DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。該DRV8300N使用外部自舉二極管和用于高側(cè)MOSFET的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。GVDD 用于為低側(cè) MOSFET 產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)電壓。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持峰值高達(dá)750mA的源電流和1.5A的灌電流。
*附件：drv8300.pdf

相位引腳 SHx 能夠承受顯著的負(fù)電壓瞬變;而高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器電源 BSTx 和 GHx 能夠支持更高的正電壓瞬變 （125V） abs 最大電壓，從而提高系統(tǒng)的穩(wěn)健性。小傳播延遲和延遲匹配規(guī)格最大限度地減少了死區(qū)時(shí)間要求，從而進(jìn)一步提高了效率。通過 GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側(cè)和高側(cè)提供欠壓保護(hù)。

特性

• 100V 三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET （NMOS）
  • 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 （GVDD）：5-20 V
  • MOSFET 電源 （SHx） 支持高達(dá) 100 V
• 集成自舉二極管（DRV8300D器件）
• 支持反相和同相 INLx 輸入
• Bootstrap 柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
  • 750mA 源電流
  • 1.5A 灌電流
• 支持高達(dá) 15S 的電池供電應(yīng)用
• SHx 引腳上的低漏電流 （<55 μA）
• 絕對(duì)最大 BSTx 電壓高達(dá) 125V
• 在 SHx 上支持高達(dá) -22V 的負(fù)瞬變
• 內(nèi)置交叉?zhèn)鲗?dǎo)預(yù)防
• 通過 DT 引腳可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間，適用于 QFN 封裝變體
• TSSOP 封裝變體的固定死區(qū)時(shí)間插入 200 nS
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入，最大 20 V 絕對(duì)值
• 4 nS典型傳播延遲匹配
• 緊湊的QFN和TSSOP封裝
• 使用電源塊進(jìn)行高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)
• 集成保護(hù)功能
  • BST 欠壓鎖定 （BSTUV）
  • GVDD 欠壓 （GVDDUV）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
DRV8300是德州儀器（TI）推出的汽車級(jí)三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET設(shè)計(jì)，支持100V高壓應(yīng)用。

• ?核心特性?：
  • AEC-Q100認(rèn)證（溫度等級(jí)1：-40°C至125°C）。
  • 集成三路半橋驅(qū)動(dòng)，支持750mA源電流/1.5A灌電流輸出。
  • 工作電壓范圍：GVDD（5-20V）、SHx（-22V至85V瞬態(tài)耐受）。
  • 可選集成自舉二極管（DRV8300D型號(hào)）或外置二極管（DRV8300N型號(hào)）。
  • 支持3.3V/5V邏輯輸入，傳播延遲匹配僅4ns。
  • 提供QFN（24引腳）和TSSOP（20引腳）封裝。

?2. 關(guān)鍵功能?

• ?柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?：
  • 高側(cè)驅(qū)動(dòng)采用自舉電容供電（BSTx引腳），低側(cè)由GVDD直接供電。
  • 可調(diào)死區(qū)時(shí)間（QFN封裝通過DT引腳電阻配置，范圍200ns-2000ns）。
  • 內(nèi)置防直通保護(hù)邏輯。
• ?保護(hù)機(jī)制?：
  • 自舉電壓欠壓鎖定（BSTUV）、GVDD欠壓鎖定（GVDDUV）。
  • 支持-22V負(fù)瞬態(tài)電壓（SHx引腳），BSTx耐壓達(dá)125V。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• 電動(dòng)自行車/滑板車、無人機(jī)、工業(yè)機(jī)器人。
• 無刷直流電機(jī)（BLDC）和永磁同步電機(jī)（PMSM）驅(qū)動(dòng)。
• 園林工具、吸塵器、伺服泵等電池供電設(shè)備。

?4. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?自舉電容選擇?：
  • 推薦100nF（X7R材質(zhì)），需靠近BSTx-SHx引腳布局。
  • GVDD電容建議≥1μF（低ESR陶瓷電容）。
• ?PCB布局建議?：
  • 縮短GHx/SHx/GLx走線長(zhǎng)度（建議15mil線寬）。
  • 功率地與信號(hào)地分離，優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)（QFN封裝需焊接散熱焊盤）。

?5. 型號(hào)差異?

?6. 典型應(yīng)用電路?

• 外部MOSFET柵極串聯(lián)電阻（如15Ω）以控制壓擺率。
• 電流檢測(cè)可通過外部分流電阻+放大器實(shí)現(xiàn)。

?文檔結(jié)構(gòu)?：包含電氣特性、時(shí)序圖、封裝尺寸及寄存器配置詳情，完整設(shè)計(jì)需參考原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)。