chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

千伏時代來臨,SiC功率模塊站上風(fēng)口?

Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 來源:Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 作者:Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 2025-08-14 15:29 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

3月17日,比亞迪召開超級e平臺技術(shù)發(fā)布會。此次發(fā)布的核心亮點包括全新一代1500V碳化硅(SiC)功率模塊的量產(chǎn)應(yīng)用、兆瓦閃充及3萬轉(zhuǎn)電機的推出等,推動電車邁入千伏時代。

新時代:

兆瓦級閃充與3萬轉(zhuǎn)電驅(qū)系統(tǒng)

此次發(fā)布會,比亞迪開創(chuàng)了全球新能源汽車高壓架構(gòu)的新紀元:

兆瓦閃充系統(tǒng)的推出,重新定義電車的充電體驗:最大輸出電壓1000V、最大電流1000A、最大功率1000kW,充電效率突破行業(yè)極限。

wKgZPGidkE2AC22KAABNinB1SuM766.jpg

兆瓦閃充 圖/比亞迪汽車

全球首款量產(chǎn)3萬轉(zhuǎn)電機發(fā)布,展現(xiàn)了其在電機技術(shù)領(lǐng)域的絕對領(lǐng)先:單模塊最大功率580kW,峰值扭矩5500Nm,最高轉(zhuǎn)速30511rpm,功率密度達16.4kW/kg。

wKgZO2idkE2AF_55AABWMcCiWz0852.jpg

3萬轉(zhuǎn)電機 圖/比亞迪汽車

另外,為支撐兆瓦級閃充系統(tǒng)與3萬轉(zhuǎn)電驅(qū)系統(tǒng)的高效運行,比亞迪自研1500V SiC 芯片,實現(xiàn)全球首次量產(chǎn)最高耐壓SiC芯片應(yīng)用。

以上超級e平臺創(chuàng)新技術(shù)的發(fā)布,標志著比亞迪在核心三電系統(tǒng)實現(xiàn)了全面升級,成為全球首個量產(chǎn)乘用車“全域千伏高壓架構(gòu)”的品牌。

SiC功率模塊:

千伏平臺的基石

1000V高壓平臺對車規(guī)級功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來了深遠影響。

SiC(碳化硅)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,在功率密度、熱管理、載流能力和耐用性能等方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,并且已經(jīng)在市場應(yīng)用中積累了相當?shù)慕?jīng)驗。

這些優(yōu)勢正是比亞迪選擇開發(fā)SiC功率模塊用于1000V高壓平臺的主要原因。

wKgZPGidkE2ASr49AABbjyOEUyM797.jpg

1500V SiC 功率芯片 圖/比亞迪汽車

比亞迪此次推出的1500V SiC 功率芯片,采用雙面銀燒結(jié)工藝、高溫封裝技術(shù)、對稱晶圓布局及激光焊接工藝,結(jié)溫耐受能力達200°C,雜散電感降至5nH,峰值電流可達1000A,成為行業(yè)首次量產(chǎn)應(yīng)用的、最高電壓等級的車規(guī)級碳化硅功率芯片。

布局SiC模塊:

士蘭微、斯達半導(dǎo)等加速行動

隨著技術(shù)迭代和成本下降,SiC功率模塊正實現(xiàn)廣闊的應(yīng)用。據(jù)TrendForce集邦咨詢最新顯示,預(yù)估2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元(約648億人民幣)。

面對這一龐大市場,國內(nèi)功率模塊廠商正快速卡位 :

士蘭微:其8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目(一期)工程已封頂,年產(chǎn)能將達42萬片。目前,士蘭微的1200V 車規(guī)級SiC功率模塊已實現(xiàn)交付使用。

wKgZO2idkE6ARf-1AAe7wiwBVJE249.jpg

圖/士蘭微

斯達半導(dǎo):重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地項目正在推進。項目建成后年產(chǎn)能將達180萬片,其中包含車規(guī)級SiC模塊。此外,其1200V高壓平臺技術(shù)已進入批量應(yīng)用階段。

三安光電:8英寸SiC功率器件合資廠已投產(chǎn),規(guī)劃年產(chǎn)能48萬片。目前產(chǎn)能500片/周。

其他廠商:如華潤微、南瑞半導(dǎo)體等也已推出車規(guī)級1200V SiC功率模塊。

目前,新能源汽車領(lǐng)域在SiC功率模塊市場中占據(jù)重要地位,1200V SiC功率模塊已得到眾多廠商的廣泛布局。

未來,隨著千伏電車平臺的普及,盡管1200V SiC功率模塊仍能適用,但在某些極端條件和高效率需求的場景下,可能需要更高耐壓等級的器件。

比亞迪認為,在輸出電壓達到1000V的平臺下,功率模塊半橋的耐壓需達到1500V。

因此,車規(guī)級SiC功率模塊的耐壓要求可能進一步提升至1500V甚至2000V以上。相關(guān)廠商提前做好技術(shù)規(guī)劃和產(chǎn)品儲備顯得尤為重要。

