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傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體SiC模塊等碳化硅功率器件全線產(chǎn)品概述

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-09-06 13:14 ? 次閱讀
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傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體SiC模塊等碳化硅功率器件全線產(chǎn)品概述

傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

引言:第三代半導(dǎo)體浪潮下的新機(jī)遇

當(dāng)前,全球能源結(jié)構(gòu)加速向清潔化、電動化與智能化升級,功率半導(dǎo)體器件成為能源變革與電力電子創(chuàng)新的核心基石。以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,憑借其寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高頻低損耗等特性,正在新能源汽車、高端工業(yè)裝備、光伏儲能、智能電網(wǎng)及快速充電領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件。碳化硅功率器件的高效率、高可靠性和系統(tǒng)級成本優(yōu)化能力,不僅推動了新能源與數(shù)字化產(chǎn)業(yè)的變革,也賦予代理商與產(chǎn)業(yè)鏈參與者巨大的市場機(jī)遇2。

作為碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈中的領(lǐng)軍企業(yè),基本半導(dǎo)體(BASiC?,以下簡稱“基本半導(dǎo)體”)以全棧自研的材料工藝、先進(jìn)芯片設(shè)計和模塊封裝為依托,形成了全場景SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。在此過程中,傾佳電子作為其官方授權(quán)一級代理商,深度參與SiC功率器件國產(chǎn)化進(jìn)程與終端市場拓展,致力于打造“器件+方案+交付”一體化分銷服務(wù)能力。傾佳將以基本半導(dǎo)體SiC全系功率器件產(chǎn)品為核心,細(xì)致梳理各產(chǎn)品類別、代表型號及關(guān)鍵參數(shù),突出其技術(shù)優(yōu)勢與典型應(yīng)用。

一、公司背景與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位

1.1 基本半導(dǎo)體企業(yè)實力

基本半導(dǎo)體成立于2016年,總部位于深圳,并在北京、上海、無錫、香港及日本名古屋設(shè)有研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地。公司擁有一支國際化研發(fā)團(tuán)隊,核心成員來自劍橋大學(xué)、清華大學(xué)、中國科學(xué)院等頂尖學(xué)研機(jī)構(gòu),累計授權(quán)專利200余項。公司堅持IDM(設(shè)計-制造-封測一體化)模式,實現(xiàn)了碳化硅功率器件自材料制備、芯片設(shè)計、制造、封裝到系統(tǒng)級應(yīng)用的全流程自主可控6。

其主要產(chǎn)品線涵蓋:碳化硅肖特基二極管、MOSFET、混合分立器件、工業(yè)級/汽車級全碳化硅模塊、門極驅(qū)動芯片、電源管理芯片及裸片晶圓服務(wù),服務(wù)對象覆蓋全球數(shù)百家汽車、儲能、工業(yè)、新能源等行業(yè)客戶。2025年,基本半導(dǎo)體已向港交所遞交上市申請,彰顯其在國產(chǎn)SiC器件領(lǐng)域的行業(yè)地位與資本認(rèn)可。

1.2 傾佳電子市場與服務(wù)優(yōu)勢

傾佳電子成立于2018年,總部位于深圳,是國產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件和新能源汽車連接器領(lǐng)域的專業(yè)分銷商。傾佳電子深耕新能源(光伏、儲能)、汽車電動化(主驅(qū)、OBC、DCDC)、數(shù)字化電力(AI服務(wù)器電源等)三大方向,結(jié)合產(chǎn)品分銷與系統(tǒng)解決方案,成為基本半導(dǎo)體SiC功率器件官方授權(quán)一級代理商

傾佳電子不僅具備扎實的行業(yè)資源與技術(shù)團(tuán)隊,還依托全國多地布局的服務(wù)與倉儲網(wǎng)絡(luò),形成了高效的交付、技術(shù)支持、本地化協(xié)作能力,成為眾多終端企業(yè)綠色數(shù)字化轉(zhuǎn)型、產(chǎn)品升級與國產(chǎn)器件導(dǎo)入的首選合作伙伴。

二、產(chǎn)品全譜系梳理與技術(shù)亮點(diǎn)

2.1 碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)

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產(chǎn)品系列與主要型號

電壓范圍:650V / 1200V / 2000V (部分型號開發(fā)中)

主流封裝:TO-220-2、TO-220F-2、TO-220-isolated、TO-247-2、TO-247-3、TO-263、SOT-227等

標(biāo)準(zhǔn)型號舉例(以650V/1200V為例):

