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賽米控推出最新MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊

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2025-09-04 14:34:44990

基本半導(dǎo)體與東芝達成戰(zhàn)略合作

日前,深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“基本半導(dǎo)體”)與東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝電子元件”)正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過將雙方擁有的先進碳化硅及IGBT芯片技術(shù),與高性能、高可靠性功率模塊技術(shù)相結(jié)合,為全球車載及工業(yè)市場提供更具競爭力的功率半導(dǎo)體解決方案。
2025-08-30 16:33:161858

一文了解功率半導(dǎo)體的可靠性測試

功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動,包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換,以及交流電(AC)和直流電(DC)之間的轉(zhuǎn)換。這種
2025-08-25 15:30:17664

森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級可靠性,為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293

RIGOL功率半導(dǎo)體動態(tài)性能測試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限,成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250

深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護功能的“系統(tǒng)級”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03

控丹佛斯eMPack系列車規(guī)級功率模塊的亮點

在下一代車規(guī)級功率器件的開發(fā)進程中,客戶需求與市場趨勢是核心導(dǎo)向,深刻影響著模塊設(shè)計邏輯。控丹佛斯eMPack 系列產(chǎn)品,正是基于此展開迭代與創(chuàng)新,為客戶提供更適配的解決方案。
2025-07-22 10:17:15891

意法半導(dǎo)體推出先進的 1600 V IGBT,面向高性價比節(jié)能家電市場

2025 年7月16日,中國——意法半導(dǎo)體發(fā)布STGWA30IH160DF2 IGBT,該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優(yōu)異的熱性能和軟開關(guān)拓撲高效運行等優(yōu)勢,特別適用于需要并聯(lián)使用的大功率
2025-07-17 10:43:176617

功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計原則和應(yīng)用特性,有機地將功率器件的設(shè)計、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。 書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36

功率半導(dǎo)體究竟是什么

站在戰(zhàn)略升級的關(guān)鍵節(jié)點,聞泰科技正在全力聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù),開啟全新發(fā)展階段。值此之際,公司特別推出 《探秘“芯”世界》系列專題,邀您一同探索半導(dǎo)體的奧秘,見證聞泰科技以創(chuàng)新引領(lǐng)行業(yè)的 "芯" 力量。
2025-07-09 11:42:191137

從原理到應(yīng)用,一文讀懂半導(dǎo)體溫控技術(shù)的奧秘

無機械傳動部件可減少因機械磨損帶來的故障。 行業(yè)內(nèi)的半導(dǎo)體溫控產(chǎn)品擁有多樣化的產(chǎn)品線,能適配不同的溫控需求場景。其中,半導(dǎo)體 TEC 溫控驅(qū)動模塊是具有代表性的產(chǎn)品類型,部分單通道、大電流、多通道大功率
2025-06-25 14:44:54

大模型在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用可行性分析

有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計時間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計和制造環(huán)節(jié)確實有實際應(yīng)用。會不會存在AI缺陷檢測。 能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測性維護中
2025-06-24 15:10:04

揚杰電子MG75HF12TLC1 IGBT模塊:大功率應(yīng)用的可靠選擇

在工業(yè)自動化和電力電子領(lǐng)域,高效、穩(wěn)定的功率半導(dǎo)體器件是確保設(shè)備性能的關(guān)鍵。揚杰電子(Yangjie Electronic)推出的MG75HF12TLC1 IGBT模塊,是一款專為高功率
2025-06-20 13:58:47731

選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊,賦能盤式電機驅(qū)動新紀(jì)元

傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開關(guān)損耗和頻率瓶頸,而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢,成為理想選擇。基本半導(dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008MR12E2G3兩款SiC MOSFET模塊,憑借其高性能與高可靠性,為盤式電機驅(qū)動器帶來革新突破。
2025-06-19 16:59:06728

揚杰電子MG600HF065TLC2 IGBT模塊:大功率應(yīng)用的卓越解決方案

在當(dāng)今新能源和工業(yè)電力電子領(lǐng)域,高效、可靠的功率半導(dǎo)體器件是實現(xiàn)設(shè)備高性能運行的核心。揚杰推出的MG600HF065TLC2 IGBT模塊,以其卓越的性能和可靠性,成為高功率應(yīng)用的理想選擇。 產(chǎn)品
2025-06-19 16:56:42530

揚杰電子MG35P12E1A IGBT模塊:高效能電力電子解決方案

在當(dāng)今工業(yè)自動化和電力電子領(lǐng)域,高效、可靠的功率半導(dǎo)體器件是各類設(shè)備穩(wěn)定運行的核心。揚杰電子推出的MG35P12E1A IGBT模塊,正是為滿足這一需求而設(shè)計的高性能解決方案。這款模塊集成了絕緣柵雙
2025-06-18 17:52:14645

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

傳統(tǒng)IGBT,成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著能效的躍升,更將重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動
2025-06-09 07:07:17727

什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?

IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件,通過柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài): ? 結(jié)構(gòu)特性 ?:融合
2025-05-26 14:37:052284

部分外資廠商IGBT模塊失效報告作假對中國功率模塊市場的深遠影響

部分IGBT模塊廠商失效報告作假的根本原因及其對中國功率模塊市場的深遠影響,可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競爭等多維度分析,并結(jié)合中國功率模塊市場的動態(tài)變化進行綜合評估: 一、失效報告作假的根本原因 技術(shù)
2025-05-23 08:37:56801

從清華大學(xué)到鎵未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!

從清華大學(xué)到鎵未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起,憑借領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02

國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性

國產(chǎn)SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
2025-05-18 14:52:081323

比亞迪半導(dǎo)體亮相PCIM Europe 2025

近日,全球功率電子行業(yè)盛會PCIM Europe 2025在德國紐倫堡開幕。作為中國功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),比亞迪半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案亮相,產(chǎn)品覆蓋汽車、工業(yè)、新能源等應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-05-14 17:09:291455

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)IGBT驅(qū)動能效升級

隨著新能源汽車、工業(yè)自動化、可再生能源的快速發(fā)展,IGBT的市場需求持續(xù)增長。聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)積極布局IGBT領(lǐng)域,迎接廣闊發(fā)展機遇,為未來增長提供動力。
2025-05-14 09:51:23896

控丹佛斯功率模塊助力SMA光伏方案

SiC MOSFETs的控丹佛斯功率模塊?!癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計的模塊化平臺,旨在進一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。
2025-05-12 13:37:23805

控丹佛斯與中車時代半導(dǎo)體簽署合作備忘錄

近日,全球領(lǐng)先的電力電子供應(yīng)商控丹佛斯與創(chuàng)新型芯片研發(fā)制造商中車時代半導(dǎo)體宣布簽署合作備忘錄(MOU),雙方將在功率模塊芯片技術(shù)的開發(fā)與供應(yīng)領(lǐng)域展開合作。
2025-05-09 11:30:24922

新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊

近日,英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊,旨在提升電動汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失,還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行,標(biāo)志著電力電子技術(shù)的又一次進步
2025-05-06 14:08:48714

龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A IGBT

功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實現(xiàn)更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應(yīng)用場景設(shè)計。依托先進工藝平臺與系統(tǒng)化設(shè)計能力,為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動力。
2025-04-29 14:43:471042

陸芯科技斬獲2024-2025電動車領(lǐng)域功率半導(dǎo)體年度明星產(chǎn)品獎

在剛剛落幕的CIAS 2025動力·能源與半導(dǎo)體大會上,陸芯科技憑借Hybrid-IGBT系列產(chǎn)品的卓越表現(xiàn),一舉摘得【2024-2025功率半導(dǎo)體年度明星產(chǎn)品獎】!這一榮譽不僅是對陸芯科技創(chuàng)新能力的國際級認可,更是對其“以技術(shù)賦能產(chǎn)業(yè)”初心的強力背書。
2025-04-28 11:39:38896

納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK功率模塊

納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊,該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù),經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計和驗證,適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境,重點確??煽啃耘c耐高溫
2025-04-22 17:06:39980

上汽英飛凌無錫擴建功率半導(dǎo)體項目 投資3.1億元提升產(chǎn)能!

近日,上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布了關(guān)于其無錫擴建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項目的環(huán)境影響評價(環(huán)評)公告。該項目的總投資額達到3.1億元人民幣,計劃選址于無錫分公司,旨在進一步提升其生
2025-04-21 11:57:13785

功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298

功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化先鋒:長晶科技的創(chuàng)新與崛起

場浪潮中,長晶科技憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與全產(chǎn)業(yè)鏈布局,成為國產(chǎn)化進程中的標(biāo)桿企業(yè)。 技術(shù)創(chuàng)新:突破高端功率器件壁壘 長晶科技聚焦功率半導(dǎo)體核心器件,在MOSFET和IGBT兩大領(lǐng)域取得顯著成果。在消費電子領(lǐng)域
2025-04-09 17:25:321180

功率半導(dǎo)體與集成技術(shù):開啟能源與智能新紀(jì)元

本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機遇,并對未來發(fā)展趨勢進行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,在新能源、工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域發(fā)揮
2025-04-09 13:35:401445

碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT功率模塊作為當(dāng)前市場上
2025-04-02 10:59:415531

IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實驗的重要性

深度分析:從IGBT模塊可靠性問題看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實驗的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導(dǎo)致國內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元,這一案例凸顯了功率半導(dǎo)體模塊可靠性測試的極端重要性。國產(chǎn)SiC
2025-03-31 07:04:501316

MOSFET與IGBT的區(qū)別

的主要因素,討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓撲的影響。 SMPS的進展一直以來,離線式SMPS產(chǎn)業(yè)由功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的功率元件發(fā)展所推動。作為主要的功率開關(guān)器件IGBT功率MOSFET和功率二極管正不斷
2025-03-25 13:43:17

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列。
2025-03-19 14:31:281103

IGBT模塊封裝:高效散熱,可靠性再升級!

