傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體SiC模塊等碳化硅功率器件全線產(chǎn)品概述

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

引言：第三代半導(dǎo)體浪潮下的新機(jī)遇

當(dāng)前，全球能源結(jié)構(gòu)加速向清潔化、電動(dòng)化與智能化升級(jí)，功率半導(dǎo)體器件成為能源變革與電力電子創(chuàng)新的核心基石。以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，憑借其寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高頻低損耗等特性，正在新能源汽車、高端工業(yè)裝備、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)及快速充電領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件。碳化硅功率器件的高效率、高可靠性和系統(tǒng)級(jí)成本優(yōu)化能力，不僅推動(dòng)了新能源與數(shù)字化產(chǎn)業(yè)的變革，也賦予代理商與產(chǎn)業(yè)鏈參與者巨大的市場(chǎng)機(jī)遇2。

作為碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈中的領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體（BASiC?，以下簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”）以全棧自研的材料工藝、先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)和模塊封裝為依托，形成了全場(chǎng)景SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。在此過(guò)程中，傾佳電子作為其官方授權(quán)一級(jí)代理商，深度參與SiC功率器件國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程與終端市場(chǎng)拓展，致力于打造“器件+方案+交付”一體化分銷服務(wù)能力。傾佳將以基本半導(dǎo)體SiC全系功率器件產(chǎn)品為核心，細(xì)致梳理各產(chǎn)品類別、代表型號(hào)及關(guān)鍵參數(shù)，突出其技術(shù)優(yōu)勢(shì)與典型應(yīng)用。

一、公司背景與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位

1.1 基本半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)力

基本半導(dǎo)體成立于2016年，總部位于深圳，并在北京、上海、無(wú)錫、香港及日本名古屋設(shè)有研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地。公司擁有一支國(guó)際化研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心成員來(lái)自劍橋大學(xué)、清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院等頂尖學(xué)研機(jī)構(gòu)，累計(jì)授權(quán)專利200余項(xiàng)。公司堅(jiān)持IDM（設(shè)計(jì)-制造-封測(cè)一體化）模式，實(shí)現(xiàn)了碳化硅功率器件自材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝到系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用的全流程自主可控6。

其主要產(chǎn)品線涵蓋：碳化硅肖特基二極管、MOSFET、混合分立器件、工業(yè)級(jí)/汽車級(jí)全碳化硅模塊、門極驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片及裸片晶圓服務(wù)，服務(wù)對(duì)象覆蓋全球數(shù)百家汽車、儲(chǔ)能、工業(yè)、新能源等行業(yè)客戶。2025年，基本半導(dǎo)體已向港交所遞交上市申請(qǐng)，彰顯其在國(guó)產(chǎn)SiC器件領(lǐng)域的行業(yè)地位與資本認(rèn)可。

1.2 傾佳電子市場(chǎng)與服務(wù)優(yōu)勢(shì)

傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳，是國(guó)產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件和新能源汽車連接器領(lǐng)域的專業(yè)分銷商。傾佳電子深耕新能源（光伏、儲(chǔ)能）、汽車電動(dòng)化（主驅(qū)、OBC、DCDC）、數(shù)字化電力（AI服務(wù)器電源等）三大方向，結(jié)合產(chǎn)品分銷與系統(tǒng)解決方案，成為基本半導(dǎo)體SiC功率器件官方授權(quán)一級(jí)代理商。

傾佳電子不僅具備扎實(shí)的行業(yè)資源與技術(shù)團(tuán)隊(duì)，還依托全國(guó)多地布局的服務(wù)與倉(cāng)儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)，形成了高效的交付、技術(shù)支持、本地化協(xié)作能力，成為眾多終端企業(yè)綠色數(shù)字化轉(zhuǎn)型、產(chǎn)品升級(jí)與國(guó)產(chǎn)器件導(dǎo)入的首選合作伙伴。

二、產(chǎn)品全譜系梳理與技術(shù)亮點(diǎn)

2.1 碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）

產(chǎn)品系列與主要型號(hào)