型號 電壓(V) 電流(A) 峰值浪涌電流(A) VF(V) 封裝 適用場景
B3D04065KS 650 4 36 1.37 TO-220-isolated 快充/小電流電源
B3D10065KS 650 10 80 1.36 TO-220-isolated PFC/逆變/儲能
B3D20065HC 650 20 90 1.36 TO-247-3 工業(yè)級電源
B3D40065HC 650 40 150 1.40 TO-247-3 OBC/充電樁
B3D10120E 1200 10 90 1.40 TO-252-2 工業(yè)電源
B3D40120HC 1200 40 180 1.41 TO-247-3 高壓儲能/PCS
B3D40200H 2000 40 - - TO-247-2 超高壓儲能/鐵路

技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用

零反向恢復(fù)時間、極低開關(guān)損耗:采用肖特基勢壘結(jié)構(gòu),反向恢復(fù)電荷接近于零,適合高頻整流、PFC、LLC、逆變等電源應(yīng)用。

高溫低漏電、耐高壓、抗浪涌性卓越:硅基二極管易受高溫影響發(fā)生漏電和反向損壞,SiC材料可在175℃以上高溫穩(wěn)定工作,耐壓能力遠(yuǎn)超Si器件。

優(yōu)秀的雪崩能力及EMI改善:更利于提升系統(tǒng)穩(wěn)定性,適應(yīng)軌道交通、電機(jī)驅(qū)動、高可靠性醫(yī)療/工控場景。

高功率密度系統(tǒng)首選:在高頻、高壓應(yīng)用(如光伏逆變器、儲能變流器、新能源汽車OBC、通信電源、服務(wù)器快充等)明顯降低整機(jī)損耗,提高效率。

2.2 碳化硅MOSFET分立器件

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主力型號與關(guān)鍵參數(shù)

型號 電壓(V) 典型RDS(on)(mΩ) 電流(A) 封裝類型 認(rèn)證 應(yīng)用方向
B3M040065H 650 40 45 TO-247-3 工業(yè)級認(rèn)證 通訊/AI/微逆變
B2M160120H 1200 160 25 TO-247-3 工業(yè)級認(rèn)證 光伏/儲能
B2M080120H 1200 80 40 TO-247-3 工業(yè)/車規(guī) 光伏/OBC/快充
B2M040120H 1200 40 75 TO-247-3 工業(yè)/車規(guī) 工業(yè)驅(qū)動/高壓變流
B3M040120Z 1200 40 45 TO-247-4 工業(yè)/車規(guī) 主驅(qū)逆變器
AB2M080120H 1200 80 30 TO-263-7 AEC-Q101 汽車OBC/DCDC
TOLL/TOLT系列 650/1200 40/80 20-40 TOLL/TOLT 工業(yè)/車規(guī) 高密度貼片

注:多系列支持AEC-Q101車規(guī)級、工業(yè)級全溫區(qū)高可靠性測試。

技術(shù)突破與核心亮點(diǎn)

低導(dǎo)通電阻、器件體積小:最新一代產(chǎn)品通過元胞微縮技術(shù)/溝槽柵結(jié)構(gòu),單位面積RDS(on)降低40%以上,芯片面積縮小30%,比肩國際一線大廠。

優(yōu)異的高溫性能與開關(guān)速度:絕緣柵結(jié)構(gòu)加TDDB工藝改進(jìn),可靠性壽命超萬小時;典型高溫結(jié)溫可到175℃甚至更高,開關(guān)損耗遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)IGBT。

多種封裝形式靈活適配:TO-263-7、TOLL、TOLT等貼片/頂部散熱封裝,便于高密度電源布局和逆變系統(tǒng)集成。

車規(guī)級、工業(yè)級雙認(rèn)證:支持PPAP流下,AEC-Q101/BIS/MIL-STD全項壽命測試,滿足汽車動力、輔助、電驅(qū)注重高安全與壽命的需求。

支持裸片/晶圓供貨:適用于高端自定義模組、系統(tǒng)集成需求,支撐大客戶集采或二次封裝。

典型應(yīng)用

新能源汽車三電系統(tǒng):主驅(qū)逆變器、OBC、DCDC、熱泵空調(diào)電機(jī)

光伏/儲能/快充:高效率大功率逆變器、儲能PCS、通信與數(shù)據(jù)中心電源

工業(yè)自動化/伺服:高頻伺服控制器、激光電

微逆變器:接入分布式新能源、邊緣儲能系統(tǒng)

2.3 混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete)

