠的技術(shù)水平，如1200V SiC的Rsp約2.3~2.8mΩ，國(guó)內(nèi)廠商約2.8~3.3mΩ。

清純半導(dǎo)體基本上是以1年1代的節(jié)奏快速迭代，第一代SiC產(chǎn)品Rsp約3.3mΩ，2023年第二代SiC產(chǎn)品已到2.8mΩ左右，今年會(huì)發(fā)布第三代SiC產(chǎn)品，Rsp可以做到2.4mΩ，可完全對(duì)齊國(guó)際巨頭最先進(jìn)的SiC技術(shù)水平，且針對(duì)主驅(qū)領(lǐng)域推出了24/25/27/30平方毫米等多個(gè)尺寸的SiC產(chǎn)品。

詹旭標(biāo)最后總結(jié)到，目前SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常迅猛，SiC功率器件在光儲(chǔ)充的國(guó)產(chǎn)替代已經(jīng)大批量應(yīng)用，部分企業(yè)已率先完成100%國(guó)產(chǎn)替代，車規(guī)級(jí)SiC MOSFET技術(shù)與產(chǎn)能已對(duì)標(biāo)國(guó)際水平，主驅(qū)芯片國(guó)產(chǎn)替代已經(jīng)起步，但由于種種原因，乘用車主驅(qū)SiC MOSFET仍依賴進(jìn)口。

國(guó)內(nèi)在SiC材料、器件領(lǐng)域已進(jìn)入內(nèi)卷和洗牌快車道，激烈的競(jìng)爭(zhēng)促使國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)品價(jià)格快速下降、質(zhì)量不斷提高、SiC產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大，相信未來(lái)2~3年后局面肯定會(huì)大幅改善，并最終主導(dǎo)全球供應(yīng)鏈。

結(jié)語(yǔ)

本次年度論壇，一眾企業(yè)為我們展示了其最新的SiC產(chǎn)品和SiC技術(shù)，一起為半導(dǎo)體SiC產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)了一場(chǎng)科技盛宴，同時(shí)也描繪了各類芯片產(chǎn)品在新能源汽車、AI大數(shù)據(jù)、光儲(chǔ)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域應(yīng)用潛力，尤其是SiC產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展和進(jìn)步令人印象深刻，也讓從業(yè)者倍感振奮。

本文為嗶哥嗶特資訊原創(chuàng)文章，未經(jīng)允許和授權(quán)，不得轉(zhuǎn)載

審核編輯 黃宇