電壓范圍：650V / 1200V / 2000V （部分型號(hào)開(kāi)發(fā)中）

主流封裝：TO-220-2、TO-220F-2、TO-220-isolated、TO-247-2、TO-247-3、TO-263、SOT-227等

標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)舉例（以650V/1200V為例）：

技術(shù)優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用

零反向恢復(fù)時(shí)間、極低開(kāi)關(guān)損耗：采用肖特基勢(shì)壘結(jié)構(gòu)，反向恢復(fù)電荷接近于零，適合高頻整流、PFC、LLC、逆變等電源應(yīng)用。

高溫低漏電、耐高壓、抗浪涌性卓越：硅基二極管易受高溫影響發(fā)生漏電和反向損壞，SiC材料可在175℃以上高溫穩(wěn)定工作，耐壓能力遠(yuǎn)超Si器件。

優(yōu)秀的雪崩能力及EMI改善：更利于提升系統(tǒng)穩(wěn)定性，適應(yīng)軌道交通、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高可靠性醫(yī)療/工控場(chǎng)景。

高功率密度系統(tǒng)首選：在高頻、高壓應(yīng)用（如光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器、新能源汽車OBC、通信電源、服務(wù)器快充等）明顯降低整機(jī)損耗，提高效率。

2.2 碳化硅MOSFET分立器件

主力型號(hào)與關(guān)鍵參數(shù)

注：多系列支持AEC-Q101車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)全溫區(qū)高可靠性測(cè)試。

技術(shù)突破與核心亮點(diǎn)

低導(dǎo)通電阻、器件體積小：最新一代產(chǎn)品通過(guò)元胞微縮技術(shù)/溝槽柵結(jié)構(gòu)，單位面積RDS(on)降低40%以上，芯片面積縮小30%，比肩國(guó)際一線大廠。

優(yōu)異的高溫性能與開(kāi)關(guān)速度：絕緣柵結(jié)構(gòu)加TDDB工藝改進(jìn)，可靠性壽命超萬(wàn)小時(shí)；典型高溫結(jié)溫可到175℃甚至更高，開(kāi)關(guān)損耗遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)IGBT。

多種封裝形式靈活適配：TO-263-7、TOLL、TOLT等貼片/頂部散熱封裝，便于高密度電源布局和逆變系統(tǒng)集成。

車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)雙認(rèn)證：支持PPAP流下，AEC-Q101/BIS/MIL-STD全項(xiàng)壽命測(cè)試，滿足汽車動(dòng)力、輔助、電驅(qū)注重高安全與壽命的需求。

支持裸片/晶圓供貨：適用于高端自定義模組、系統(tǒng)集成需求，支撐大客戶集采或二次封裝。

典型應(yīng)用

新能源汽車三電系統(tǒng)：主驅(qū)逆變器、OBC、DCDC、熱泵空調(diào)電機(jī)

光伏/儲(chǔ)能/快充：高效率大功率逆變器、儲(chǔ)能PCS、通信與數(shù)據(jù)中心電源

工業(yè)自動(dòng)化/伺服：高頻伺服控制器、激光電源

微逆變器：接入分布式新能源、邊緣儲(chǔ)能系統(tǒng)

2.3 混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete）

代表型號(hào)與參數(shù)

技術(shù)原理與優(yōu)勢(shì)

混合分立器件采用硅基IGBT并聯(lián)SiC肖特基二極管的共封裝結(jié)構(gòu)，借助場(chǎng)截止IGBT技術(shù)與SiC SBD的優(yōu)點(diǎn)于一體。其主要優(yōu)勢(shì)包括：

