LM66100-Q1 是一款單輸入、單輸出 （SISO） 集成理想二極管，非常適合各種應(yīng)用。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET，可在 1.5 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持 1.5 A 的最大連續(xù)電流。

芯片使能的工作原理是將 CE 引腳電壓與輸入電壓進行比較。當(dāng) CE 引腳電壓高于 VIN 時，器件禁用，MOSFET 關(guān)閉。當(dāng) CE 引腳電壓較低時，MOSFET 導(dǎo)通。LM66100-Q1 還帶有反極性保護 （RPP），可以保護器件免受誤接線輸入（如電池反接）的影響。
*附件：lm66100-q1.pdf

兩個 LM66100-Q1 器件可用于類似于雙二極管 ORing 實現(xiàn)的 ORing 配置。在這種配置中，器件將最高輸入電壓傳遞到輸出，同時阻止反向電流流入輸入電源。這些器件可以比較輸入和輸出電壓，以確保反向電流通過內(nèi)部電壓比較器被阻止。

LM66100-Q1 采用標(biāo)準(zhǔn) SC-70 封裝，其特點是在 –40°C 至 150°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)工作。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用：
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
• 寬工作電壓范圍：1.5 V–5.5 V
• VIN 上的反向電壓隔離：-6V 絕對最大值
• 最大連續(xù)電流 （I 麥克斯 ）： 1.5 安培
• 導(dǎo)通電阻 （R 上 ):
  • 5V V 電壓 在 = 79 mΩ（典型值）
  • 3.6V 電壓 在 = 91 mΩ（典型值）
  • 1.8V 電壓 在 = 141 mΩ（典型值）
• 比較器芯片使能 （CE)
• 通道狀態(tài)指示 （ST）
• 低電流消耗：
  • 3.6V 電壓在關(guān)斷電流 （I SD，VIN ）：120 nA（典型值）
  • 3.6V 電壓在靜態(tài)電流 （I Q、VIN ）：150 nA（典型值）

參數(shù)

方框圖

概述

LM66100-Q1是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計的單輸入單輸出（SISO）集成理想二極管，具有輸入極性保護功能。該設(shè)備包含一個P溝道MOSFET，可在1.5V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持最大1.5A的連續(xù)電流。LM66100-Q1通過了AEC-Q100認證，適用于車載信息娛樂系統(tǒng)、ADAS環(huán)視系統(tǒng)ECU、車身控制模塊和網(wǎng)關(guān)等多種應(yīng)用。

主要特性

• ?AEC-Q100認證?：適用于汽車應(yīng)用，環(huán)境工作溫度范圍為-40°C至125°C。
• ?寬工作電壓范圍?：1.5V至5.5V。
• ?反向電壓承受能力?：VIN端絕對最大值為-6V。
• ?低電流消耗?：
  • 3.6V VIN時的關(guān)斷電流（ISD,VIN）：120nA（典型值）
  • 3.6V VIN時的靜態(tài)電流（IQ,VIN）：150nA（典型值）
• ?最大連續(xù)電流?：1.5A
• ?低導(dǎo)通電阻?：5V VIN時典型值為79mΩ
• ?芯片使能（CE）功能?：通過比較CE引腳電壓和輸入電壓來控制MOSFET的開關(guān)狀態(tài)。
• ? 通道狀態(tài)指示（ST） ?：當(dāng)芯片禁用時，ST引腳輸出低電平。

應(yīng)用

• ?車載信息娛樂系統(tǒng)和集群顯示單元?
• ?ADAS環(huán)視系統(tǒng)ECU?
• ?車身控制模塊和網(wǎng)關(guān)?

功能描述

• ? 反向極性保護（RPP） ?：在輸入電壓為負時，理想二極管保持關(guān)閉狀態(tài)，防止電流流動，保護系統(tǒng)負載。
• ? 始終開啟的反向電流阻斷（RCB） ?：通過將CE引腳連接到VOUT，可以檢測并阻斷反向電流流動。
• ? 芯片使能（CE） ?：當(dāng)CE引腳電壓高于VIN時，設(shè)備禁用，MOSFET關(guān)閉；當(dāng)CE引腳電壓低于VIN時，MOSFET開啟。

設(shè)備功能模式

• ?關(guān)閉狀態(tài)?：當(dāng)CE引腳電壓高于VIN時，設(shè)備關(guān)閉，輸出高阻抗，ST引腳輸出低電平。
• ?開啟狀態(tài)?：當(dāng)CE引腳電壓低于VIN時，MOSFET開啟，允許電流從VIN流向VOUT，ST引腳為高阻抗?fàn)顟B(tài)。

典型應(yīng)用

• ?雙理想二極管ORing配置?：兩個LM66100-Q1設(shè)備可以組合使用，以實現(xiàn)兩個電源之間的ORing功能，同時提供反向電流保護。
• ?與離散MOSFET的ORing?：LM66100-Q1的狀態(tài)輸出可以用于控制外部P溝道MOSFET，實現(xiàn)更靈活的電源管理。

布局指南

• 所有走線應(yīng)盡可能短，以減少寄生電感的影響。
• 輸入和輸出電容應(yīng)靠近設(shè)備放置，以減小寄生跡線電感對正常操作的影響。
• 使用寬走線以最小化寄生電氣效應(yīng)。

文檔支持

• 提供了數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用指南和相關(guān)應(yīng)用筆記的支持鏈接。
• 用戶可以訂閱文檔更新通知，以獲取最新產(chǎn)品信息。

通過以上總結(jié)，用戶可以全面了解LM66100-Q1的主要特性、應(yīng)用、功能描述、設(shè)備功能模式、典型應(yīng)用以及布局指南。