該DRV8210P是一個(gè)集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有四個(gè)N溝道功率FET、電荷泵穩(wěn)壓器和保護(hù)電路。三重電荷泵架構(gòu)允許該器件在低至 1.65 V 的電壓下工作，以適應(yīng) 1.8V 電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了所有電容器，以減小 PCB 上電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的整體解決方案尺寸，并允許 100% 占空比運(yùn)行。

該DRV8210P支持行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)PWM（IN1/IN2）控制接口。nSLEEP引腳控制低功耗睡眠模式，通過(guò)禁用內(nèi)部電路實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。
*附件：drv8210p.pdf

該器件可提供高達(dá) 1.76A 的峰值輸出電流。它的工作電源電壓為 1.65 V 至 5.5 V。

該驅(qū)動(dòng)器提供強(qiáng)大的內(nèi)部保護(hù)功能，包括電源欠壓鎖定 （UVLO）、輸出過(guò)流 （OCP） 和器件過(guò)熱 （TSD）。

該DRV8210P是引腳可擴(kuò)展R器件系列的一部分 DS（開(kāi)） 以及電源電壓選項(xiàng)，以最小的設(shè)計(jì)更改支持各種負(fù)載和電源軌。有關(guān)該系列中設(shè)備的信息，請(qǐng)參見(jiàn)第 5 節(jié)。在 ti.com 上查看我們完整的有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合。

特性

• N 溝道 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
  • MOSFET 導(dǎo)通電阻：HS + LS 1 Ω
  • 驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙向有刷直流電機(jī)
  • 一個(gè)單線圈或雙線圈閉鎖繼電器
• 1.65V 至 11V 工作電源電壓范圍
• 高輸出電流能力：1.76A 峰值
• 標(biāo)準(zhǔn)PWM接口（IN1/IN2）
• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 超低功耗睡眠模式
  • <84.5 nA @ 伏 虛擬機(jī) = 5 伏，伏 VCC的 = 3.3 伏，T J = 25°C
  • 引腳對(duì)引腳，帶DRV8837和DRV8837C
• 保護(hù)功能
  • 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 過(guò)流保護(hù) （OCP）
  • 熱關(guān)斷 （TSD）
• 設(shè)備系列。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱第 5 節(jié)。
  • DRV8210：1.65-11 V，1 Ω，多個(gè)接口
  • DRV8210P：睡眠引腳、PWM接口
  • DRV8212：1.65-11 V，280 mΩ，多個(gè)接口
  • DRV8212P：睡眠引腳、PWM接口
  • DRV8220：4.5-18 V，1 Ω，多個(gè)接口

參數(shù)

?1. 核心特性?

• ?驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?：集成4個(gè)N溝道MOSFET的H橋，支持驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)、單/雙線圈閉鎖繼電器。
• ?電壓范圍?：
  • 工作電壓：1.65V至11V（VM引腳），兼容1.8V/3.3V/5V邏輯輸入。
  • 峰值輸出電流：1.76A（PWM控制模式）。
• ?控制接口?：
  • ?PWM模式?：標(biāo)準(zhǔn)IN1/IN2接口，支持正向/反向/制動(dòng)/滑行控制。
  • ?超低功耗睡眠模式?：通過(guò)nSLEEP引腳控制，靜態(tài)電流<84.5nA（@5V VM）。
• ?集成保護(hù)?：
  • 電荷泵架構(gòu)支持100%占空比運(yùn)行，內(nèi)置電容減少PCB面積。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

?3. 典型應(yīng)用?

• ?消費(fèi)電子?：電動(dòng)牙刷、美容儀、電子玩具。
• ?工業(yè)設(shè)備?：電表、氣表、網(wǎng)絡(luò)攝像頭IR濾光片驅(qū)動(dòng)。
• ?醫(yī)療設(shè)備?：血壓計(jì)、輸液泵。
• ?繼電器驅(qū)動(dòng)?：支持單/雙線圈閉鎖繼電器控制。

?4. 保護(hù)機(jī)制?

• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：VCC<1.65V時(shí)禁用輸出。
• ? 過(guò)流保護(hù)（OCP） ?：電流超1.76A時(shí)觸發(fā)（4.2μs消隱時(shí)間）。
• ? 熱關(guān)斷（TSD） ?：結(jié)溫超153°C時(shí)停機(jī)。
• ?故障恢復(fù)?：自動(dòng)重試機(jī)制（tRETRY=1.7ms）。

?5. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?布局建議?：
  • VM引腳需并聯(lián)0.1μF陶瓷電容+大容量電解電容。
  • 熱焊盤必須連接PCB地平面（RθJA=99.6°C/W）。
• ?電流檢測(cè)?：可通過(guò)GND引腳外接分流電阻（最大150mV壓降）。
• ?家族兼容性?：與DRV8212P（280mΩ）、DRV8220（18V）引腳兼容。

?6. 控制邏輯表?