傾佳電子行業(yè)洞察：SiC時(shí)代器件工程師CE的戰(zhàn)略價(jià)值、專業(yè)發(fā)展路徑與核心技術(shù)評(píng)估報(bào)告

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

I. 引言：SiC時(shí)代CE角色的重塑與戰(zhàn)略地位

碳化硅（SiC）技術(shù)作為寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料的代表，正以前所未有的速度和深度顛覆傳統(tǒng)電力電子行業(yè) 。相比傳統(tǒng)硅（Si）器件，SiC MOSFET具有更高的擊穿電場(chǎng)、出色的熱導(dǎo)率和更高的電子飽和速率 。這些物理特性轉(zhuǎn)化為顯著的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)：極低的開(kāi)關(guān)損耗和更高的開(kāi)關(guān)速度 。這種技術(shù)變革使得電力電子系統(tǒng)能夠大幅提高工作頻率，從而縮小無(wú)源元件（如電感、電容）的尺寸，最終實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更輕的重量和更高的系統(tǒng)效率 。

在這一技術(shù)背景下，器件工程師（Component Engineer, CE）的專業(yè)職能和戰(zhàn)略地位正在被重塑。傳統(tǒng)上，CE的工作側(cè)重于零部件的篩選、認(rèn)證和供應(yīng)鏈管理。然而，SiC器件的特性（如高dv/dt）使得器件的物理性能與系統(tǒng)級(jí)的電磁和熱環(huán)境高度耦合。因此，CE的角色已從被動(dòng)的部件管理人，升級(jí)為主動(dòng)定義技術(shù)架構(gòu)的關(guān)鍵角色 。CE現(xiàn)在必須站在系統(tǒng)整體魯棒性的角度，評(píng)估SiC器件的電熱和電磁性能，將技術(shù)優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品可靠性和成本效益，從而在企業(yè)的技術(shù)價(jià)值鏈中占據(jù)更為核心的戰(zhàn)略地位。

II. 器件工程師（CE）的核心價(jià)值與職業(yè)發(fā)展路徑

A. CE在傳統(tǒng)電力電子供應(yīng)鏈中的核心職責(zé)

在SiC技術(shù)尚未普及之前，CE的核心價(jià)值體現(xiàn)在對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量、成本和供應(yīng)鏈的保障上。CE的基礎(chǔ)職能包括：對(duì)電氣和機(jī)械部件進(jìn)行全面評(píng)估、鑒定和管理，以確保產(chǎn)品可靠性、成本效益和符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 。在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段，CE需要與設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)緊密合作，進(jìn)行供應(yīng)商選擇和技術(shù)分析，并負(fù)責(zé)創(chuàng)建和維護(hù)關(guān)鍵的零部件基礎(chǔ)文件，例如界定關(guān)鍵特性、識(shí)別潛在失效模式（DFMEA）以及驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)（如DVP&R）。此外，CE還承擔(dān)著重要的質(zhì)量和風(fēng)險(xiǎn)管理職責(zé)，包括識(shí)別和減輕商業(yè)現(xiàn)貨（COTS）部件的假冒風(fēng)險(xiǎn)，以及維護(hù)UL、ETL、CSA等認(rèn)證機(jī)構(gòu)的合規(guī)性 。

B. SiC時(shí)代CE角色的“升維”與專業(yè)重塑

SiC器件的超快速開(kāi)關(guān)特性，特別是其產(chǎn)生的高dv/dt，極大地挑戰(zhàn)了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)邊界，要求CE的專業(yè)能力實(shí)現(xiàn)“升維”。SiC MOSFET較低的柵極閾值電壓（VGS(th)?）和快速的開(kāi)關(guān)速度，使得器件對(duì)米勒效應(yīng)和電磁干擾（EMI）異常敏感。由此產(chǎn)生的結(jié)果是，SiC MOSFET與柵極驅(qū)動(dòng)器必須被視為一個(gè)整體的**“驅(qū)動(dòng)子系統(tǒng)”進(jìn)行評(píng)估。CE必須摒棄孤立的元件思維，轉(zhuǎn)而評(píng)估器件-驅(qū)動(dòng)-布局**的整體系統(tǒng)魯棒性，尤其是在控制高速開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的寄生導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)方面 。

