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淺談瑞盟科技·MS8816/MS8816P

王子文 ? 來源:jf_30348363 ? 作者:jf_30348363 ? 2025-02-08 16:39 ? 次閱讀

概述:

MS8816/MS8816P 采用先進(jìn)的制造工藝,功耗低,可靠性高,隔離度好。該

電路包含 8×16 個(gè)模擬開關(guān)陣列,7 到 128 個(gè)地址譯碼和鎖存電路。通過不同的

地址信號(hào),可以對(duì) 128 個(gè)開關(guān)尋址。DATA 端口輸入邏輯電平“1”或“0”,可對(duì)

模擬開關(guān)打開或關(guān)閉。模擬信號(hào)范圍從 VDD 到 VEE。還可以通過芯片 CS,允許對(duì)

芯片開關(guān)陣列擴(kuò)展。

芯片特性

■ 內(nèi)含控制鎖存器,地址譯碼

■ 很短的建立時(shí)間和保持時(shí)間

■ 寬電壓范圍:4.5V~13.2V

■ 12Vpp 模擬信號(hào)

■ Ron 最大 65Ω@VDD=12V,25℃

■ ⊿Ron≤10Ω@VDD=12V,25℃

■ 低失真,全 CMOS 開關(guān)

■ 小的饋通和串?dāng)_

■ 獨(dú)立的模擬數(shù)字參考電壓源

芯片應(yīng)用:

■ 按鍵系統(tǒng)

■ PBX 系統(tǒng)

■ 模擬/數(shù)字多路開關(guān)

音頻/視頻開關(guān)

■ 移動(dòng)設(shè)備

■ 測(cè)試設(shè)備

芯片系統(tǒng)框圖:

wKgZO2eHVFuAWXzWAACO1_qiOW4034.png

封裝信息:

wKgZO2eHVG2AI7tJAABmTb544DM957.png

管腳描述:

wKgZPGeIaa6AAiCQAAB8KGjKIUM199.png

wKgZO2eIcCSAEl2FAALIFfmx2Og592.png

功能描述:

MS8816/MS8816P是一個(gè)8×16模擬開關(guān)矩陣電路。開關(guān)矩陣是Y方向8列,X方

向16行。當(dāng)開關(guān)斷開時(shí),模擬開關(guān)陣列相應(yīng)X行和Y行之間實(shí)現(xiàn)絕對(duì)的隔離;當(dāng)開

關(guān)接通時(shí),X行和Y行之間相連。

控制寄存器由一個(gè)128位可寫RAM組成,其位數(shù)可通過地址輸入線

(AX0-AX3,AY0-AY2)來選擇。數(shù)據(jù)由DATA端口寫入到存儲(chǔ)器。當(dāng)STROBE和CS輸

入為高電平時(shí),不同的數(shù)據(jù)可以寫入DATA端口,在STROBE下降沿,數(shù)據(jù)被鎖存,

為確保有效寫入,在下降沿前數(shù)據(jù)端口必須保持穩(wěn)定。當(dāng)邏輯“1”寫入存儲(chǔ)單

元時(shí),就把相應(yīng)的交叉點(diǎn)開關(guān)導(dǎo)通;當(dāng)邏輯“0”寫入存儲(chǔ)單元時(shí),就把相應(yīng)的

交叉點(diǎn)開關(guān)斷開。當(dāng)數(shù)據(jù)寫入到存儲(chǔ)器,被尋址的存儲(chǔ)器位置的交叉點(diǎn)的狀態(tài)改

變。其余的的開關(guān)保持原先的狀態(tài)。在控制器寫入不同的數(shù)據(jù),可以得到X和Y

不同組合。當(dāng)RESET輸入邏輯“1”,CS不管任何狀態(tài),關(guān)閉所有開關(guān),存儲(chǔ)器的

數(shù)據(jù)清零。兩個(gè)電壓參考腳(VSS和VEE)可以提供MS8816/MS8816P負(fù)的模擬信號(hào)。

數(shù)字信號(hào)電壓范圍從VDD到VSS,模擬信號(hào)的電壓范圍從VDD到VEE。如果只有一個(gè)

電源時(shí),可以把VSS和VEE接到一起。

地址譯碼:

在STROBE和CS使能信號(hào)的控制下,7根地址線輸入到7-128地址譯碼器。DATA經(jīng)過

緩沖以后作為所有儲(chǔ)存器的輸入。當(dāng)RESET低電平同時(shí)CS高電平下,數(shù)據(jù)和地址

才可以寫入鎖存器,數(shù)據(jù)在STROBE下降沿鎖存。只有當(dāng)STROBE高電平的時(shí)候,數(shù)

據(jù)才可以寫入,開關(guān)可以打開和關(guān)閉。為保證數(shù)據(jù)有效寫入,STROBE下降沿之前

應(yīng)保持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定。

極限參數(shù)

(長(zhǎng)時(shí)間工作在極限狀態(tài)下,會(huì)影響電路使用壽命)

wKgZO2eIrT-AKQOrAAB6ijVU4xY595.png

推薦條件

wKgZO2eIrVOAIv_TAABjdRmHzlw069.png

直流參數(shù) (VEE=VSS=0V,VDD=12V)

wKgZPGem_RWASxgXAAEo3Diq2X0166.png

直流參數(shù)-導(dǎo)通電阻

wKgZPGem_b6AHtesAADD3fZDM9A894.png

交流參數(shù)-交叉點(diǎn)性能

(VEE=-7V,VDD=5V,VSS=0V)

wKgZPGem_fWARabPAAHKwoijKW0491.png

交流參數(shù)-時(shí)序控制

VEE=-7V,VDD=5V,VSS=0V)

wKgZPGem_guAQmJ_AAC2F22LryE342.png

wKgZPGem_jCAemVwAAFZXKu2IsY856.png

wKgZPGem_jqAQY06AACe3lRTS_w936.png

地址譯碼真值表

wKgZPGem_lqAQpf_AAEoBiT9PUg895.png

封裝信息:

PLCC44

wKgZO2em_z6AYo0MAAFc_lERxrk498.png

LQFP44:

wKgZPGenAJuAVHChAAHX0JoZbu4162.png

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇

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