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凝聚前行攜手共贏 | 耐高溫絕緣氮化硼導(dǎo)熱墊片

向欣電子 ? 2025-01-22 07:20 ? 次閱讀
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電子器件高頻、高速和集成電路技術(shù)的迅猛發(fā)展,電子元器件的總功率密度急劇增加,而物理尺寸卻越來越小。由此帶來的高溫環(huán)境不可避免地對電子元器件的性能產(chǎn)生影響,因此需要更有效的熱控制方法。解決電子元器件散熱問題成為當(dāng)前的重點(diǎn)任務(wù)。電子元器件的高效散熱問題主要受傳熱學(xué)和流體力學(xué)原理的影響。電氣器件的散熱是控制電子設(shè)備運(yùn)行溫度,從而保證其溫度性能和安全性的過程。這涉及散熱和材料等多個方面的內(nèi)容。目前主要的散熱方式包括自然散熱、強(qiáng)制散熱、液體散熱、制冷散熱、疏導(dǎo)散熱和熱管散熱等。

而隨著需求的增長、應(yīng)用場景的多元化,以及內(nèi)部IGBT集成件化、微型化等發(fā)展趨勢,電子電氣產(chǎn)品正面臨著更為嚴(yán)峻的“熱度”挑戰(zhàn)。作為變頻技術(shù)的主要應(yīng)用之一,變頻空調(diào)依托變頻器內(nèi)的IPM、IGBT、二極管等高功率元器件,實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)壓縮機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)速度,實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的節(jié)能性和溫度均勻性,近年來逐步成為市場主流。

單管IGBT和IGBT模塊對產(chǎn)品安全、可靠性提出耐高溫、散熱性優(yōu)、工作溫度范圍廣、使用壽命長等更高要求。芯片的散熱主要通過IGBT模塊中的陶瓷基板來實(shí)現(xiàn),其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導(dǎo)至熱沉上,從而實(shí)現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換,對于熱界面材料有耐高溫阻燃高導(dǎo)熱高絕緣的要求。

熱界面材料的選擇(Thermal Interface Material, TIM)

選擇理想的熱界面材料需要關(guān)注以下因素:

1)熱導(dǎo)率:熱界面材料的體熱導(dǎo)率決定了它在界面間傳遞熱量的能力,減少熱界面材料本身的熱阻;

2)熱阻:理想情況下應(yīng)盡可能低,以保持設(shè)備低于其工作溫度;

3)導(dǎo)電性:通常是基于聚合物或聚合物填充的不導(dǎo)電材料;

4)相變溫度:固體向液體轉(zhuǎn)變,界面材料填充空隙,保證所有空氣被排出的溫度;

5)粘度:相變溫度以上的相變材料粘度應(yīng)足夠高,以防止在垂直方向放置時(shí)界面材料流動滴漏;

6)工作溫度范圍:必須適應(yīng)應(yīng)用環(huán)境;

7)壓力:夾緊產(chǎn)生的安裝壓力可以顯著改善TIM的性能,使其與表面的一致性達(dá)到最小的接觸電阻;

8)排氣:當(dāng)材料暴露在高溫和/或低氣壓下時(shí),這種現(xiàn)象是揮發(fā)性氣體的釋放壓力;

9)表面光潔度:填充顆粒影響著界面的壓實(shí)和潤濕程度,需要更好地填補(bǔ)了不規(guī)則表面的大空隙;

10)易于應(yīng)用:容易控制材料應(yīng)用的量;

11)材料的機(jī)械性能:處于膏狀或液態(tài)易于分配和打?。?/strong>

12)長期的穩(wěn)定性和可靠性:需要在設(shè)備的整個壽命周期內(nèi)始終如一地執(zhí)行(如微處理器7-10年,航空電子設(shè)備和電信設(shè)備的壽命預(yù)計(jì)為數(shù)十年);13)成本:針對不同應(yīng)用,在性能、成本和可制造性等因素進(jìn)行綜合權(quán)衡。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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