代表型號與參數(shù)

型號 電壓(V) 電流(A) VCE(sat)(V) VF(V) 封裝 應(yīng)用場景
BGH75N65HS1 650 75 1.64 1.40 TO-247-3 儲能PCS、OBC
BGH50N65HF1 650 50 1.55 1.39 TO-247-3 UPS/逆變器
BGH75N120HF1 1200 75 2.2 1.30 TO-247-3 工業(yè)/光伏大功率

技術(shù)原理與優(yōu)勢

混合分立器件采用硅基IGBT并聯(lián)SiC肖特基二極管的共封裝結(jié)構(gòu),借助場截止IGBT技術(shù)與SiC SBD的優(yōu)點(diǎn)于一體。其主要優(yōu)勢包括:

兼顧成本和動態(tài)性能:開通損耗、關(guān)斷損耗大幅下降,避免硅快恢復(fù)二極管的高反向恢復(fù)損耗。

易于替換傳統(tǒng)IGBT模塊:可直接在存量市場或二次改造項目中提升效率,降本逐步替換進(jìn)口IGBT。

適合高頻Hard-Switch應(yīng)用:如儲能逆變、UPS、光伏組串式逆變器、車載OBC,兼具高可靠性和經(jīng)濟(jì)性。

2.4 全碳化硅功率模塊

a) 工業(yè)級Pcore?系列(E1B/E2B/34mm/EP2等)

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| 產(chǎn)品系列 | 封裝類型 | 電壓(V) | 導(dǎo)通電阻 RDS(on) (mΩ) | 電流 (A) | 典型應(yīng)用 | |-----------------|-----------|-----------------------------|-----------|------------------| | Pcore?2 E2B | 半橋 | 1200 | 5.5 | 240 | 125kW儲能PCS、APF | | Pcore?2 34mm | 半橋 | 1200 | 15 | 80 | 工業(yè)焊機(jī) | | Pcore?4 E1B | H橋 | 650 | 27 | 40 | 逆變器/高頻DCDC | | Pcore?12 EP2 | 三相全橋 | 1200 | 65 | 25 | 商用HVAC空調(diào) | | 62mm(開發(fā)中) | 半橋 | 1200 | 2.3 | 540 | 儲能/光伏大電流 | | ED3(開發(fā)中) | 半橋 | 1200 | 1.8 | 720 | 高功率儲能/UPS |

技術(shù)亮點(diǎn)

高性能設(shè)計,內(nèi)置SiC SBD,消除IGBT/PN二極管“尾電流”、提高互補(bǔ)功率密度

采用高可靠性Si?N? AMB陶瓷基板,導(dǎo)熱性能優(yōu)于Al?O?或傳統(tǒng)鋁基

實時NTC溫度傳感器集成,支持安全監(jiān)控

支持Press-Fit、焊接兩種工藝,模組配套靈活

極低雜散電感,部分型號低至14nH,可優(yōu)化高頻開關(guān)和系統(tǒng)EMI

應(yīng)用系統(tǒng)仿真驅(qū)動器參考設(shè)計服務(wù)完善,可一站式適配

應(yīng)用場景

儲能PCS(功率變流器)、光伏逆變器、大功率充電樁、有源濾波器APF、工業(yè)高頻焊機(jī)、伺服驅(qū)動

b) 汽車級全碳化硅模塊(Pcore?6/2/1/12)

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產(chǎn)品系列 電壓(V) 電流(A) 典型封裝 適用場景
Pcore?6 HPD 1200 600-800 特殊HPD 新能源主驅(qū),商用車
Pcore?2 DCM 1200 600-950 ED3 乘用/商用主驅(qū)逆變
Pcore?1 TPAK 750/1200 200-250 TPAK 空調(diào)/輔助電驅(qū)
Pcore?12 EP2 1200 65 EP2 空調(diào)熱泵等三相子系統(tǒng)

技術(shù)亮點(diǎn)

AQG-324車規(guī)級別,通過PPAP、BIS、EVT、DVT全項測試

結(jié)溫支持可達(dá)175℃,高可靠超嚴(yán)苛工況穩(wěn)定

高頻率能力與低RDS(on),適合800V快充平臺和高端車型

多芯片并聯(lián),覆蓋大電流與高壓主驅(qū)系統(tǒng)

支持全銀燒結(jié)或先進(jìn)AMB基板,封裝國際一線水準(zhǔn)

快速替代傳統(tǒng)Si-IGBT模塊,系統(tǒng)效率提升5-10%

應(yīng)用場景

新能源汽車主驅(qū)、OBC、DCDC、商用車動力系統(tǒng)