這種職能重塑要求CE拓展其核心技能集。首先是熱電耦合分析能力，這要求CE不僅要了解R_{DS(on)}在高溫下的變化趨勢(shì)（例如分立器件B3M013C120Z的RDS(on)在175時(shí)比25度增加約70% ），還必須將這些數(shù)據(jù)與模塊的極低熱阻（如 0.07K/W ）結(jié)合起來(lái)，利用仿真工具（例如PLECS ）精確預(yù)測(cè)損耗和結(jié)溫。其次是 高頻電磁兼容性，SiC模塊追求極低的雜散電感（≤14nH ），CE需要掌握PCB布局對(duì)這些寄生參數(shù)的精確控制，并通過(guò)使用Kelvin Source（如TO-247-4封裝中的Pin 3 ）來(lái)優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)回路，以最大限度地抑制開(kāi)關(guān)噪聲。最后，CE必須深入研究

SiC的可靠性工程，理解其特有的失效機(jī)制（如柵氧退化、Vth漂移 和功率循環(huán)能力 ），參與壽命測(cè)試和故障根因分析 。

C. CE的職業(yè)發(fā)展高階路徑：器件架構(gòu)師與可靠性專家

隨著經(jīng)驗(yàn)積累和專業(yè)深度的增加，資深CE的職業(yè)發(fā)展可以向戰(zhàn)略性和專業(yè)化的更高階角色延伸。

器件架構(gòu)師 (Component Architect) 專注于SiC PowerMOSFET的創(chuàng)新性產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和規(guī)格定義 。這一角色要求工程師具備深厚的半導(dǎo)體物理背景和制造經(jīng)驗(yàn)，負(fù)責(zé)定義功率器件的架構(gòu)、推導(dǎo)嚴(yán)格的技術(shù)規(guī)格限制，并負(fù)責(zé)最終器件的技術(shù)發(fā)布。通常，要?jiǎng)偃芜@種對(duì)技術(shù)洞察和跨職能協(xié)作要求極高的崗位，需要7至8年的組件工程經(jīng)驗(yàn)，并擁有電子工程或相關(guān)領(lǐng)域的學(xué)士學(xué)位，且最好具備電力電子經(jīng)驗(yàn) 。SiC技術(shù)的復(fù)雜性直接推高了對(duì)這類高級(jí)人才的需求和職級(jí)上限。

可靠性與寬禁帶材料專家則專精于SiC的封裝可靠性、熱性能和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。鑒于SiC器件的高溫（可達(dá)175°C ）和高功率密度運(yùn)行產(chǎn)生的巨大熱機(jī)械應(yīng)力，CE需要成為先進(jìn)封裝材料技術(shù)的權(quán)威。例如，氮化硅（ Si3?N4?）基板相比傳統(tǒng)的Al2O3或AlN}，具有更高的抗彎強(qiáng)度（700N/mm2）和優(yōu)異的功率循環(huán)能力 。CE負(fù)責(zé)量化這些高可靠性材料的價(jià)值回報(bào)，以確保器件在極端熱應(yīng)力下的長(zhǎng)期可靠性，成為器件選型和故障根因分析的權(quán)威技術(shù)支撐。

III. SiC功率器件對(duì)電力電子產(chǎn)品發(fā)展的量化價(jià)值分析

SiC功率器件為新一代電力電子產(chǎn)品帶來(lái)的價(jià)值是可以通過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)精確量化的，它體現(xiàn)在系統(tǒng)效率、功率密度和熱管理性能的代際飛躍。

A. 效率和損耗的革命性提升

針對(duì)典型電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行的一項(xiàng)仿真對(duì)比分析，采用了62mm SiC MOSFET半橋模塊（BMF540R12KA3）與同規(guī)格IGBT模塊（FF800R12KE7）。在800 V母線電壓、300A相電流、和80獨(dú)散熱器溫度的工況下，仿真結(jié)果清晰地展示了SiC在損耗方面的絕對(duì)優(yōu)勢(shì) 。

Table 1: SiC MOSFET模塊與IGBT模塊在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的性能量化對(duì)比

分析顯示，即使SiC模塊的開(kāi)關(guān)頻率是IGBT的兩倍，其單開(kāi)關(guān)總損耗仍比IGBT低約78.3% 。這一巨大優(yōu)勢(shì)主要源于開(kāi)關(guān)損耗的大幅降低，降幅高達(dá) 89.1%。這種革命性的開(kāi)關(guān)性能提升使得整機(jī)效率從97.25%提高到99.39%（絕對(duì)值提升2.14%）。這種低損耗特性使得SiC技術(shù)能夠

