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維也納整流器技術(shù)深度解析:起源、演進(jìn)與SiC碳化硅應(yīng)用

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-08-24 18:08 ? 次閱讀
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傾佳電子維也納整流器技術(shù)深度解析:起源、演進(jìn)與SiC碳化硅MOSFET應(yīng)用

傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)!

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)!

摘要

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本報(bào)告旨在對(duì)維也納整流器(Vienna Rectifier)這一電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵拓?fù)溥M(jìn)行全面而深入的分析。報(bào)告將追溯其起源,詳述其固有的三電平技術(shù)特點(diǎn),剖析其在控制、功率因數(shù)校正(PFC)和效率上的核心優(yōu)勢(shì)。此外,報(bào)告將探討其在電動(dòng)汽車充電、新能源并網(wǎng)等高功率應(yīng)用中的發(fā)展方向,并與T型等主要競品拓?fù)溥M(jìn)行橫向比較,揭示其各自的戰(zhàn)略定位。尤其值得關(guān)注的是,本報(bào)告將重點(diǎn)量化分析碳化硅(SiC)MOSFET在維也納PFC電路中的應(yīng)用,通過詳細(xì)的數(shù)據(jù)對(duì)比,闡明SiC技術(shù)如何顯著提升系統(tǒng)的開關(guān)頻率、峰值效率和功率密度,并降低損耗,從而使其在未來高壓、高功率密度應(yīng)用中保持領(lǐng)先地位。

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引言:電力電子變換前沿與維也納整流器的核心地位

背景:電力電子與電網(wǎng)質(zhì)量

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現(xiàn)代工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用對(duì)高功率設(shè)備的依賴日益增加,隨之而來的是對(duì)電能質(zhì)量的更高要求 。傳統(tǒng)的非線性整流器,如簡單的二極管橋,會(huì)向電網(wǎng)注入大量諧波電流,這不僅會(huì)導(dǎo)致電網(wǎng)熱損耗和污染,還可能引發(fā)設(shè)備故障甚至斷電 。為了解決這一問題,有源功率因數(shù)校正(Active Power Factor Correction, APFC)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,其核心目標(biāo)是在AC/DC轉(zhuǎn)換過程中實(shí)現(xiàn)單位功率因數(shù)并顯著降低電流諧波含量 。在眾多APFC拓?fù)渲校S也納整流器作為一種三相三電平拓?fù)?,因其卓越的性能而脫穎而出,被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、電信和新能源等高功率領(lǐng)域 。

維也納整流器的研究價(jià)值與報(bào)告目的

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維也納整流器以其高效率、低諧波、高功率密度和結(jié)構(gòu)簡潔等優(yōu)點(diǎn),在單向功率流動(dòng)的應(yīng)用中占據(jù)了重要地位 。然而,其拓?fù)涔逃械闹悬c(diǎn)電位不平衡等挑戰(zhàn)也限制了其應(yīng)用范圍 。近年來,隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料(如碳化硅SiC)的興起,維也納整流器的性能潛力被進(jìn)一步挖掘,其在效率、功率密度和可靠性方面實(shí)現(xiàn)了顯著飛躍 。本報(bào)告旨在全面闡述維也納整流器的核心技術(shù)脈絡(luò),并重點(diǎn)剖析SiC器件對(duì)其性能的革命性影響,為行業(yè)內(nèi)研發(fā)和設(shè)計(jì)人員提供一份權(quán)威的技術(shù)參考。

第一章:維也納整流器的歷史溯源與拓?fù)浣馕?/p>

1.1 起源:J. W. Kolar教授的開創(chuàng)性工作

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維也納整流器由J. W. Kolar教授于1993年在奧地利維也納技術(shù)大學(xué)(TU Wien)發(fā)明,并于1994年正式提出了其三電平單向功率傳輸?shù)恼魍負(fù)?。Kolar教授的研究生涯一直致力于超緊湊、高效率的寬禁帶半導(dǎo)體變換器系統(tǒng)研究 ,維也納整流器正是其早期代表性成果之一。

維也納整流器的誕生并非偶然,而是針對(duì)傳統(tǒng)六開關(guān)變換器在特定應(yīng)用場景下的性能瓶頸所提出的定向解決方案。在那些不要求能量回灌(即單向功率流)的場合,傳統(tǒng)的六開關(guān)全控整流器雖然功能全面,但其冗余的開關(guān)管數(shù)量和復(fù)雜的控制策略增加了成本和損耗 。

