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高通推動5G,臺積電全方位途徑推進摩爾定律延伸

電子工程師 ? 來源:未知 ? 作者:龔婷 ? 2018-03-15 09:11 ? 次閱讀
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摩爾定律引領(lǐng)下的集成電路生產(chǎn)正在逼近物理定律的極限,芯片產(chǎn)業(yè)迫切需要注入新的活力。創(chuàng)新與合作是永久的話題,通過解決散熱問題、尋找新材料與設(shè)計結(jié)構(gòu)創(chuàng)新以及更大規(guī)模的合作,沿著摩爾定律的道路繼續(xù)向前推進。

11日,中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(CSTIC 2018)如約在上海國際會議中心拉開帷幕。今年CSTIC邀請FinFET發(fā)明家、微電子科學(xué)家胡正明教授、高通副總裁PR Chidi Chidamabaram、臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁張曉強以及英特爾技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁Zhiyong Ma,就制造工藝、新材料等方面進行大會主題演講。

高通:推動5G呼吁擴大行業(yè)合作

半導(dǎo)體IC版圖繼續(xù)擴大。高通副總裁PR Chidi Chidamabaram表示,移動平臺繼續(xù)推動IC技術(shù)發(fā)展,預(yù)計2017年到2021年累計智能手機出貨量將超過85億支。隨著智能移動平臺技術(shù)的復(fù)雜性和規(guī)模,手機內(nèi)置IC種類從5種增加到35種之多。

近期,除驍龍700芯片外,高通展示了其在德國和美國之間的5G網(wǎng)絡(luò)實驗,從原瀏覽下載速度4G均值的71Mbps提升到5G均值的1.4Gbps,延時均值從115毫秒降至4.9毫秒,利用5G速度開發(fā)更多全新的高速服務(wù)和應(yīng)用,帶來更豐富的體驗。但是,未來通信芯片在講求運算效能之際也將同時面臨移動設(shè)備的散熱問題,功率和性能將會受到溫度的影響。他認為,這需要通過降低系統(tǒng)級功率的方式解決芯片溫控問題,如使用低溫隔熱墊片。

他認為,未來技術(shù)仍需要按比例縮小以同時滿足“功率、性能、面積、成本”(PPAC)的最佳方案。但隨著技術(shù)節(jié)點微縮,將會導(dǎo)致成本上漲,從130納米到10納米[單位的統(tǒng)一],其開發(fā)成本就由2億美元到15億美元,因此也使得有實力投資研發(fā)的企業(yè)驟減,已從29個減少至6個,將來可能會更少。與IDM和代工廠的合作形式都還太小,企業(yè)需要更大規(guī)?!昂献鳌辈拍芾^續(xù)取得成功。

臺積電:全方位途徑推進摩爾定律延伸

首獲英特爾院士稱號的華人半導(dǎo)體專家、臺積電事業(yè)發(fā)展部副總裁張曉強表示,技術(shù)擴展需要導(dǎo)入更多創(chuàng)新材料和設(shè)計結(jié)構(gòu)以實現(xiàn)最佳的效益。而臺積電也將采取全方位途徑繼續(xù)在推進摩爾定律發(fā)展過程中,求取芯片成本與效能的最佳平衡點。

他也提到,在靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)中,隨著內(nèi)存帶寬需求越來越具有挑戰(zhàn)性,計算引擎的數(shù)量將繼續(xù)增長。SRAM未來仍將嵌入式存儲器扮演主要角色,其具備速度優(yōu)勢以及與邏輯IC之間兼容特性,使得盡管MRAM、RRAM等新興存儲崛起,短期內(nèi)仍將扮演互補角色不會取而代之。

對于FinFET次世代的發(fā)展,張曉強也提到對于負電容場效應(yīng)晶體管(NCFET)的發(fā)展突破感到振奮。NCFET是下一代基于鐵電鉿氧化物的晶體管構(gòu)造,被外界視為可能是未來晶體管潛在技術(shù)。

英特爾:展現(xiàn)市場“老大”領(lǐng)先地位

英特爾技術(shù)與制造部副總裁Zhiyong Ma認為,數(shù)據(jù)是互聯(lián)網(wǎng)經(jīng)濟中的石油,半導(dǎo)體市場的大趨勢是所有事物達到隨時隨地互聯(lián)互通,來到萬物互聯(lián)的時代。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易(WSTS)統(tǒng)計,2016年全球半導(dǎo)體市場總銷售額共3389億元,亞洲地區(qū)為2084億美元,其中中國半導(dǎo)體消費額超過1075億美元,占全球總量32%。

近期,臺積電和三星頻繁宣布10nm甚至是7nm工藝方面的量產(chǎn)進展,作為芯片制造商“老大”,英特爾不僅接連展示10nm芯片產(chǎn)品,且在以色列南部投資320億元擴建10nm制造工廠,計劃在今年開始擴建工廠,于2020年完成擴建并投產(chǎn)。

Zhiyong Ma認為,材料創(chuàng)新是下一個新機遇。利用新材料和技術(shù),如應(yīng)變硅和高K金屬柵極(HKMG),提高IC性能和功能,英特爾也在連接帶導(dǎo)入新的材料元素如鈷來代替銅。他也展現(xiàn)英特爾在技術(shù)領(lǐng)先的市場優(yōu)勢,幾乎每個技術(shù)節(jié)點都領(lǐng)先競爭對手至少三年。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:摩爾定律如何“續(xù)命”?高通、臺積電、英特爾同臺論“藝”

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