高端電動大巴、工程機(jī)械、新型高速火車/軌道牽引

2.5 門極驅(qū)動芯片

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代表型號與參數(shù)

型號 絕緣耐壓(Vrms) 峰值輸出電流(A) 工作溫度(℃) 特點(diǎn)/功能 適用封裝
BTD25350MM/C/W 5000 ±10 -40~125 雙通道、米勒鉗位、死區(qū) SOW-18
BTD21520xx 3750 ±6 -40~125 差分輸入、高速 SOW-16
BTD5350xx 5000 ±15 -40~125 智能保護(hù) SOW-18
BTL27524x 3750 ±3 -40~125 低邊驅(qū)動 MSOP-10
BTD3011R 5000 ±4 -40~125 智能短路保護(hù) SOW-8

技術(shù)亮點(diǎn)

大電流輸出,高絕緣耐壓:適用于驅(qū)動1200V、1700V MOSFET/IGBT/SiC器件

集成米勒鉗位、防誤開通:優(yōu)化器件高速開關(guān)場合下的可靠與EMI抑制

內(nèi)置欠壓保護(hù)、死區(qū)可調(diào):增強(qiáng)系統(tǒng)安全

多種腳位配置適配不同拓?fù)?/strong>:副邊獨(dú)立開關(guān)、米勒鉗位、欠壓保護(hù)可選

寬溫域與高共模抗擾度:適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境與大功率場合

應(yīng)用領(lǐng)域

組串式光伏逆變器、儲能PCS、新能源汽車主驅(qū)/輔助逆變、工業(yè)UPS、電機(jī)驅(qū)動、快充、服務(wù)器電源等

2.6 驅(qū)動電源芯片與隔離電源方案

代表型號與參數(shù)

型號 輸出功率(W) 工作頻率(MHz) 保護(hù)功能 封裝 配套推薦
BTP1521P 6 0.1~1.3 欠壓、過溫 SOP-8 TR-P15DS23-EE13隔離變壓器
BTP1521F 6 0.1~1.3 欠壓、過溫 DFN3x3-8 -

技術(shù)亮點(diǎn)

專為高壓SiC驅(qū)動隔離電源設(shè)計,+18V/-4V雙通道輸出,保障MOSFET完美開關(guān)

最高支持1.3MHz開關(guān)頻率,寬壓輸入,提升能效和體積密度

軟啟動/過溫/欠壓全方位保護(hù),開放推薦電路,便于參考集成

配套驅(qū)動變壓器方案,系統(tǒng)開發(fā)更便捷

典型應(yīng)用

SiC MOSFET隔離門極驅(qū)動電源、充電樁模塊、工業(yè)焊機(jī)電源、伺服電機(jī)驅(qū)動、光伏/儲能PCS等

三、各產(chǎn)品線適用場景與解決方案優(yōu)勢

3.1 新能源汽車領(lǐng)域

碳化硅MOSFET和功率模塊已成為主驅(qū)逆變器、OBC、DCDC、電機(jī)控制器和熱泵空調(diào)電源的首選。通過極低的損耗和高溫穩(wěn)定性,幫助主機(jī)廠提升整車效率、延長續(xù)航、支持800V超快充等新一代平臺。主機(jī)廠均已大規(guī)模導(dǎo)入。在輔助電驅(qū)(空調(diào)壓縮機(jī)、PFC)等工況下,SiC單管比傳統(tǒng)IGBT單管效率提升高達(dá)30%~50%。

3.2 光伏與儲能

Pcore?系列SiC模塊廣泛用于組串式逆變器和工商業(yè)儲能PCS。其高頻低損耗特性與EMI默契配合,讓系統(tǒng)效率突破99%,大幅降低電感/濾波元件體積、整機(jī)體積降溫降本。PCS新型三電平拓?fù)渑c模塊化結(jié)構(gòu)靈活配置,有助于虛擬電廠、分布式儲能等新場景落地13。

3.3 數(shù)據(jù)中心與AI服務(wù)器

分立SiC MOSFET及配套驅(qū)動IC/隔離電源,為高密度AI服務(wù)器、通信電源從傳統(tǒng)12V向48V/400V平臺升級提供支撐,支持高頻高效LLC、PFC、同步整流等拓?fù)洹S行嵘娫崔D(zhuǎn)換效率,滿足電源下沉和高可靠性的應(yīng)用趨勢,成為綠色算力基礎(chǔ)設(shè)施“底座”器件。