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維也納整流器的核心理念是在不犧牲性能的前提下,通過集成一個(gè)升壓變換器和一個(gè)三相二極管橋,僅使用三個(gè)可控開關(guān),便可實(shí)現(xiàn)與六開關(guān)變換器相媲美的PFC性能 。這種有意識(shí)的工程權(quán)衡——以犧牲雙向性換取更高的效率、更簡單的結(jié)構(gòu)和更低的成本——正是其設(shè)計(jì)的精髓,也是其在特定市場(如電信電源、高功率PFC)取得成功的根本原因。

1.2 核心拓?fù)渑c工作原理

維也納整流器是一種三相三電平三開關(guān)的脈寬調(diào)制(PWM)整流器 。其基本拓?fù)溆扇嘟涣鱾?cè)電感、一個(gè)由六個(gè)不可控二極管組成的三相二極管橋、以及三個(gè)連接到直流側(cè)電容中點(diǎn)的雙向開關(guān)構(gòu)成 。每個(gè)相橋臂由兩個(gè)二極管和一個(gè)雙向開關(guān)組成,其中雙向開關(guān)通常由兩個(gè)反向串聯(lián)的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)或MOSFET組成 。

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其工作原理是,每個(gè)相橋臂的電流方向由輸入交流電壓決定。通過控制三個(gè)雙向開關(guān)的通斷,可以使相線電壓箝位到直流母線的正極、負(fù)極或中點(diǎn),從而產(chǎn)生三電平輸出 。在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下,通過實(shí)時(shí)調(diào)整開關(guān)的占空比,可以使輸入電流波形接近純正弦波,并與電壓同相,從而實(shí)現(xiàn)接近單位功率因數(shù)的運(yùn)行 。

維也納整流器在電路結(jié)構(gòu)上的巧妙之處在于其固有的防直通能力。由于其橋臂由不可控的二極管和可控的開關(guān)管組合而成,功率流的路徑?jīng)Q定了即使在控制出現(xiàn)故障時(shí),也無法發(fā)生像傳統(tǒng)全控橋臂那樣的上下管直通短路問題 。這種設(shè)計(jì)從根本上提高了系統(tǒng)的可靠性,并簡化了驅(qū)動(dòng)控制,無需設(shè)置死區(qū)時(shí)間(dead time) 。這種高可靠性特點(diǎn)也解釋了為何該拓?fù)湓趯?duì)安全性和可靠性要求極高的應(yīng)用(如航空電源)中備受青睞 。

第二章:維也納整流器的核心技術(shù)特點(diǎn)與性能優(yōu)勢(shì)

維也納整流器憑借其獨(dú)特的三電平拓?fù)洌诙鄠€(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上超越了傳統(tǒng)的二電平PFC整流器。

2.1 高功率因數(shù)與低諧波畸變

通過精確的PWM控制,維也納整流器能夠在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)接近單位功率因數(shù) 。多個(gè)參考設(shè)計(jì)和研究案例表明,該拓?fù)涞妮斎腚娏骺傊C波失真(THD)可以達(dá)到非常低的水平。例如,在滿載時(shí),THD通常低于3% ,某些設(shè)計(jì)甚至能達(dá)到小于2% 或在特定輸入電壓下低于1% ,從而滿足或超越IEEE-519等嚴(yán)格的電能質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)要求 。

2.2 固有的多電平與低電壓應(yīng)力

作為一種三電平拓?fù)?,維也納整流器的每個(gè)開關(guān)管僅需承受直流母線總電壓的一半,顯著降低了器件的電壓應(yīng)力 。這一特性使得設(shè)計(jì)者可以使用耐壓等級(jí)較低的功率器件,從而降低了器件成本并提高了系統(tǒng)的可靠性。更低的工作電壓應(yīng)力也意味著更小的開關(guān)損耗,因?yàn)殚_關(guān)損耗與關(guān)斷電壓的平方成正比。

2.3 高效率與功率密度

維也納整流器具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,這得益于其三電平結(jié)構(gòu)和連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)運(yùn)行 。多個(gè)設(shè)計(jì)案例報(bào)告了其峰值效率超過98% ,甚至在特定功率等級(jí)下能達(dá)到驚人的99.28% 。高效率直接轉(zhuǎn)化為更低的發(fā)熱,從而減小了散熱系統(tǒng)的體積和重量。同時(shí),其固有的多電平特性使得輸出電壓波形更接近正弦波,從而可以減小所需的交流側(cè)濾波器尺寸 ,這些因素共同使其具有出色的功率密度,適用于空間受限的應(yīng)用 。

