STMicroelectronics ADP480120W3 ACEPACK驅(qū)動(dòng)電源模塊設(shè)計(jì)用于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車牽引逆變器。這款緊湊型六組模塊采用基于第三代碳化硅功率MOSFET的開關(guān),具有非常低的RDS (on) 、非常有限的開關(guān)損耗以及同步整流工作模式下的出色性能。借助這些特性,可在最終應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的效率,從而縮短電池充電周期。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:STMicroelectronics ADP480120W3 ACEPACK驅(qū)動(dòng)電源模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
STMicro ADP480120W3 ACEPACK驅(qū)動(dòng)電源模塊在銅基板中提供直接流體冷卻,采用引腳安裝基板,最大限度地降低熱阻。該器件具有專用引腳分配,優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能。壓配引腳可實(shí)現(xiàn)與驅(qū)動(dòng)板的最佳連接。
特性
- 符合AQG 324標(biāo)準(zhǔn)
- 1200 V 的閉塞電壓
RDS (on):1.9mΩ(典型值)- 最高工作結(jié)溫:
Tj=175°C - 極低的開關(guān)能量
- 低電感緊湊型設(shè)計(jì),獲得更高功率密度
- Si
3N4AMB 基板,可提高散熱性能 - 碳化硅功率MOSFET芯片燒結(jié)到基板上,以延長使用壽命
- 絕緣:4.2kV DC,1秒
- 直接液體冷卻基板,帶針鰭
- 三個(gè)集成的NTC溫度傳感器
應(yīng)用電路

ACEPACK驅(qū)動(dòng)PCB (mm)

STMicroelectronics ADP480120W3 ACEPACK驅(qū)動(dòng)電源模塊技術(shù)解析?
?一、產(chǎn)品核心特性?
- ?汽車級(jí)碳化硅(SiC)功率模塊?
- 采用第三代1200V SiC MOSFET技術(shù),典型導(dǎo)通電阻僅1.9mΩ(VGS=18V時(shí)),較第二代產(chǎn)品(3.5mΩ)顯著降低開關(guān)損耗。
- 六橋臂緊湊拓?fù)湓O(shè)計(jì),專為電動(dòng)汽車牽引逆變器優(yōu)化,支持最高175℃結(jié)溫運(yùn)行(基板溫度需≤125℃)。
- ?高效散熱與封裝?
- 銅基板集成針翅結(jié)構(gòu),支持直接液冷(10LPM流量下熱阻僅0.105°C/W),搭配Si3N4 AMB基板提升熱性能。
- 4.2kV電氣隔離能力,符合IEC 61140 Class 1標(biāo)準(zhǔn),模塊內(nèi)部雜散電感低至10nH。
?二、關(guān)鍵參數(shù)詳解?
- ? 極限參數(shù)(表1) ?
- ? 動(dòng)態(tài)特性(表4) ?
- 開關(guān)能量:
- 開通能量Eon=42.3mJ(VDD=800V, ID=480A, RG=10Ω)
- 關(guān)斷能量Eoff=41.6mJ
- 反向恢復(fù)特性(表5):
- TJ=175℃時(shí)反向恢復(fù)時(shí)間trr達(dá)57ns,需注意高溫下?lián)p耗增加。
- 開關(guān)能量:
- ?溫度傳感器?
- 集成NTC(表6):
- R25=5kΩ±5%,B25/50=3375K,用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)模塊溫度。
- 集成NTC(表6):
?三、設(shè)計(jì)應(yīng)用指南?
- ?驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?
- 推薦柵極電壓范圍-5V至18V,需配合主動(dòng)米勒鉗位電路抑制dV/dt干擾(圖12顯示RG=8.2Ω時(shí)Eoff最優(yōu))。
- 柵極電荷Qg=1258nC(VDD=800V時(shí)),需計(jì)算驅(qū)動(dòng)電流需求。
- ?熱管理建議?
- 根據(jù)瞬態(tài)熱阻抗曲線(圖15),脈沖負(fù)載下需控制單脈沖時(shí)間<1ms以避免過熱。
- 液冷系統(tǒng)流量建議≥6LPM(圖16顯示流量從4LPM提升至10LPM可降低熱阻15%)。
- ?布局優(yōu)化?
- 采用預(yù)壓合引腳(press-fit)連接驅(qū)動(dòng)板,減少寄生電感(模塊引線電阻典型值0.5mΩ)。
- 建議參考圖19 PCB尺寸圖進(jìn)行散熱器匹配設(shè)計(jì)。
?四、性能曲線分析?
- ? 輸出特性(圖1-4) ?
- TJ=175℃時(shí)導(dǎo)通電阻上升至3.3mΩ(較25℃增加73%),需在高溫工況下留足電流余量。
- ? 開關(guān)損耗趨勢(shì)(圖9-12) ?
- 開關(guān)能量與總線電壓呈線性關(guān)系(VDD從450V升至750V時(shí)Eon增加2.3倍),高壓應(yīng)用需重點(diǎn)優(yōu)化散熱。
-
MOSFET
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