解鎖傳統(tǒng)IGBT無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高頻高功率密度應(yīng)用，徹底改變了系統(tǒng)設(shè)計(jì)范式。

B. 功率密度和電流輸出能力的提升

SiC模塊的低總損耗直接轉(zhuǎn)化為其在熱約束下的更高功率輸出能力。在限制最高結(jié)溫175C的可靠性邊界下，SiC模塊（BMF540R12KA3）可支持520.5 Arms的相電流輸出，而同工況下的IGBT模塊（FF800R12KE7）僅能支持446Arms 。這意味著SiC在相同的散熱條件下，電流輸出能力提升了約 16.7% 。

在系統(tǒng)集成層面，損耗的顯著降低使得對(duì)散熱系統(tǒng)的要求大幅下降。研究結(jié)果表明，采用SiC-MOSFET的解決方案可以將系統(tǒng)重量和材料成本分別降低39%和10.9%，同時(shí)實(shí)現(xiàn)全工作范圍內(nèi)的超高效率 。這種

高效率、高電流輸出和高開(kāi)關(guān)頻率的組合，使得系統(tǒng)功率密度顯著提升，對(duì)于光伏逆變器、儲(chǔ)能PCS、電動(dòng)汽車充電樁和感應(yīng)加熱等應(yīng)用具有重大的經(jīng)濟(jì)和技術(shù)價(jià)值 。

C. 可靠性與系統(tǒng)壽命的改善

SiC模塊的低損耗特性直接提升了產(chǎn)品的可靠性。在上述仿真工況中，SiC模塊的最高結(jié)溫為109.49°C，比IGBT的129.14°C降低了近20°C 。降低平均工作結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)（ ΔTJ?）是延長(zhǎng)功率器件壽命，特別是功率循環(huán)壽命的關(guān)鍵 。SiC本身具備三倍于硅材料的熱導(dǎo)率 ，結(jié)合其低損耗特性，使得器件能夠承受更長(zhǎng)時(shí)間的熱循環(huán)。此外，通過(guò)采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，如高抗彎強(qiáng)度的氮化硅（ Si3?N4?）基板 ，可以有效地管理SiC在高溫下運(yùn)行所產(chǎn)生的熱機(jī)械應(yīng)力，從而使SiC功率模塊的壽命接近甚至超過(guò)傳統(tǒng)硅基模塊的可靠性水平 。

IV. SiC功率器件的技術(shù)選型與工程評(píng)估框架

CE在SiC時(shí)代的選型工作必須基于對(duì)器件靜態(tài)、動(dòng)態(tài)和熱學(xué)特性的深度理解，并根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的分立器件或高性能模塊

A. 靜態(tài)參數(shù)與高溫導(dǎo)通性能

在靜態(tài)性能評(píng)估中，導(dǎo)通電阻R_{DS(on)}至關(guān)重要。CE必須特別關(guān)注$R_{DS(on)}$的溫度系數(shù)，因?yàn)镾iC器件在高溫下的導(dǎo)通損耗會(huì)增加。CE需要確保器件在最高工作結(jié)溫下的最大R_{DS(on)}仍能滿足系統(tǒng)的效率指標(biāo)。 柵極閾值電壓（VGS(th)?）是另一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，其值隨溫度升高而降低 。

V_{GS(th)}的降低使得器件在高溫下更容易被寄生電壓尖峰誤開(kāi)通。因此，這一特性直接決定了驅(qū)動(dòng)器必須采用負(fù)偏壓和**有源米勒鉗位（AMC）**功能，以增強(qiáng)器件在高溫下的抗干擾能力。

B. 動(dòng)態(tài)特性與高頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化

在動(dòng)態(tài)性能方面，柵極電荷 (QG?) 決定了驅(qū)動(dòng)器的功率需求和開(kāi)關(guān)速度。SiC的低QG?（例如模塊BMF540R12KA3的QG?典型值為1320nC ，分立器件B3M013C120Z為 225nC ）是實(shí)現(xiàn)高頻切換的基礎(chǔ)。

反向恢復(fù)特性是SiC MOSFET的標(biāo)志性優(yōu)勢(shì)。SiC器件的反向恢復(fù)電荷（Qrr?）和能量（Err?）接近于零，極大地減少了開(kāi)關(guān)損耗。模塊BMF540R12KA3的這種優(yōu)異的反向恢復(fù)特性是SiC實(shí)現(xiàn)高頻、高效率運(yùn)行的關(guān)鍵技術(shù)保障。