在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使用壽命,還關(guān)系到整個電力電子系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性
2025-03-18 10:14:051536

第三代功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體榮獲領(lǐng)益智造“金石供應(yīng)商”稱號

? 日前,廣東領(lǐng)益智造股份有限公司(簡稱“領(lǐng)益智造”)2025年供應(yīng)商大會于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達斯(無錫)半導(dǎo)體有限公司(簡稱“納微半導(dǎo)體”)憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù),與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:043894

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767

見證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價格首次低于IGBT!

進入2025年以來,全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認知提前十幾年見證功率半導(dǎo)體歷史拐點:SiC碳化硅MOSFET價格開始低于IGBT!主要源于技術(shù)突破、產(chǎn)能
2025-03-03 16:28:221386

華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會

近日,華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會,共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計、制造、材料等領(lǐng)域的最新進展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531172

優(yōu)恩半導(dǎo)體推出多功能電源保護模塊

優(yōu)恩半導(dǎo)體(UNSEMI)推出的多功能電源保護模塊,專為工業(yè)電源在應(yīng)用中可能會遇到的各種復(fù)雜問題而設(shè)計。
2025-02-19 14:42:01995

功率半導(dǎo)體驅(qū)動電源設(shè)計(一)綜述

工業(yè)應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體的驅(qū)動電源功率不大,設(shè)計看似簡單,但要設(shè)計出簡單低成本的電路并不容易,主要難點有幾點:1電路要求簡潔,占用線路板面積要小一個EasyPACK2B1200V100A六單元IGBT
2025-02-14 18:02:56826

華潤微電子推出多領(lǐng)域應(yīng)用功率模塊新品

、白電等領(lǐng)域。 據(jù)悉,隨著科技的飛速進步,5G通信、人工智能、新能源等諸多新興領(lǐng)域展現(xiàn)出蓬勃發(fā)展態(tài)勢,帶動功率半導(dǎo)體市場需求持續(xù)提升。特別是在汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域,功率模塊逐漸成為“新寵”。 以新能源汽車為例,中汽協(xié)最新發(fā)布的數(shù)據(jù)顯
2025-02-14 11:04:01995

功率半導(dǎo)體展 聚焦 APSME 2025,共探功率半導(dǎo)體發(fā)展新征程

2025 亞洲國際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦;展會將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場,打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術(shù)交流平臺,集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742

高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾佳
2025-02-10 09:41:151007

高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾
2025-02-09 20:17:291126

濕度大揭秘!如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻?

近年來,隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而,這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度,這對功率半導(dǎo)體器件的運行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527

意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640

意法半導(dǎo)體推出250W MasterGaN參考設(shè)計

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計,意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。
2025-02-06 11:31:151132

儲能變流器PCS中碳化硅功率模塊全面取代IGBT模塊

在儲能變流器(PCS)中,碳化硅(SiC)功率模塊全面取代傳統(tǒng)IGBT模塊的趨勢主要源于其顯著的技術(shù)優(yōu)勢、成本效益以及系統(tǒng)級性能提升。SiC模塊在PCS中取代IGBT的核心邏輯在于:高頻高效降低系統(tǒng)
2025-02-05 14:37:121184

第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用

本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動汽車的核心部件中,車用功率模塊(當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT)占據(jù)著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵性能,還占據(jù)了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150

瑤華半導(dǎo)體:引領(lǐng)大功率射頻封測技術(shù),助力5G與能源應(yīng)用

無線通信的有效傳輸。作為大功率射頻功放器件封測的領(lǐng)先企業(yè), 瑤華半導(dǎo)體 憑借強大的技術(shù)實力與創(chuàng)新能力,已在行業(yè)中獲得廣泛認可,成為通信與能源應(yīng)用領(lǐng)域的重要合作伙伴。 01 關(guān)于瑤華半導(dǎo)體 瑤華半導(dǎo)體專注于LDMOS、GaN等大功率射頻空腔器件以及IGBT、
2025-01-14 09:22:181813

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819

意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動器概述

意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331278

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328

英諾科登陸港交所,氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場

近日,全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾科(2577.HK)成功登陸港交所主板,為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾科作為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司,其在
2025-01-06 11:29:141123

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