STMicroelectronics ADP280120W3 ACEPACK驅動電源模塊設計用于混合動力和電動汽車牽引逆變器。這款緊湊型六組模塊采用基于第三代碳化硅功率MOSFET的開關,具有非常低的RDS (on) 、非常有限的開關損耗以及同步整流工作模式下的出色性能。借助這些特性,可在最終應用中實現(xiàn)出色的效率,從而節(jié)省電池充電周期。
數(shù)據(jù)手冊;*附件:STMicroelectronics ADP280120W3 ACEPACK驅動電源模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf
STMicro ADP280120W3 ACEPACK驅動電源模塊在銅基板中提供直接流體冷卻,采用引腳安裝基板,最大限度地降低熱阻。該器件具有專用引腳分配,優(yōu)化用于實現(xiàn)最佳開關性能。壓配引腳可實現(xiàn)與驅動板的最佳連接。
特性
- 符合AQG 324標準
- 1200 V 的閉塞電壓
RDS (on):3.8mΩ(典型值)- 最高工作結溫:
Tj=175°C - 極低的開關能量
- 低電感緊湊型設計,獲得更高功率密度
- Si
3N4AMB 基板,可提高散熱性能 - 碳化硅功率MOSFET芯片燒結到基板上,以延長使用壽命
- 絕緣:4.2kV DC,1秒
- 直接液體冷卻基板,帶針鰭
- 三個集成的NTC溫度傳感器
應用電路

ACEPACK驅動PCB (mm)

STMicroelectronics ADP280120W3 SiC功率模塊技術解析與應用指南?
?一、產(chǎn)品核心特性?
ADP280120W3是STMicroelectronics推出的車規(guī)級ACEPACK DRIVE功率模塊,采用第二代SiC MOSFET技術,專為電動汽車牽引逆變器設計:
- ?高壓大電流?:1200V阻斷電壓,連續(xù)漏極電流275A(TJ=75℃),峰值電流600A
- ?超低導通損耗?:典型RDS(on)僅3.8mΩ(VGS=18V, ID=280A),175℃高溫下仍保持5.05mΩ優(yōu)異性能
- ?高溫穩(wěn)定性?:支持175℃結溫運行,基板溫度限值125℃
- ?集成化設計?:內置三路NTC溫度傳感器(R25=5kΩ±5%,B25/50=3375K)
- ?先進封裝?:Si3N4 AMB基板配合銅基板針翅結構,實現(xiàn)0.165°C/W的超低熱阻(10LPM冷卻液流量)
?二、關鍵參數(shù)深度解讀?
- ?電氣極限參數(shù)?
- 絕對最大額定值:VGS=-10
22V(推薦工作范圍-518V) - 單管總功耗549W(TF=75℃)
- 4.2kV AC隔離電壓(1秒耐受)
- 絕對最大額定值:VGS=-10
- ?動態(tài)特性?
- 開關能量(800V/280A):
- 開通能量Eon=19.8mJ(RG-ON=12Ω)
- 關斷能量Eoff=11.6mJ(RG-OFF=8.2Ω)
- 體二極管特性:
- 反向恢復時間trr=31.2ns(di/dt=4.96A/ns)
- 恢復電荷Qrr=1.22μC
- 開關能量(800V/280A):
- ?熱管理數(shù)據(jù)?
- 瞬態(tài)熱阻抗ZthJF=0.12°C/W(單脈沖,tp=1ms)
- 冷卻效率曲線顯示:流量從4LPM增至10LPM時,RthJF從0.175°C/W降至0.165°C/W
?三、設計應用要點?
- ?驅動電路設計?
- 建議柵極電阻RG-ON=12Ω,RG-OFF=8.2Ω以平衡開關損耗與EMI
- 需配置主動米勒鉗位電路抑制寄生導通
- ?散熱系統(tǒng)配置?
- 必須保證50%水+50%乙二醇混合冷卻液流量≥10LPM
- 基板溫度監(jiān)控需設置雙重保護(NTC監(jiān)測+125℃硬件限值)
- ?PCB布局建議?
