電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，三安光電在投資者平臺上表示，其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國內(nèi)頭部電動車企客戶處的摸底模塊驗證已完成。

SiC MOSFET導(dǎo)通電阻的降低，意味著提高器件的開關(guān)效率，降低器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。根據(jù)Wolfspeed的數(shù)據(jù)，以100A電流為例，13mΩ 器件的導(dǎo)通損耗為 13W，較 16mΩ 的 16W 降低了 18.75%。

在實際使用中，更低的導(dǎo)通電阻直接轉(zhuǎn)化為更高的系統(tǒng)效率，特別是在像主驅(qū)逆變器這樣的高功率應(yīng)用中。

根據(jù)三安半導(dǎo)體的資料，目前三安的1200V 13mΩ車規(guī)級SiC MOSFET是其第三代產(chǎn)品，通過元胞結(jié)構(gòu)優(yōu)化，有效優(yōu)化了導(dǎo)通電阻×FoM（品質(zhì)因數(shù)），顯著提升器件綜合性能。

據(jù)湖南三安介紹，目前其SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)廣泛導(dǎo)入到汽車供應(yīng)鏈中，車載充電機(jī)、空調(diào)壓縮機(jī)用650V 35mΩ/50mΩ、750V 11mΩ、1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET已在十余家 Tier 1或整車廠客戶處送樣驗證或?qū)崿F(xiàn)小批量出貨。

目前，湖南三安已擁有6吋碳化硅配套產(chǎn)能16000片/月，8吋碳化硅襯底產(chǎn)能1000片/月、外延產(chǎn)能2000片/月，8吋碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中。

而三安光電與意法半導(dǎo)體合資企業(yè)安意法的SiC功率芯片產(chǎn)線也已經(jīng)在2025年2月實現(xiàn)通線，首次建設(shè)產(chǎn)能為2000片/月。為安意法提供碳化硅襯底的配套工廠重慶三安首次建設(shè)產(chǎn)能同為2000片/月，目前已經(jīng)開始逐步釋放產(chǎn)能。

今年一季度，三安光電營業(yè)收入為43.12億元，同比增長21.23%；歸母凈利潤為2.12億元，同比增長78.46%；毛利率16.33%，同比上升了1.73個百分點(diǎn)。

在2024年年報中，三安光電表示，湖南三安 6 吋襯底、外延的工藝及良率持續(xù)優(yōu)化，成本改善效果良好，向國際客戶出貨規(guī)模穩(wěn)健增長，8 吋襯底及外延已實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)并在客戶端驗證。公司持續(xù)推進(jìn)碳化硅襯底在 AI/AR 眼鏡、熱沉散熱（應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝基板、5G 基站等）等方向的應(yīng)用，與 AI/AR 眼鏡領(lǐng)域的國內(nèi)外終端廠商、光學(xué)元件廠商緊密合作，已向多家客戶送樣驗證，并持續(xù)優(yōu)化光吸收率、TTV 等關(guān)鍵參數(shù)。隨著該項業(yè)務(wù)的順利突破，公司將開辟新的增長點(diǎn)。

湖南三安已完成 650V/1200V/1400V/1700V/2000V、1A-100A 的全電壓電流的碳化硅二極管產(chǎn)品梯度建設(shè)，其中第五代高浪涌版本碳化硅二極管主要應(yīng)用于光伏領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)性能業(yè)界領(lǐng)先，已實現(xiàn)量產(chǎn)出貨，主要客戶包括陽光電源、上能、德業(yè)等；第六代低正向?qū)妷寒a(chǎn)品主要應(yīng)用于電源領(lǐng)域，成本進(jìn)一步優(yōu)化，具有更高的工作頻率及效率。公司已完成從 650V 到 2000V、13mΩ到 1000mΩ的全系列SiC MOSFET的產(chǎn)品布局，應(yīng)用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心及AI 服務(wù)器電源等工業(yè)級市場的 1200V 20mΩ/32mΩ/75mΩ，650V 27mΩ/35mΩ/50mΩ/65mΩ及1700V 1ΩSiCMOSFET 已實現(xiàn)量產(chǎn)，并已向重點(diǎn)客戶批量供貨，包括錦浪、華昱欣、盛能杰等光伏客戶，通合、科士達(dá)、致瞻等充電樁客戶，聯(lián)明、正浩、中恒等工業(yè)電源客戶，及臺達(dá)、光寶、長城、維諦技術(shù)等數(shù)據(jù)中心及 AI 服務(wù)器電源客戶。

另外，湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體一期產(chǎn)線已實現(xiàn)通線，全橋功率模塊已在 2025 年一季度實現(xiàn)批量下線。

在功率氮化鎵領(lǐng)域，三安光電面向消費(fèi)電子市場，迭代 650V 芯片技術(shù)平臺，以適配客戶端對高性價比的訴求，并成功導(dǎo)入到智能功率IC 等新型產(chǎn)品中。在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，拓展了 60A 及以上大電流器件方案，導(dǎo)入客戶端千瓦量級高功率密度服務(wù)器電源及工業(yè)電機(jī)的應(yīng)用驗證。在車用領(lǐng)域，公司積極與頭部車企及組件廠商共同探索 GaN 器件在汽車電子的應(yīng)用潛力，完成低壓（60-200V）器件技術(shù)平臺的定型，下一步開發(fā)針對車載激光雷達(dá)、動力電池系統(tǒng)等特定應(yīng)用場景的典型產(chǎn)品。同時，為應(yīng)對人形機(jī)器人等智能終端對功率器件的需求，公司將匹配開發(fā)低壓 GaN 器件及技術(shù)方案并導(dǎo)入應(yīng)用驗證。