2.4 與傳統(tǒng)二電平整流器的比較

維也納整流器在技術(shù)上代表了從“蠻力”型二電平拓?fù)湎颉熬?xì)化”多電平拓?fù)涞霓D(zhuǎn)變。傳統(tǒng)的二電平整流器通常需要六個(gè)全控開關(guān),而維也納整流器僅需三個(gè),并通過犧牲雙向性換來了更高的效率、更小的體積和更低的器件應(yīng)力。這種設(shè)計(jì)哲學(xué)在電力電子領(lǐng)域是具有普遍意義的。下表直觀地展示了維也納整流器在單向PFC應(yīng)用中的核心優(yōu)勢(shì)。

特性維也納整流器 傳統(tǒng)二電平(六開關(guān))整流器

功率流向 單向(AC-DC)雙向(AC-DC,DC-AC)

開關(guān)管數(shù)量(三相)

3個(gè)雙向開關(guān)

6個(gè)全控開關(guān)

電壓應(yīng)力

1/2 Vdc?

Vdc

?防直通特性

固有防直通

需死區(qū)時(shí)間控制

典型峰值效率

>98%

約96-97%

諧波畸變 (THD)

<3% (通常)

較高,需要更大的濾波器

功率密度

較高

較低

第三章:維也納整流器的控制挑戰(zhàn)與解決方案

維也納整流器雖然在拓?fù)渖暇哂兄T多優(yōu)勢(shì),但其控制設(shè)計(jì)并非易事,尤其是在直流側(cè)中點(diǎn)電位平衡和交流電流過零點(diǎn)畸變等問題上存在獨(dú)特的挑戰(zhàn)。

3.1 核心挑戰(zhàn):中點(diǎn)電位平衡問題

維也納整流器固有的中點(diǎn)電位不平衡問題是其推廣應(yīng)用的主要障礙之一 。這種不平衡表現(xiàn)為直流側(cè)電容電壓的波動(dòng)和偏移 ,這會(huì)降低輸出電壓質(zhì)量,增加器件應(yīng)力,并導(dǎo)致需要使用更大容量的直流側(cè)電容,從而增加系統(tǒng)成本 。

中點(diǎn)電位不平衡不僅僅是一個(gè)單一問題,而是一個(gè)包含直流分量和交流分量的復(fù)雜動(dòng)態(tài)問題 。其成因復(fù)雜,與拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、開關(guān)狀態(tài)和負(fù)載變化等多種因素相關(guān)。這種固有的復(fù)雜性使得維也納整流器的控制設(shè)計(jì)變得非常具有挑戰(zhàn)性 ,需要專門的控制策略來動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié),以確保兩個(gè)直流側(cè)電容電壓保持平衡。例如,中國的一項(xiàng)專利提出了一種通過注入共模分量來動(dòng)態(tài)調(diào)整直流和交流補(bǔ)償系數(shù)的方法,以有效抑制中點(diǎn)電位波動(dòng),從而減少對(duì)直流側(cè)電容設(shè)計(jì)容量的要求 。

3.2 控制策略與硬件實(shí)現(xiàn)

解決上述挑戰(zhàn)需要先進(jìn)的控制算法和強(qiáng)大的數(shù)字硬件支持?;仡櫟湫偷目刂品椒?,包括傳統(tǒng)的遲滯(hysteresis)控制和正弦脈寬調(diào)制(SPWM)。SPWM原理簡單、容易實(shí)現(xiàn),但其在處理四線制拓?fù)涞牧阈螂娏骱瓦^零點(diǎn)畸變問題上存在局限性 。

空間矢量脈寬調(diào)制(SVPWM)雖然能夠更好地控制諧波,但對(duì)于三電平維也納整流器,其復(fù)雜的扇區(qū)劃分、判定和矢量作用時(shí)間計(jì)算帶來了實(shí)現(xiàn)上的難度 。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,設(shè)計(jì)者通常采用雙閉環(huán)控制策略,即電壓外環(huán)和電流內(nèi)環(huán),來分別實(shí)現(xiàn)直流電壓穩(wěn)定和電流波形跟蹤 。為了應(yīng)對(duì)負(fù)載突變和電網(wǎng)擾動(dòng),一些先進(jìn)的控制算法,如滑模變結(jié)構(gòu)控制(sliding mode control),因其快速響應(yīng)和強(qiáng)抗干擾能力而受到關(guān)注 。