C. 封裝與熱管理的技術(shù)評(píng)估

低熱阻（Rth(j?c)?）是SiC器件發(fā)揮其高溫工作潛能的硬件基礎(chǔ)。高性能模塊BMF540R12KA3提供了每開(kāi)關(guān)0.07 K/W的極低R_{th(j-c)}典型值 ，遠(yuǎn)低于分立TO-247封裝的0.20 K/W 。如此低的電阻對(duì)于實(shí)現(xiàn)高功率密度和保持低工作結(jié)溫至關(guān)重要。

在封裝材料方面，CE應(yīng)優(yōu)先選擇高可靠性方案。氮化硅（Si3?N4?）基板擁有最高的抗彎強(qiáng)度（700N/mm2），同時(shí)具有優(yōu)異的功率循環(huán)能力 ，能夠有效抵御SiC在極端溫度變化下的熱機(jī)械應(yīng)力。此外，模塊設(shè)計(jì)必須采用低雜散電感設(shè)計(jì)（，以最小化SiC高 di/dt產(chǎn)生的電壓尖峰（Vspike?=Lσ??di/dt），確保器件在高壓下的安全運(yùn)行。

Table 2: 碳化硅功率器件關(guān)鍵技術(shù)評(píng)估指標(biāo)（分立件與模塊）

V. SiC配套柵極驅(qū)動(dòng)器的選型策略與系統(tǒng)級(jí)保護(hù)

SiC MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性要求配套柵極驅(qū)動(dòng)器必須具備高性能隔離和先進(jìn)的保護(hù)功能，以確保系統(tǒng)在極限工況下的可靠性。

A. 隔離性能與高速開(kāi)關(guān)兼容性

SiC產(chǎn)生的高dv/dt（電壓變化率）容易通過(guò)隔離柵耦合瞬態(tài)噪聲，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器誤觸發(fā)。因此，驅(qū)動(dòng)器必須提供極高的**共模瞬態(tài)抑制（CMTI）**能力。例如，BTD5452R智能隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器提供了典型的250V/ns CMTI能力，同時(shí)具$5700 V的隔離耐壓 。CE在選擇時(shí)必須確認(rèn)CMTI指標(biāo)遠(yuǎn)高于應(yīng)用中器件產(chǎn)生的實(shí)際dv/dt，這是防止橋臂直通等災(zāi)難性故障的關(guān)鍵保障。

此外，驅(qū)動(dòng)器的低傳輸延遲和低脈寬失真（PWD）（最大$leq 10 text{ ns}$）也是實(shí)現(xiàn)高頻、高精度PWM控制的基礎(chǔ) 。低延遲和低失真特性使得系統(tǒng)能夠設(shè)置更短的死區(qū)時(shí)間，進(jìn)一步提高系統(tǒng)效率。

B. 有源米勒鉗位（Active Miller Clamp, AMC）的不可或缺性

有源米勒鉗位功能是SiC驅(qū)動(dòng)器選型的強(qiáng)制性要求。由于SiC MOSFET的低VGS(th)?，使其對(duì)米勒電流( Igd?)引起的柵極電壓頂升非常敏感，極易發(fā)生誤開(kāi)通 。

AMC通過(guò)在器件關(guān)斷時(shí)，當(dāng)柵極電壓降至預(yù)設(shè)閾值（例如1.8V ）后，激活內(nèi)部低阻抗路徑，將柵極鉗位至負(fù)電源 。這種機(jī)制的量化價(jià)值在實(shí)際測(cè)試中得到了體現(xiàn)：在雙脈沖測(cè)試中，無(wú)AMC功能時(shí)，下管的寄生

$V_{GS}尖峰達(dá)到7.3V；而采用AMC后，該尖峰被有效鉗位到2V}以下 。這種將寄生尖峰電壓從遠(yuǎn)超開(kāi)啟閾值降至安全水平的能力，是CE向設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)證明AMC必要性的有力證據(jù)。BTD5452R提供的AMC典型鉗位電流能力為$1 text{ A}$（@ VCLAMP?=1V）。

C. 集成故障保護(hù)機(jī)制

SiC驅(qū)動(dòng)器必須具備快速響應(yīng)的故障保護(hù)和安全的關(guān)斷程序。退飽和（DESAT）短路保護(hù)是核心功能，BTD5452R集成了DESAT檢測(cè)（閾值9.0V ），并在檢測(cè)到短路后啟動(dòng)