兼顧成本和動(dòng)態(tài)性能：開(kāi)通損耗、關(guān)斷損耗大幅下降，避免硅快恢復(fù)二極管的高反向恢復(fù)損耗。

易于替換傳統(tǒng)IGBT模塊：可直接在存量市場(chǎng)或二次改造項(xiàng)目中提升效率，降本逐步替換進(jìn)口IGBT。

適合高頻Hard-Switch應(yīng)用：如儲(chǔ)能逆變、UPS、光伏組串式逆變器、車載OBC，兼具高可靠性和經(jīng)濟(jì)性。

2.4 全碳化硅功率模塊

a) 工業(yè)級(jí)Pcore?系列（E1B/E2B/34mm/EP2等）

| 產(chǎn)品系列 | 封裝類型 | 電壓（V） | 導(dǎo)通電阻 RDS(on) (mΩ) | 電流 (A) | 典型應(yīng)用 | |-----------------|-----------|-----------------------------|-----------|------------------| | Pcore?2 E2B | 半橋 | 1200 | 5.5 | 240 | 125kW儲(chǔ)能PCS、APF | | Pcore?2 34mm | 半橋 | 1200 | 15 | 80 | 工業(yè)焊機(jī) | | Pcore?4 E1B | H橋 | 650 | 27 | 40 | 逆變器/高頻DCDC | | Pcore?12 EP2 | 三相全橋 | 1200 | 65 | 25 | 商用HVAC空調(diào) | | 62mm（開(kāi)發(fā)中） | 半橋 | 1200 | 2.3 | 540 | 儲(chǔ)能/光伏大電流 | | ED3（開(kāi)發(fā)中） | 半橋 | 1200 | 1.8 | 720 | 高功率儲(chǔ)能/UPS |

技術(shù)亮點(diǎn)

高性能設(shè)計(jì)，內(nèi)置SiC SBD，消除IGBT/PN二極管“尾電流”、提高互補(bǔ)功率密度

采用高可靠性Si?N? AMB陶瓷基板，導(dǎo)熱性能優(yōu)于Al?O?或傳統(tǒng)鋁基

實(shí)時(shí)NTC溫度傳感器集成，支持安全監(jiān)控

支持Press-Fit、焊接兩種工藝，模組配套靈活

極低雜散電感，部分型號(hào)低至14nH，可優(yōu)化高頻開(kāi)關(guān)和系統(tǒng)EMI

應(yīng)用系統(tǒng)仿真與驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)服務(wù)完善，可一站式適配

應(yīng)用場(chǎng)景

儲(chǔ)能PCS（功率變流器）、光伏逆變器、大功率充電樁、有源濾波器APF、工業(yè)高頻焊機(jī)、伺服驅(qū)動(dòng)等

b) 汽車級(jí)全碳化硅模塊（Pcore?6/2/1/12）

技術(shù)亮點(diǎn)

AQG-324車規(guī)級(jí)別，通過(guò)PPAP、BIS、EVT、DVT全項(xiàng)測(cè)試

結(jié)溫支持可達(dá)175℃，高可靠超嚴(yán)苛工況穩(wěn)定

高頻率能力與低RDS(on)，適合800V快充平臺(tái)和高端車型

多芯片并聯(lián)，覆蓋大電流與高壓主驅(qū)系統(tǒng)

支持全銀燒結(jié)或先進(jìn)AMB基板，封裝國(guó)際一線水準(zhǔn)

快速替代傳統(tǒng)Si-IGBT模塊，系統(tǒng)效率提升5-10%

應(yīng)用場(chǎng)景

新能源汽車主驅(qū)、OBC、DCDC、商用車動(dòng)力系統(tǒng)

高端電動(dòng)大巴、工程機(jī)械、新型高速火車/軌道牽引

2.5 門極驅(qū)動(dòng)芯片

代表型號(hào)與參數(shù)

技術(shù)亮點(diǎn)

大電流輸出，高絕緣耐壓：適用于驅(qū)動(dòng)1200V、1700V MOSFET/IGBT/SiC器件

集成米勒鉗位、防誤開(kāi)通：優(yōu)化器件高速開(kāi)關(guān)場(chǎng)合下的可靠與EMI抑制

內(nèi)置欠壓保護(hù)、死區(qū)可調(diào)：增強(qiáng)系統(tǒng)安全

多種腳位配置適配不同拓?fù)?/strong>：副邊獨(dú)立開(kāi)關(guān)、米勒鉗位、欠壓保護(hù)可選