現(xiàn)代高性能微控制器MCU),如TI的C2000?系列 和ST的STM32G4系列 ,對(duì)實(shí)現(xiàn)這些復(fù)雜控制算法至關(guān)重要。這些MCU通常集成了硬件加速器(如TI的CLA),可以有效分擔(dān)CPU的運(yùn)算負(fù)擔(dān),從而實(shí)現(xiàn)高達(dá)50kHz 或更高的控制環(huán)路頻率,滿足高動(dòng)態(tài)性能要求 。

第四章:發(fā)展方向與典型應(yīng)用場景

維也納整流器因其獨(dú)特的性能特點(diǎn),在高功率、單向功率流動(dòng)的應(yīng)用中找到了廣泛的市場。同時(shí),隨著技術(shù)的演進(jìn),其應(yīng)用場景也在不斷擴(kuò)展,并與T型等競品拓?fù)湫纬闪烁饔袀?cè)重的市場格局。

4.1 主要應(yīng)用領(lǐng)域

維也納整流器最典型的應(yīng)用場景是需要高功率因數(shù)校正和單向功率流的場合。

電動(dòng)汽車充電樁 特別是高功率的非車載直流快充樁。這些充電樁通常從電網(wǎng)獲取三相交流電,轉(zhuǎn)換為高壓直流電為電動(dòng)汽車電池充電,其單向功率流特性與維也納整流器完美匹配 。通過模塊化設(shè)計(jì),維也納整流器可以進(jìn)行堆疊組合以實(shí)現(xiàn)更高的功率等級(jí),如30kW的模塊可以組合成150kW甚至350kW的充電系統(tǒng) 。

新能源發(fā)電與儲(chǔ)能: 作為光伏發(fā)電系統(tǒng)和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的PFC前端,以及儲(chǔ)能變流器(PCS)中的關(guān)鍵部分 。它能夠高效地將太陽能電池板或風(fēng)力發(fā)電機(jī)產(chǎn)生的電能轉(zhuǎn)換為直流電進(jìn)行儲(chǔ)存或并網(wǎng)。

其他工業(yè)應(yīng)用: 包括電信電源、不間斷電源(UPS)、工業(yè)驅(qū)動(dòng)以及對(duì)可靠性和緊湊性有嚴(yán)格要求的航空電源系統(tǒng) 。其固有的防直通特性使其在這些關(guān)鍵負(fù)載供電應(yīng)用中具有不可替代的可靠性優(yōu)勢(shì) 。

4.2 與T型拓?fù)涞臋M向比較

T型三電平拓?fù)湓诮Y(jié)構(gòu)上與維也納整流器有相似之處,但其采用了六個(gè)全控開關(guān)(每相橋臂四個(gè)開關(guān),共12個(gè)開關(guān)管 ),可以實(shí)現(xiàn)雙向功率流 。這種能力使其適用于新興的、需要能量回灌的場景,如車網(wǎng)互動(dòng)(V2G) 和雙向儲(chǔ)能系統(tǒng) 。

維也納整流器與T型拓?fù)涞母偁帲举|(zhì)上是“最佳單向”與“最佳雙向”解決方案的博弈。維也納整流器通過簡化開關(guān)數(shù)量和利用二極管的被動(dòng)保護(hù),在不犧牲性能的前提下,優(yōu)化了單向PFC應(yīng)用,使其在成本、復(fù)雜性和可靠性方面更具優(yōu)勢(shì) 。而T型拓?fù)鋭t通過全控開關(guān)的配置,為需要能量雙向流動(dòng)的應(yīng)用提供了可能性。這表明未來的拓?fù)溥x擇將更多地取決于應(yīng)用需求,而不是單一的性能指標(biāo)。

特性維也納整流器 T型拓?fù)?/p>

功率流向

單向

雙向

開關(guān)管數(shù)量(三相)

3個(gè)雙向開關(guān)

6個(gè)全控開關(guān)

電壓應(yīng)力

開關(guān)管承受1/2 Vdc?

中點(diǎn)開關(guān)承受1/2 Vdc?,主開關(guān)承受Vdc?