軟關(guān)斷（Soft Shutdown）。

軟關(guān)斷程序通過(guò)限制門極關(guān)斷電流（典型值150mA ），以受控的 di/dt關(guān)斷器件，從而避免在短路關(guān)斷瞬間在低寄生電感電路中產(chǎn)生毀滅性的過(guò)電壓尖峰 。軟關(guān)斷是對(duì)SiC高開(kāi)關(guān)速度的 安全緩沖。此外，驅(qū)動(dòng)器還集成有電源欠壓鎖定（UVLO）和上電準(zhǔn)備（RDY）引腳指示，例如$(V_{DD}-V_{SS})$ UVLO保護(hù)點(diǎn)為10.4V 。RDY引腳確保驅(qū)動(dòng)器僅在原方和副方電源處于穩(wěn)定且安全電壓時(shí)才投入運(yùn)行，避免因供電不足導(dǎo)致的導(dǎo)通損耗和誤操作。

Table 3: SiC專用隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器（BTD5452R）關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)與保護(hù)功能

VI. 結(jié)論與CE行動(dòng)路線圖

結(jié)論

SiC功率器件為電力電子企業(yè)產(chǎn)品發(fā)展提供了明確的代際升級(jí)價(jià)值，集中體現(xiàn)在效率、功率密度和熱管理的綜合優(yōu)勢(shì)上。量化分析結(jié)果表明，SiC技術(shù)在將開(kāi)關(guān)頻率翻倍的同時(shí)，能將總損耗降低超過(guò)78%，使整機(jī)效率達(dá)到99.39% 。此外，在熱約束下，SiC模塊的電流輸出能力提升了 16.7% 。這些優(yōu)勢(shì)共同作用，賦予了企業(yè)產(chǎn)品更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本 。

深圳市傾佳電子有限公司（簡(jiǎn)稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動(dòng)者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲(chǔ)能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；
交通電動(dòng)化：服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)（電控、電池、電機(jī)）及高壓平臺(tái)升級(jí)；
數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國(guó)家“雙碳”政策（碳達(dá)峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
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CE的核心價(jià)值在于將SiC器件（如低R_{th(j-c)}的模塊和先進(jìn)封裝技術(shù)）以及配套的智能柵極驅(qū)動(dòng)器（如具備高CMTI、DESAT和AMC功能的BTD5452R）視為一個(gè)完整的系統(tǒng)，通過(guò)嚴(yán)格的技術(shù)評(píng)估和集成策略，將SiC技術(shù)的潛力轉(zhuǎn)化為安全、可靠、高競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。

CE行動(dòng)路線圖

為適應(yīng)SiC時(shí)代的技術(shù)要求并實(shí)現(xiàn)專業(yè)進(jìn)階，器件工程師（CE）應(yīng)重點(diǎn)關(guān)注以下行動(dòng)路線：

深化SiC器件選型能力： 掌握對(duì)R_{DS(on)}的高溫特性、極低熱阻（如$0.07 K/W}）、以及低雜散電感封裝（ ≤14nH）的量化評(píng)估。同時(shí)，將 Si3?N4?基板和銅基板等高可靠性材料納入選型框架。

驅(qū)動(dòng)器集成策略的標(biāo)準(zhǔn)化： 將具備有源米勒鉗位（AMC）功能（例如1 A鉗位電流 ）的專用隔離驅(qū)動(dòng)器作為SiC系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)配置，并利用實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)（如將寄生電壓從7.3V鉗位至2 V）論證AMC的必要性。

系統(tǒng)級(jí)仿真技能的培養(yǎng)： 熟練運(yùn)用PLECS等系統(tǒng)級(jí)仿真工具，對(duì)SiC器件的損耗和熱特性進(jìn)行精確建模和預(yù)測(cè)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)和散熱方案提供數(shù)據(jù)支撐，從而優(yōu)化產(chǎn)品性能。

專業(yè)進(jìn)階路徑的規(guī)劃： 積累深度技術(shù)經(jīng)驗(yàn)（7-8年），通過(guò)深厚的半導(dǎo)體物理和可靠性工程背景，向器件架構(gòu)師或可靠性專家方向發(fā)展，主導(dǎo)SiC產(chǎn)品架構(gòu)的定義和技術(shù)規(guī)格的制定 。

審核編輯 黃宇