DRV8770器件提供兩個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓，而 GVDD 驅(qū)動低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達 750mA 的柵極驅(qū)動電流和 1.5A 的灌電流。

柵極驅(qū)動引腳的高耐壓性提高了系統(tǒng)的魯棒性。SHx 相位引腳可以承受顯著的負電壓瞬變，而高側(cè)柵極驅(qū)動器電源可以在 BSTx 和 GHx 引腳上支持更高的正電壓瞬變（絕對最大值 115 V）。小傳播延遲和延遲匹配規(guī)格最大限度地減少了死區(qū)時間要求，從而進一步提高了效率。通過 GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側(cè)和高側(cè)提供欠壓保護。
*附件：drv8770.pdf

特性

• 100V H 橋柵極驅(qū)動器
  • 驅(qū)動 N 溝道 MOSFET （NMOS）
  • 柵極驅(qū)動器電源 （GVDD）：5-20 V
  • MOSFET 電源 （SHx） 支持高達 100 V
• 集成自舉二極管
• 支持反相和同相 INLx 輸入（QFN 封裝）
• Bootstrap 柵極驅(qū)動架構(gòu)
  • 750mA 源電流
  • 1.5-A 灌電流
• 支持長達 15 秒的電池供電應用
• SHx 引腳上的低漏電流 （<55 μA）
• 絕對最大 BSTx 電壓高達 115V
• 在 SHx 引腳上支持低至 -22 V 的負瞬變
• 通過QFN封裝中的DT引腳可調(diào)節(jié)死區(qū)時間
• 在TSSOP封裝中插入200 ns的固定死區(qū)時間
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入，最大絕對值為 20V
• 4ns 典型傳播延遲匹配
• 緊湊的QFN和TSSOP封裝和封裝
• 使用電源塊進行高效的系統(tǒng)設計
• 集成保護功能
  • BST 欠壓鎖定 （BSTUV）
  • GVDD 欠壓 （GVDDUV）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?高壓驅(qū)動?：支持100V H橋驅(qū)動，可驅(qū)動N溝道MOSFET，柵極驅(qū)動電源（GVDD）范圍5-20V，MOSFET電源（SHx）最高支持100V。
• ?集成設計?：內(nèi)置自舉二極管，支持反相和非反相INLx輸入（QFN封裝），采用自舉柵極驅(qū)動架構(gòu)（750mA源電流，1.5A灌電流）。
• ?高效能?：支持15秒電池供電應用，SHx引腳漏電流低（<55μA），BSTx電壓絕對最大值115V，SHx引腳支持-22V負瞬態(tài)電壓。
• ?保護機制?：包括自舉欠壓鎖定（BSTUV）、GVDD欠壓鎖定（GVDDUV），以及可調(diào)死區(qū)時間（QFN封裝通過DT引腳，TSSOP封裝固定200ns死區(qū)）。

?2. 關(guān)鍵功能模塊?

• ?電源管理?：GVDD為低側(cè)MOSFET提供柵極驅(qū)動電壓，自舉電容和二極管為高側(cè)MOSFET生成驅(qū)動電壓。
• ?邏輯輸入?：支持3.3V和5V邏輯輸入，20V絕對最大值，4ns典型傳播延遲匹配。
• ?封裝選項?：提供24引腳VQFN（4mm×4mm）和20引腳TSSOP（6.4mm×4.4mm）兩種封裝。

?3. 應用場景?

• 電動自行車、電動滑板車、電動移動設備
• 無繩花園工具、電動工具、割草機
• 無繩吸塵器、無人機、機器人、RC玩具
• 工業(yè)和物流機器人、電動工具

?4. 技術(shù)亮點?

• ?自舉架構(gòu)?：集成自舉二極管，簡化高側(cè)MOSFET驅(qū)動設計。
• ?靈活死區(qū)控制?：QFN封裝可通過DT引腳電阻調(diào)整死區(qū)時間（200ns至2000ns），TSSOP封裝固定200ns死區(qū)。
• ?模式選擇?：QFN封裝的MODE引腳可選擇INLx輸入反相或非反相模式，TSSOP封裝默認反相模式。
• ?負瞬態(tài)耐受?：SHx引腳支持-22V瞬態(tài)電壓，BSTx引腳支持115V絕對最大電壓。

?5. 保護功能?

• ?欠壓保護?：GVDD和BSTx欠壓鎖定，防止柵極驅(qū)動電壓不足。
• ?熱管理?：結(jié)溫范圍-40°C至150°C，提供熱阻參數(shù)（如VQFN封裝RθJA為49.3°C/W）。

?6. 典型應用設計?

• ?自舉電容選擇?：建議使用100nF電容，確保電壓跌落不超過1V。
• ?GVDD電容?：推薦值為自舉電容的10倍（如1μF），采用低ESR陶瓷電容。
• ?布局建議?：縮短GHx/SHx/GLx走線長度，減少寄生電感；自舉電容和GVDD電容需靠近器件引腳。

?7. 文檔結(jié)構(gòu)?

• 包含特性、引腳說明、電氣參數(shù)、功能框圖、典型應用電路及布局指南，提供完整的驅(qū)動器和保護配置方法。