安森美新型SiC模塊評估板概述
碳化硅（SiC）技術(shù)正引領(lǐng)一場革新，為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的潛力，安森美（onsemi）推出了一系列評估板，速來一起探索。
1200V M3S半橋2-pack模塊
此評估板旨在測試安森美采用F1封裝的1200V M3S半橋2-pack模塊。M3S SiC （碳化硅）模塊是快速開關(guān)應(yīng)用的理想之選。該評估板支持雙脈沖開關(guān)測量和半橋模塊的開環(huán)功率測試，還可以連接到外部控制器以提供PWM輸入并處理故障信號。
1200V 2-PACK、TNPC SiC MOSFET模塊評估板
該評估板專為測試采用F2封裝的1200 V M3S，3電平TNPC模塊而設(shè)計。
雙脈沖測試 (DPT) 評估板
該評估板旨在對比采用各種分立封裝的安森美SiC MOSFET和IGBT的性能。
全面的 900-1200V EliteSiC 功率集成模塊（PIM）
EliteSiC功率模塊針對關(guān)鍵拓撲設(shè)計，能夠為直流快充（DCFC）、儲能系統(tǒng)（ESS）、不間斷電源（UPS）和光伏逆變器等應(yīng)用提供從25 kW~100 kW的可擴展功率輸出。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
安森美
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1838瀏覽量
94845 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3394瀏覽量
67334 -
評估板
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
836瀏覽量
30739 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
3215瀏覽量
51400
原文標題：安森美新型SiC 模塊評估板實力出圈，電力電子工程師必看！
文章出處：【微信號：onsemi-china，微信公眾號：安森美】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
安森美邀您相約PCIM Asia 2025
為了縮短電動汽車的充電時間，業(yè)界正在轉(zhuǎn)向直流快速充電樁(DCFC)和超快速充電樁。安森美的100kW直流超快充電模塊（DCFC）采用先進的SiC MOSFET技術(shù)與液冷散熱系統(tǒng)，兼具卓越性能、超高效率與寬電壓范圍，可匹配電動汽車
安森美SiC MOSFET模塊在牽引逆變器的應(yīng)用
。盡管 IGBT 和碳化硅都是牽引逆變器系統(tǒng)的可行選擇，但逆變器在整個牽引系統(tǒng)中的效率與性能表現(xiàn)，仍受多種因素影響。在牽引逆變器的設(shè)計中，轉(zhuǎn)換效率和峰值功率是兩大核心考量。本文將聚焦安森美(onsemi) 解決方案的特性和優(yōu)勢展開講解。
安森美EliteSiC SPM31智能功率模塊有哪些亮點
隨著電氣化浪潮席卷全球，人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長，使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列，將為行業(yè)降
安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動態(tài)特性
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性
安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性
安森美SiC JFET共源共柵結(jié)構(gòu)詳解
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨特功能和設(shè)計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。
?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊
安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
安森美SiC cascode JFET并聯(lián)設(shè)計的挑戰(zhàn)
隨著Al工作負載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計指南。本文將繼續(xù)講解并聯(lián)的挑戰(zhàn)。
安森美SiC Cascode JFET的背景知識和并聯(lián)設(shè)計
隨著Al工作負載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵
安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側(cè)重于
安森美兩大最新功率模塊系列解讀
安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導(dǎo)體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31IPM，QDual3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術(shù)，主要性能拉滿，形成業(yè)內(nèi)獨特的領(lǐng)先優(yōu)勢。
安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)
近日，安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項重要的收購計劃，以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)
揭秘安森美在SiC市場的未來布局
地普及到更多的電動汽車上。SiC市場面臨哪些機遇?安森美(onsemi)在SiC市場的未來布局如何？一起來看下。
安森美封裝技術(shù)進階，解鎖SiC性能上限
的有力市場競爭者。本文將聚焦于SiC材料的卓越屬性，探討安森美（onsemi）系列先進的封裝技術(shù)為加速SiC導(dǎo)入新能源領(lǐng)域應(yīng)用提供的參考范例。
細數(shù)安森美重磅功率器件產(chǎn)品
由世紀電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會”將于2024年12月07日在深圳隆重舉辦。安森美（onsemi）憑借領(lǐng)先的功率器件入圍國際功率器件行業(yè)卓越獎、功率器件-SiC行業(yè)優(yōu)秀獎兩項大獎，一起細數(shù)安森美領(lǐng)先的功率器產(chǎn)品
工商網(wǎng)監(jiān)
評論