傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊
傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界
關(guān)鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫運(yùn)行、高頻開關(guān)利器
在新能源革命與工業(yè)升級(jí)的浪潮中，高效、緊湊、可靠的功率轉(zhuǎn)換方案已成為產(chǎn)業(yè)剛需。傾佳電子攜手BASiC Semiconductor（基本半導(dǎo)體），為您帶來革命性的62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET功率模塊—— 一款專為極致性能而生的1200V/540A碳化硅解決方案，為您的下一代高端電力電子系統(tǒng)注入強(qiáng)勁動(dòng)能。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
8999瀏覽量
147231 -
BASIC
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
49瀏覽量
13145 -
SiC MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
115瀏覽量
6687
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
傾佳電子：BMF540R12KA3碳化硅SiC模塊全面取代英飛凌FF800R12KE7 IGBT模塊的深度分析報(bào)告
傾佳電子：BMF540R12KA3碳化硅SiC模塊全面取代英飛凌FF800
62mm封裝SiC模塊驅(qū)動(dòng)板BSRD-2503-ES01深度解析：產(chǎn)品力、競(jìng)爭(zhēng)定位與戰(zhàn)略應(yīng)用
62mm封裝SiC模塊驅(qū)動(dòng)板BSRD-2503-ES01深度解析：產(chǎn)品力、競(jìng)爭(zhēng)定位與戰(zhàn)略應(yīng)用 傾佳
傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊
傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET
傾佳電子SiC功率模塊：超大功率全橋LLC應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)深度分析報(bào)告
傾佳電子BMF540R12KA3 SiC功率模塊：超
BSRD-2503驅(qū)動(dòng)板解鎖62mm SiC碳化硅MOSFET功率模塊的極致性能
在追求高效、高功率密度與可靠性的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的開關(guān)性能和耐高溫特性，正迅速成為工業(yè)電源、新能源及高端
傾佳電子34mm與62mm封裝SiC MOSFET模塊及其DESAT隔離驅(qū)動(dòng)方案在固態(tài)斷路器（SSCB）應(yīng)用中的系統(tǒng)化分析
傾佳電子34mm與62mm封裝SiC
62mm封裝SiC MOSFET模塊在多領(lǐng)域應(yīng)用場(chǎng)景中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)價(jià)值分析
傾佳電子62mm封裝SiC MOSFET
傾佳電子行業(yè)洞察：中國(guó)SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的崛起如何重新定義行業(yè)熱點(diǎn)與技術(shù)路線
傾佳電子行業(yè)洞察：中國(guó)SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的崛起如何重新定義行業(yè)熱點(diǎn)與技術(shù)路線 一些曾被視為行業(yè)發(fā)
BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅(qū)動(dòng)方案介紹
BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅(qū)動(dòng)方案介紹
發(fā)表于 09-01 15:23
?0次下載
基于62mm碳化硅（SiC）模塊的大功率雙向DC-DC隔離電源
傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體62mm碳化硅（SiC）模塊，可以設(shè)計(jì)一個(gè)大
引領(lǐng)高效能新紀(jì)元：基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應(yīng)用
引領(lǐng)高效能新紀(jì)元：傾佳力推基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應(yīng)用 在電力電子技
SiC MOSFET功率模塊效率革命：傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時(shí)代
SiC MOSFET模塊革命：傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC
顛覆能效極限！BASiC SiC MOSFET工業(yè)模塊——重新定義高端電力電子系統(tǒng)
顛覆能效極限！基本股份BASiC SiC MOSFET工業(yè)模塊——重新定義高端電力電子系統(tǒng) 在光
BMF240R12E2G3成為新一代工商業(yè)儲(chǔ)能變流器（PCS）首選的SiC MOSFET功率模塊
BMF240R12E2G3憑借 低損耗、高耐壓、強(qiáng)散熱、高集成度及完整生態(tài)支持 ，成為工商業(yè)儲(chǔ)能PCS的理想選擇。其通過優(yōu)化動(dòng)態(tài)特性與熱管理，顯著提升系統(tǒng)效率、
CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級(jí)全碳
發(fā)表于 03-17 09:59
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論