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?LMR60406-Q1 同步降壓轉換器技術文檔總結

科技綠洲 ? 2025-09-25 14:21 ? 次閱讀
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LMR60406-Q1 是一款 3V 至 36V (42V 瞬態(tài))、0.6A 同步降壓轉換器,專為汽車應用而設計。LMR60406-Q1 采用超緊湊的 2.5mm × 2mm HotRod QFN-9 封裝,提供擴頻變體,并提供可潤濕側翼,可降低電感并實現(xiàn)低電磁干擾 (EMI) 性能,從而促進汽車和其他噪聲敏感設計的認證。所有器件型號都能夠通過在輸出電壓節(jié)點、反饋和接地之間包括一個電阻分壓器,實現(xiàn) 1V 至 20V 的輸出電壓范圍。該器件的每種變體還能夠通過將輸出電壓節(jié)點直接連接到反饋引腳來提供固定的輸出電壓。器件比較表提供了有關固定輸出電壓選項的詳細信息。電流模式控制架構具有30ns(典型值)的最小導通時間,可在高頻下實現(xiàn)高轉換比、輕松的環(huán)路補償、快速瞬態(tài)響應以及出色的負載和線路調節(jié)。漏極開路電源良好輸出有助于滿足電源排序要求。LMR60406-Q1 的 MODE/SYNC 引腳允許用戶在工作模式之間進行選擇。強制脈寬調制 (FPWM) 模式可在負載兩端實現(xiàn)恒定的開關頻率,而自動模式允許在脈寬調制 (PWM) 和脈沖頻率調制 (PFM) 開關之間無縫過渡。在自動模式下,LMR60406-Q1僅消耗5μA的靜態(tài)電流,有助于在所有負載下實現(xiàn)高效率。幾乎不需要外部元件,從而實現(xiàn)緊湊的PCB布局。LMR60406-Q1 是引腳兼容器件系列的一部分,電流水平范圍為 0.6A 至 6A。
*附件:lmr60406-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應用
    • 器件溫度等級 1:–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 寬工作輸入電壓:3V 至 36V(絕對最大值 42V)
  • 引腳可編程輸出電壓選項提供固定 3.3V/ADJ 和 5V/ADJ
    • 可調輸出電壓范圍為 1V 至 20V
  • 低最小tON (典型值為30ns)
  • 針對低電磁干擾 (EMI) 要求進行了優(yōu)化:
    • 低電感HotRod? QFN封裝
    • 提供高級擴頻選項
  • 可編程開關頻率范圍為 200kHz – 2.2MHz
  • 提供 FPWM、PFM 或外部頻率同步
  • 超低靜態(tài)電流
    • 關斷電流:0.65μA
    • 待機電流:5μA
  • 專為可擴展電源而設計
    • 與 LMR60410-Q1、LMR60420-Q1、LMR60430-Q1 和 LMR60440-Q1 引腳兼容
  • 用于電源排序的電源良好輸出

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?
LMR60406-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級同步降壓轉換器,具有以下核心特性:

  • ?寬輸入電壓范圍?:3V至36V(瞬態(tài)耐受42V)
  • ?輸出能力?:0.6A電流,支持1V至20V可調或固定輸出(3.3V/5V選項)
  • ?封裝?:2.5mm × 2mm HotRod? QFN-9封裝,低電感設計優(yōu)化EMI性能
  • ?功能安全?:符合AEC-Q100 Grade 1標準(-40°C至125°C環(huán)境溫度)

?2. 關鍵特性?

  • ?高效能設計?:
    • 超低靜態(tài)電流(關機0.65μA,待機5μA)
    • 支持FPWM/PFM/外部同步模式,切換頻率200kHz-2.2MHz可編程
  • ?EMI優(yōu)化?:內(nèi)置擴頻功能,可選HotRod封裝降低電磁干擾
  • ?保護功能?:
    • 輸入過壓保護(OVP)、欠壓鎖定(UVLO)
    • 熱關斷(165°C閾值)、打嗝模式(短路保護)
    • 電源良好(PG)信號輸出,支持系統(tǒng)時序控制

?3. 應用場景?

  • 汽車信息娛樂系統(tǒng)
  • 高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)
  • 車身電子控制模塊

?4. 引腳與功能?

  • ?核心引腳?:
    • ?VIN?(輸入電源)、?SW?(開關節(jié)點)、?FB?(反饋/固定電壓選擇)
    • ?MODE/SYNC?(模式選擇/外部同步)、?PG?(電源良好指示)
  • ?工作模式?:通過MODE/SYNC引腳選擇自動(PFM)、強制PWM(FPWM)或外部時鐘同步模式。

?5. 設計要點?

  • ?輸出配置?:
    • 固定電壓:FB直接連接輸出
    • 可調電壓:需外部分壓電阻(RFBT/RFBB)
  • ?布局建議?:縮短VIN/CIN、PGND路徑以降低噪聲。

?6. 電氣參數(shù)?

  • ?典型性能?:
    • 高側MOSFET導通電阻245mΩ(典型值)
    • 最小導通時間30ns,支持高降壓比
    • 軟啟動時間6ms(典型值)
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