小結(jié)

比亞迪超級e平臺的發(fā)布不僅是一次技術(shù)突破,更是中國在高壓電氣時代搶占先機的標志。技術(shù)迭代與應(yīng)用創(chuàng)新成為推動產(chǎn)業(yè)升級的核心動力。

未來,隨著技術(shù)迭代和成本下降,SiC功率模塊有望在新能源汽車、光伏逆變器、儲能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更廣泛的應(yīng)用,而中國企業(yè)在全球功率半導(dǎo)體市場的競爭力也將進一步提升,從“跟跑”實現(xiàn)“領(lǐng)跑”。

本文為嗶哥嗶特資訊原創(chuàng)文章,未經(jīng)允許和授權(quán),不得轉(zhuǎn)載,

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SiC功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    18

    瀏覽量

    10380
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    SiC MOSFET功率模塊效率革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代

    SiC MOSFET模塊革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代 34mm封裝BMF80R12RA3
    的頭像 發(fā)表于 07-29 09:57 ?337次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>效率革命:傾佳電子力推國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>開啟高效能新<b class='flag-5'>時代</b>

    深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

    深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護功能的“系統(tǒng)級”
    發(fā)表于 07-23 14:36

    基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:26 ?315次閱讀

    35KV千伏線路柱上式帶小電流接地選線功能的一二次融合開關(guān)ZW32-40.5斷路器

    35KV千伏線路柱上式帶小電流接地選線功能的一二次融合開關(guān)ZW32-40.5高壓斷路器生產(chǎn)廠家-陜西平高智能電氣有限公司
    發(fā)表于 06-11 14:33 ?1次下載

    熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

    熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級 在“雙碳”目標的驅(qū)動下,商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅(SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-09 07:07 ?509次閱讀
    熱泵與空調(diào)全面跨入<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>時代</b>:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

    基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

    亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-08 11:13 ?710次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>的高效、高可靠PCS解決方案

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性

    國產(chǎn)SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?845次閱讀
    國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>全面取代進口IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的必然性

    35千伏光纜是否帶絕緣

    35千伏光纜本身通常不帶有傳統(tǒng)的電力絕緣層,但其設(shè)計結(jié)合了電力傳輸與光纖通信的功能,并通過特殊結(jié)構(gòu)滿足安全與性能要求。以下為具體說明: 一、35千伏光纜的結(jié)構(gòu)特點 35千伏光纜,如OPGW
    的頭像 發(fā)表于 04-10 10:11 ?483次閱讀

    質(zhì)量亂象:未通過可靠性關(guān)鍵實驗的國產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果

    質(zhì)量亂象:未通過可靠性關(guān)鍵實驗的國產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果 國產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊
    的頭像 發(fā)表于 04-02 18:24 ?564次閱讀
    質(zhì)量亂象:未通過可靠性關(guān)鍵實驗的國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>應(yīng)用隱患與后果

    CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE

    CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅(SiC)半橋
    發(fā)表于 03-17 09:59

    SiC MOSFET的靜態(tài)特性

    商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強,在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 15:53 ?1135次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET的靜態(tài)特性

    國產(chǎn)SiC模塊賦能充電樁電源模塊功率等級跳躍和智能電網(wǎng)融合

    綜合分析充電樁電源模塊功率等級發(fā)展趨勢及國產(chǎn)SiC模塊的關(guān)鍵作用,國產(chǎn)SiC模塊賦能充電樁電源
    的頭像 發(fā)表于 03-05 16:50 ?701次閱讀
    國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>賦能充電樁電源<b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>功率</b>等級跳躍和智能電網(wǎng)融合

    瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊

    日前,瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2),為光等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率
    的頭像 發(fā)表于 03-01 09:27 ?1083次閱讀
    瞻芯電子推出2000V <b class='flag-5'>SiC</b> 4相升壓<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

    BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發(fā)表于 01-16 14:32 ?2次下載

    SiC模塊封裝技術(shù)解析

    較多的闡述,比如IGBT模塊可靠性設(shè)計與評估,功率器件IGBT模塊封裝工藝技術(shù)以及IGBT封裝技術(shù)探秘都比較詳細的闡述了功率模塊IGBT
    的頭像 發(fā)表于 01-02 10:20 ?1459次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>封裝技術(shù)解析