DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，而 GVDD 驅(qū)動(dòng)低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動(dòng)電流和 1.5A 的灌電流。

柵極驅(qū)動(dòng)引腳的高耐壓性提高了系統(tǒng)的魯棒性。SHx 相位引腳可以承受顯著的負(fù)電壓瞬變，而高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器電源可以在 BSTx 和 GHx 引腳上支持更高的正電壓瞬變（絕對(duì)最大值 115 V）。小傳播延遲和延遲匹配規(guī)格最大限度地減少了死區(qū)時(shí)間要求，從而進(jìn)一步提高了效率。通過(guò) GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側(cè)和高側(cè)提供欠壓保護(hù)。
*附件：drv8770.pdf

特性

• 100V H 橋柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET （NMOS）
  • 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 （GVDD）：5-20 V
  • MOSFET 電源 （SHx） 支持高達(dá) 100 V
• 集成自舉二極管
• 支持反相和同相 INLx 輸入（QFN 封裝）
• Bootstrap 柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
  • 750mA 源電流
  • 1.5-A 灌電流
• 支持長(zhǎng)達(dá) 15 秒的電池供電應(yīng)用
• SHx 引腳上的低漏電流 （<55 μA）
• 絕對(duì)最大 BSTx 電壓高達(dá) 115V
• 在 SHx 引腳上支持低至 -22 V 的負(fù)瞬變
• 通過(guò)QFN封裝中的DT引腳可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間
• 在TSSOP封裝中插入200 ns的固定死區(qū)時(shí)間
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入，最大絕對(duì)值為 20V
• 4ns 典型傳播延遲匹配
• 緊湊的QFN和TSSOP封裝和封裝
• 使用電源塊進(jìn)行高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)
• 集成保護(hù)功能
  • BST 欠壓鎖定 （BSTUV）
  • GVDD 欠壓 （GVDDUV）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?高壓驅(qū)動(dòng)?：支持100V H橋驅(qū)動(dòng)，可驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)電源（GVDD）范圍5-20V，MOSFET電源（SHx）最高支持100V。
• ?集成設(shè)計(jì)?：內(nèi)置自舉二極管，支持反相和非反相INLx輸入（QFN封裝），采用自舉柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)（750mA源電流，1.5A灌電流）。
• ?高效能?：支持15秒電池供電應(yīng)用，SHx引腳漏電流低（<55μA），BSTx電壓絕對(duì)最大值115V，SHx引腳支持-22V負(fù)瞬態(tài)電壓。
• ?保護(hù)機(jī)制?：包括自舉欠壓鎖定（BSTUV）、GVDD欠壓鎖定（GVDDUV），以及可調(diào)死區(qū)時(shí)間（QFN封裝通過(guò)DT引腳，TSSOP封裝固定200ns死區(qū)）。

?2. 關(guān)鍵功能模塊?

• ?電源管理?：GVDD為低側(cè)MOSFET提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓，自舉電容和二極管為高側(cè)MOSFET生成驅(qū)動(dòng)電壓。
• ?邏輯輸入?：支持3.3V和5V邏輯輸入，20V絕對(duì)最大值，4ns典型傳播延遲匹配。
• ?封裝選項(xiàng)?：提供24引腳VQFN（4mm×4mm）和20引腳TSSOP（6.4mm×4.4mm）兩種封裝。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• 電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)滑板車(chē)、電動(dòng)移動(dòng)設(shè)備
• 無(wú)繩花園工具、電動(dòng)工具、割草機(jī)
• 無(wú)繩吸塵器、無(wú)人機(jī)、機(jī)器人、RC玩具
• 工業(yè)和物流機(jī)器人、電動(dòng)工具

?4. 技術(shù)亮點(diǎn)?

• ?自舉架構(gòu)?：集成自舉二極管，簡(jiǎn)化高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。
• ?靈活死區(qū)控制?：QFN封裝可通過(guò)DT引腳電阻調(diào)整死區(qū)時(shí)間（200ns至2000ns），TSSOP封裝固定200ns死區(qū)。
• ?模式選擇?：QFN封裝的MODE引腳可選擇INLx輸入反相或非反相模式，TSSOP封裝默認(rèn)反相模式。
• ?負(fù)瞬態(tài)耐受?：SHx引腳支持-22V瞬態(tài)電壓，BSTx引腳支持115V絕對(duì)最大電壓。

?5. 保護(hù)功能?

• ?欠壓保護(hù)?：GVDD和BSTx欠壓鎖定，防止柵極驅(qū)動(dòng)電壓不足。
• ?熱管理?：結(jié)溫范圍-40°C至150°C，提供熱阻參數(shù)（如VQFN封裝RθJA為49.3°C/W）。

?6. 典型應(yīng)用設(shè)計(jì)?

• ?自舉電容選擇?：建議使用100nF電容，確保電壓跌落不超過(guò)1V。
• ?GVDD電容?：推薦值為自舉電容的10倍（如1μF），采用低ESR陶瓷電容。
• ?布局建議?：縮短GHx/SHx/GLx走線長(zhǎng)度，減少寄生電感；自舉電容和GVDD電容需靠近器件引腳。

?7. 文檔結(jié)構(gòu)?

• 包含特性、引腳說(shuō)明、電氣參數(shù)、功能框圖、典型應(yīng)用電路及布局指南，提供完整的驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)配置方法。