- 模塊雜散電感Ls=10nH,建議采用:
- 低阻抗母排設計
- 門極驅動走線長度≤30mm
- 使用PRESS-FIT引腳確保接觸阻抗<0.5mΩ
- 模塊雜散電感Ls=10nH,建議采用:
?四、典型應用場景?
- ?電動汽車主逆變器?:六管拓撲支持三相全橋配置
- ?工業(yè)大功率變流器?:得益于4.2kV絕緣能力,適用于光伏/儲能系統(tǒng)
- ?高功率密度應用?:63×44mm緊湊尺寸滿足軸向空間受限場景
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
151文章
9576瀏覽量
231926 -
牽引逆變器
+關注
關注
0文章
59瀏覽量
10618 -
驅動電源模塊
+關注
關注
0文章
6瀏覽量
5383
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
全SiC功率模塊的開關損耗
是基于技術規(guī)格書中的規(guī)格值的比較,Eon為開關導通損耗,Eoff為開關關斷損耗、Err為恢復損耗。全SiC功率模塊的Eon和Eoff都顯著低于IGBT,至于Err,由于幾乎沒有Irr而
發(fā)表于 11-27 16:37
全SiC功率模塊介紹
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的
發(fā)表于 11-27 16:38
?STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA SiC功率模塊技術解析
電源模塊集成了六個第二代碳化矽功率MOSFET。憑借其廣受業(yè)界認可的尖端芯片技術,STMicroelectronics M2P45M12W2
?STMicroelectronics ADP480120W3-L ACEPACK驅動電源模塊技術解析
STMicroelectronics ADP480120W3-L ACEPACK驅動電源模塊設計用于混合動力和電動汽車牽引逆變器。這款緊湊型六組模塊采用基于第三代碳化硅
?STMicroelectronics ADP480120W3 ACEPACK驅動電源模塊技術解析
STMicroelectronics ADP480120W3 ACEPACK驅動電源模塊設計用于混合動力和電動汽車牽引逆變器。這款緊湊型六組模塊采用基于第三代碳化硅
基于ADP46075W3的汽車級SiC功率模塊設計與應用技術解析
STMicroelectronics ADP46075W3汽車ACEPACK驅動電源模塊設計用于混合動力汽車及電動汽車中的牽引逆變器。STMicroelectronics
?STMicroelectronics ACEPACK DMT-32 功率模塊技術解析與應用指南
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT?32電源模塊 設計用于混合動力和電動汽車的直流/直流轉換器級。M1F45M12W2-1LA采
基于STMicroelectronics EVLHV101SSR50W 50W轉換器的技術解析與應用指南
STMicroelectronics EVLHV101SSR50W 50W轉換器 滿足高性能LED照明系統(tǒng)的需求。STMicroelectronics EVLHV101SSR50
?基于STMicroelectronics EVL011A150ADP電源模塊的技術解析與應用指南
STMicroelectronics EVL011A150ADP 12V-150W電源是用于90V~AC~至264V~AC~主電源的演示板。STMicroelectronics電源是適
ST ADP360120W3 ACEPACK DRIVE:面向電動汽車牽引系統(tǒng)的高性能SiC功率模塊
STMicroelectronics ADP360120W3 ACEPACK DRIVE電源模塊優(yōu)化用于混合動力和電動汽車牽引逆變器。該模塊具有基于碳化硅
碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應用指南
傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應用指南 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于
雙脈沖測試技術解析報告:國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進口IGBT模塊的驗證與性能評估
雙脈沖測試技術解析報告:國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進口IGBT模塊的驗證與性能評估 傾佳電
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC2:3300W CCM雙向圖騰柱PFC評估板解析
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC2:3300W CCM雙向圖騰柱PFC評估板解析 在當今的電子設備設計中,對于高效、高功率密度電源的需求日益增長。特別是在高端服務器和電信設備等
深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術:交錯與硬并聯(lián)
深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術:基于基本半導體產(chǎn)品矩陣的交錯與硬并聯(lián)策略全景研究 BASiC Semiconductor基
?STMicroelectronics ADP280120W3 SiC功率模塊技術解析與應用指南
評論