3.4 工業(yè)自動化/高端制造

SiC功率器件的高頻特性,令伺服系統(tǒng)、電焊機(jī)、工業(yè)級變頻器高效可靠,在IGBT頻率極限下大幅提升開關(guān)頻率,降低磁性材料和散熱結(jié)構(gòu)體積,實現(xiàn)“高頻、小型化、節(jié)能化”目標(biāo),尤其適用高端制造業(yè)升級與智能工廠建設(shè)13。

四、傾佳電子代理服務(wù)核心競爭力

4.1 原廠深度賦能+專業(yè)技術(shù)支持

傾佳電子以一級代理身份,獲得基本半導(dǎo)體完整全線SiC產(chǎn)品分銷及技術(shù)資料支持,并與原廠共建系統(tǒng)級實驗室,可為客戶提供選型、樣品、參考板、設(shè)計咨詢、熱管理與EMI調(diào)試、仿真等全流程服務(wù)。專業(yè)FAE團(tuán)隊保障快速響應(yīng)終端客戶技術(shù)難題。

4.2 快速交付與本地化服務(wù)網(wǎng)絡(luò)

依托深圳總部,聯(lián)動全國多地倉儲與物流調(diào)配,現(xiàn)貨可發(fā),交期響應(yīng)快,支持工廠PPAP流程審核和突發(fā)需求彈性備貨。極大縮短項目端導(dǎo)入周期,滿足如儲能/汽車頭部客戶量產(chǎn)交付要求,提升供應(yīng)鏈強(qiáng)韌性。

4.3 正品保障與可追溯性

與原廠直簽正規(guī)代理協(xié)議,所有產(chǎn)品可溯源至原廠產(chǎn)線,防范市場假冒/水貨風(fēng)險,從渠道源頭保證交付品質(zhì),為OEM廠商、系統(tǒng)集成終端提供信心。

4.4 生態(tài)合作與國產(chǎn)替代方案整合

不僅單獨(dú)銷售器件,還可協(xié)同原廠及第三方供應(yīng)商,組合SiC模塊+驅(qū)動+連接器等一體化子系統(tǒng)方案,適配特定行業(yè)應(yīng)用(如光伏儲能、智能電網(wǎng)、汽車800V平臺),為系統(tǒng)級國產(chǎn)化升級提供閉環(huán)支持。

4.5 行業(yè)戰(zhàn)略協(xié)同與全鏈路保障

積極推動國產(chǎn)SiC產(chǎn)品認(rèn)證和供應(yīng)鏈協(xié)作,參與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟,聯(lián)合終端客戶推動項目國產(chǎn)化替代,產(chǎn)業(yè)協(xié)同賦能客戶實現(xiàn)降本增效、綠色可持續(xù)轉(zhuǎn)型。

五、行業(yè)格局與對手比較分析

5.1 全球/國內(nèi)主要競爭對手

當(dāng)前全球SiC功率器件市場以Wolfspeed(Cree)、羅姆、意法半導(dǎo)體(ST)、英飛凌、三菱等為首。國內(nèi)則以三安光電、比亞迪半導(dǎo)體、華潤微等為有力競爭者?;景雽?dǎo)體以完善產(chǎn)設(shè)IDM模式、產(chǎn)品全鏈路、自主技術(shù)棧,已形成與國際一線品牌技術(shù)和應(yīng)用深入對標(biāo)的能力。

廠商 封裝工藝 認(rèn)證體系 產(chǎn)品覆蓋深度 國內(nèi)化率 模塊/系統(tǒng)定制能力 技術(shù)突破
基本半導(dǎo)體 6英寸/8英寸/疊層 IATF16949 二極管/MOSFET/模塊/混合/驅(qū)動/裸片 90%+ 強(qiáng) 低RDSon/模塊可定制
ON 國際 IATF16949 分立/模塊/驅(qū)動IC 中等 200mm量產(chǎn)
英飛凌 國際 IATF16949 分立/模塊/驅(qū)動IC 較強(qiáng) CoolSiC技術(shù)
三安光電 國內(nèi) - 外延/二極管 - - -
比亞迪半導(dǎo)體 國內(nèi) - - 強(qiáng) 產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力
華潤微 國內(nèi) - 外延/二極管/MOSFET - - -

基本半導(dǎo)體在高端產(chǎn)品一致性、全產(chǎn)業(yè)鏈自控、車規(guī)級認(rèn)證深度等方面全方位領(lǐng)先國產(chǎn)競爭對手,與國際品牌形成差異化性價比優(yōu)勢,適合主流項目的“國產(chǎn)替代+定制需求”導(dǎo)入。

