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?DRV816x系列智能柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-11 11:22 ? 次閱讀
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DRV816x 器件是半橋柵極驅(qū)動器,能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。柵極驅(qū)動電壓由GVDD電源引腳產(chǎn)生,集成自舉電路用于驅(qū)動高壓側(cè)FET,漏極高達(dá)102V。智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá) 1A 源極和 2A 灌電流的 16 級(48 個組合)柵極驅(qū)動峰值電流,以及柵極驅(qū)動電流的內(nèi)置定時控制。這些器件可用于驅(qū)動各種類型的負(fù)載,包括無刷/有刷直流電機(jī)、永磁同步電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、SRM 和螺線管。

為電源欠壓、FET 過流和芯片過溫提供內(nèi)部保護(hù)功能。nFAULT引腳指示保護(hù)功能檢測到的故障事件。nDRVOFF引腳獨(dú)立于PWM控制啟動功率級關(guān)斷。DRV8162和DRV8162L器件提供分體式電源架構(gòu),以協(xié)助安全轉(zhuǎn)矩關(guān)閉 (STO) 功能。
*附件:drv8162.pdf

許多器件參數(shù),包括柵極驅(qū)動電流、死區(qū)時間、PWM 控制接口和過流檢測,都可以通過連接到器件引腳的幾個無源元件進(jìn)行配置。集成的低側(cè)電流檢測放大器 (DRV8161) 將電流測量信息反饋給控制器。

特性

  • 驅(qū)動兩個半橋配置的 N 溝道 MOSFET
    • 高側(cè) MOSFET 源極/漏極高達(dá) 102V(絕對最大值)
    • 8V(5V DRV8162L)至 20V 柵極驅(qū)動電源
    • 集成自舉二極管
  • 功能安全質(zhì)量管理
    • 可用于幫助功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
  • 通過集成涓流電荷泵支持 100% PWM 占空比
  • 16級柵極驅(qū)動峰值電流
    • 16mA - 1000mA 源電流
    • 32mA - 2000mA 灌電流
    • 源灌電流比 1:1、1:2、1:3
  • 可調(diào)PWM死區(qū)時間插入20ns - 900ns
  • 用于電機(jī)相位 (SH) 開關(guān)的穩(wěn)健設(shè)計
    • 轉(zhuǎn)換速率 50V/ns
    • 負(fù)瞬態(tài)電壓 -20V
    • 2A強(qiáng)柵下拉
  • 用于冗余關(guān)斷的分離式柵極驅(qū)動電源輸入(DRV8162、DRV8162L)
  • 低失調(diào)電流檢測放大器 (DRV8161)
    • 可調(diào)增益(5、10、20、40V/V)
  • 靈活的PWM控制接口;2引腳PWM、1引腳PWM和獨(dú)立PWM模式
  • 13 級 VDS 過電流閾值
  • 獨(dú)立關(guān)斷引腳 (nDRVOFF)
  • 柵極驅(qū)動器軟關(guān)斷序列
  • 集成保護(hù)功能
    • GVDD 欠壓 (GVDDUV)
    • 自舉欠壓 (BST_UV)
    • MOSFET 過流保護(hù) (VDS)
    • 射擊穿透保護(hù)
    • 熱關(guān)斷 (OTSD
    • 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)
  • 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

?1. 核心功能與特性?

  • ?產(chǎn)品型號?:DRV8161、DRV8162(含DRV8162L低電壓版本),均為20引腳VSSOP封裝。
  • ?關(guān)鍵特性?:
    • ?柵極驅(qū)動能力?:支持半橋配置,驅(qū)動兩個N溝道MOSFET,高側(cè)MOSFET耐壓102V(絕對最大值),柵極驅(qū)動電源范圍8V(DRV8162L為5V)至20V。
    • ?智能柵極驅(qū)動?:16級可調(diào)峰值電流(源極16mA-1000mA,漏極32mA-2000mA),支持1:1/1:2/1:3源漏電流比。
    • ?集成保護(hù)?:包括GVDD欠壓鎖存(GVDDUV)、自舉欠壓(BST_UV)、MOSFET過流保護(hù)(VDS)、短路保護(hù)、熱關(guān)斷(OTSD)及故障指示(nFAULT)。
    • ?靈活控制?:支持2引腳PWM、1引腳PWM和獨(dú)立PWM模式,死區(qū)時間可調(diào)(20ns-900ns)。
    • ?電流檢測?(僅DRV8161):集成低失調(diào)電流檢測放大器(增益5/10/20/40V/V)。

?2. 典型應(yīng)用場景?

  • ?工業(yè)機(jī)器人?、協(xié)作機(jī)器人、移動機(jī)器人(AGV/AMR)。
  • ?電機(jī)驅(qū)動?:無刷/有刷直流電機(jī)、PMSM、步進(jìn)電機(jī)、SRM、螺線管。
  • ?電動交通?:電動自行車、電動滑板車、無人機(jī)。

?3. 關(guān)鍵參數(shù)與配置?

  • ?電氣特性?:
    • 工作電壓范圍:8V-20V(GVDD),高側(cè)耐壓至90V(VDRAIN)。
    • 熱阻:RθJA 87°C/W(VSSOP封裝)。
    • 保護(hù)閾值:GVDD欠壓7.4V(典型值),熱關(guān)斷158°C(最低值)。
  • ?引腳配置?:
    • ?DT/MODE?:選擇PWM模式及死區(qū)時間。
    • ?IDRIVE1/IDRIVE2?:通過外接電阻設(shè)置柵極驅(qū)動電流等級。
    • ?VDSLVL?:配置MOSFET過流保護(hù)閾值(0.1V-2.0V)。

?4. 保護(hù)機(jī)制?

  • ?故障響應(yīng)?:
    • ?GVDD欠壓?:關(guān)閉柵極驅(qū)動,nFAULT置低,恢復(fù)后自動復(fù)位。
    • ?VDS過流?:觸發(fā)后鎖存故障,需INH/INL置低超250μs清除。
    • ?熱關(guān)斷?:溫度降至閾值以下后自動恢復(fù)。

?5. 設(shè)計建議?

  • ?布局優(yōu)化?:
    • 縮短GH/SH/GL/SL走線,減少寄生電感。
    • 自舉電容(CBST)靠近BST引腳,GVDD電容靠近電源引腳。
  • ?電源設(shè)計?:
    • 推薦0.1μF陶瓷電容并聯(lián)VDRAIN引腳,并增加大容量儲能電容以應(yīng)對電機(jī)瞬態(tài)電流。
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