防直通特性

固有防直通

需死區(qū)時(shí)間控制,可能發(fā)生直通

典型應(yīng)用場景

EV直流快充,UPS,電信電源

V2G,雙向儲(chǔ)能系統(tǒng)

制造成本

較低

較高

第五章:碳化硅(SiC)技術(shù)在維也納整流器中的應(yīng)用與價(jià)值

SiC功率器件的出現(xiàn),為維也納整流器拓?fù)鋷砹烁锩缘男阅芴嵘蛊淠軌蛲黄苽鹘y(tǒng)硅器件的物理限制,向更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率演進(jìn)。

5.1 SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)

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相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,SiC具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場和熱導(dǎo)率 。這些獨(dú)特的物理特性使得SiC MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻和極低的開關(guān)損耗 。尤其是在高頻開關(guān)時(shí),SiC幾乎沒有尾電流(tail current),顯著優(yōu)于Si IGBT 。這種開關(guān)特性的改進(jìn),直接體現(xiàn)在更低的開關(guān)損耗和更高的開關(guān)頻率上,從而為系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來了巨大的自由度。

5.2 SiC帶來的量化性能提升

SiC技術(shù)對(duì)維也納整流器的性能提升是可量化的。

效率: SiC顯著提升了維也納整流器的整體效率。例如,ST公司的30kW SiC維也納整流器解決方案報(bào)告了98.7%的最高效率 ,而TI的11kW參考設(shè)計(jì)達(dá)到了98.6%的峰值效率 。與使用IGBT的傳統(tǒng)方案相比,采用SiC器件的效率提升通常超過0.5% 。一些研究原型甚至達(dá)到了驚人的99.28%的極高效率 。

功率密度: SiC器件支持更高的開關(guān)頻率,例如70kHz至140kHz 。這使得設(shè)計(jì)師可以大幅減小磁性元件(如輸入電感和LCL濾波器)的尺寸和重量 。ST公司的30kW解決方案實(shí)現(xiàn)了48.8W/in3的高功率密度 ,這一數(shù)據(jù)充分證明了SiC在實(shí)現(xiàn)緊湊化和輕量化設(shè)計(jì)方面的巨大潛力。

5.3 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與未來趨勢(shì)

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盡管SiC帶來的性能提升顯著,但在實(shí)際應(yīng)用中也面臨一些獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。

高頻驅(qū)動(dòng)與寄生參數(shù): SiC的快速開關(guān)特性帶來了高dV/dt和dI/dt,這會(huì)引發(fā)電磁干擾(EMI) 和寄生振蕩。因此,需要采用專用的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,并特別注意PCB布局以抑制寄生電感。

成本與供應(yīng)鏈: 盡管性能卓越,但SiC器件的成本和產(chǎn)能問題曾是其大規(guī)模應(yīng)用的“攔路虎” 。然而,隨著行業(yè)向8英寸晶圓過渡 ,預(yù)計(jì)器件成本將降低30%甚至更多,這將進(jìn)一步加速其在汽車、光伏和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的滲透 。

總結(jié)與展望

深圳市傾佳電子有限公司(簡稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動(dòng)者:

傾佳電子成立于2018年,總部位于深圳福田區(qū),定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商,業(yè)務(wù)聚焦三大方向:

新能源:覆蓋光伏、儲(chǔ)能、充電基礎(chǔ)設(shè)施;

交通電動(dòng)化:服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)(電控、電池、電機(jī))及高壓平臺(tái)升級(jí);

數(shù)字化轉(zhuǎn)型:支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。

公司以“推動(dòng)國產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命,響應(yīng)國家“雙碳”政策(碳達(dá)峰、碳中和),致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。

需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊,配套驅(qū)動(dòng)板及驅(qū)動(dòng)IC,請(qǐng)搜索傾佳電子楊茜

報(bào)告核心觀點(diǎn)總結(jié)

維也納整流器作為一種創(chuàng)新的三電平單向PFC拓?fù)洌诤喕Y(jié)構(gòu)、提高效率和可靠性方面取得了巨大成功。其固有的三電平特性有效降低了器件電壓應(yīng)力,使其在電動(dòng)汽車充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等高功率應(yīng)用中具有不可替代的價(jià)值。盡管其控制復(fù)雜且受限于單向功率流,但通過先進(jìn)的控制算法和強(qiáng)大的數(shù)字控制器,這些挑戰(zhàn)正逐步得到克服。

未來發(fā)展展望

展望未來,維也納整流器與SiC技術(shù)的協(xié)同發(fā)展將持續(xù)深化。SiC器件的成本下降和性能提升將進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)向更高的功率密度、更寬的工作范圍和更強(qiáng)的可靠性演進(jìn)。同時(shí),對(duì)于中點(diǎn)電位平衡和高頻驅(qū)動(dòng)等挑戰(zhàn)的研究也將不斷深入,更智能、更魯棒的數(shù)字控制算法將成為未來的主要方向。

審核編輯 黃宇

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