5.2 價格與生命周期對比

隨著SiC產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)模化,國產(chǎn)產(chǎn)品(尤其基本半導(dǎo)體)已在大批量模塊價格上低于國際大廠,比進(jìn)口IGBT模塊方案整體系統(tǒng)成本低20-30%,加之壽命與可靠性優(yōu)勢,生命周期總擁有成本(TCO)更低,成為工商業(yè)用戶降本增效的必然選擇。

六、市場趨勢與發(fā)展前景

6.1 市場規(guī)模與增長速率

據(jù)Mordor Intelligence等權(quán)威機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù),2024年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模已超21.8億美元,預(yù)計2029年突破67.3億美元,年復(fù)合增長率25.24%。其中,亞太(尤其中國)是增長最快、市場份額最大區(qū)域。下游光伏、儲能和新能源汽車?yán)瓌幼顬槊黠@,未來5年國內(nèi)市場產(chǎn)能與產(chǎn)業(yè)鏈配套將進(jìn)入井噴期19。

6.2 技術(shù)與產(chǎn)業(yè)政策驅(qū)動

寬禁帶材料+封裝技術(shù)優(yōu)化:第四代MOSFET、溝槽柵、三電平拓?fù)洹MB陶瓷基板、銀燒結(jié)等不斷迭代,提高器件性能、可靠性和系統(tǒng)兼容性。

國產(chǎn)替代與強(qiáng)鏈政策持續(xù)加碼:國家工信部、科技部等加快推動第三代半導(dǎo)體材料與SiC功率器件自主可控,地方政府配套加速政策(如儲能補(bǔ)貼、技術(shù)升級)加持,行業(yè)加速國產(chǎn)化進(jìn)程。

新型應(yīng)用場景不斷拓展:如虛擬電廠(VPP)、工商業(yè)/戶用儲能、800V超快充、氫燃料壓縮機(jī)驅(qū)動、分布式能源融合等,持續(xù)拓寬市場容量。

6.3 持續(xù)創(chuàng)新與合作生態(tài)

國產(chǎn)廠商間協(xié)同:傾佳電子建立分銷與集成服務(wù)生態(tài),打破進(jìn)口技術(shù)壟斷。

國際合作與最新技術(shù)引進(jìn):與如東芝等國際玩家合作布局模塊封裝和生態(tài)協(xié)同,實現(xiàn)國產(chǎn)與國際技術(shù)資源互補(bǔ),持續(xù)推動技術(shù)升級。

七、結(jié)語與合作展望

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隨著碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入黃金成長周期,系統(tǒng)級能效與安全、短交期與正品保障、全流程技術(shù)支持將成為終端客戶決策的三大關(guān)鍵。基本半導(dǎo)體依托深厚的技術(shù)積累與IDM能力、完善的產(chǎn)品譜系和高可靠性保障,已成為國產(chǎn)替代與行業(yè)升級的技術(shù)標(biāo)桿。而傾佳電子憑借專業(yè)、快速、本地化的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)和器件+系統(tǒng)集成能力,已成為聯(lián)通原廠與終端、持續(xù)推動SiC國產(chǎn)化變革的關(guān)鍵橋梁。

深圳市傾佳電子有限公司(簡稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者:
傾佳電子成立于2018年,總部位于深圳福田區(qū),定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商,業(yè)務(wù)聚焦三大方向:
新能源:覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施;
交通電動化:服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)(電控、電池、電機(jī))及高壓平臺升級;
數(shù)字化轉(zhuǎn)型:支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命,響應(yīng)國家“雙碳”政策(碳達(dá)峰、碳中和),致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊,配套驅(qū)動板及驅(qū)動IC,請搜索傾佳電子楊茜

未來,傾佳電子將持續(xù)攜手基本半導(dǎo)體和業(yè)界生態(tài)合作伙伴,不斷深耕新能源、交通電動化與數(shù)字化電力等戰(zhàn)略場景,推動第三代半導(dǎo)體技術(shù)全面賦能于新能源與智慧社會建設(shè),助力客戶實現(xiàn)高效、可持續(xù)、經(jīng)濟(jì)和安全的能源與電力電子新生態(tài)。

選擇傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體SiC全系產(chǎn)品——讓每一瓦特更高效,讓每一連接更可靠,為中國及全球客戶創(chuàng)新賦能,成就共贏未來!

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