STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT?32電源模塊 設(shè)計(jì)用于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)的直流/直流轉(zhuǎn)換器級(jí)。M1F45M12W2-1LA采用帶集成NTC的四單元拓?fù)?。該器件包含STMicroelectronics的四個(gè)第二代碳化硅功率MOSFET。M1F45M12W2-1LA平衡了能源效率和高開(kāi)關(guān)頻率，實(shí)現(xiàn)了具有高功率密度和高效率的復(fù)雜拓?fù)?。STMicroelectronics器件采用AlN絕緣基板，可確保出色的散熱性能，并且采用槽形設(shè)計(jì)，可提高爬電距離，從而提高安全性。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT?32電源模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 符合AQG 324標(biāo)準(zhǔn)
• 阻斷電壓：1200V
• R DS(on) ：47.5mΩ（典型值）
• 最高工作結(jié)溫：TJ = 175°C
• 基于DBC Cu-AlN-Cu基板，可提高散熱性能
• 絕緣電壓：3kV
• 集成NTC溫度傳感器

示意圖

?STMicroelectronics ACEPACK DMT-32 功率模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、模塊核心特性概述?

STMicroelectronics 推出的 ?M1F45M12W2-1LA? 是一款符合 ?AQG 324? 車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證的功率模塊，采用 ?ACEPACK DMT-32? 封裝。其核心優(yōu)勢(shì)包括：

• ?1200 V 阻斷電壓?與?47.5 mΩ 典型導(dǎo)通電阻?，適配高功率密度設(shè)計(jì)。
• 工作結(jié)溫范圍 ?**-40°C 至 175°C?，搭載 ?Cu-AlN-Cu DBC 基板?，提升散熱效率（絕緣電壓 ?3 kV**?）。
• 集成 ?NTC 溫度傳感器?，支持實(shí)時(shí)熱監(jiān)控。

該模塊專(zhuān)為?車(chē)載充電器（OBC）的 DC/DC 轉(zhuǎn)換級(jí)?設(shè)計(jì)，基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET 技術(shù)，在開(kāi)關(guān)頻率與能效間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)平衡。

?二、關(guān)鍵電氣參數(shù)解析?

?2.1 極限參數(shù)?

• ?漏源電壓 VDS?: 1200 V（最大值）
• ?柵源電壓 VGS?: -10 V 至 22 V（絕對(duì)值），?**-5 V 至 18 V**?（推薦工作范圍）
• ?連續(xù)漏極電流 ID?: 30 A（TC = 50°C）
• ?脈沖漏極電流 IDM?: 95 A（tp = 1 ms）
• ?結(jié)溫 TJ?: -40°C 至 175°C

?2.2 靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性?

?2.3 體二極管特性?

• ?正向壓降 VSD?: 2.5 V（ISD=20 A）
• ?反向恢復(fù)時(shí)間 trr?: 13.5 ns（25°C）→ ?31 ns?（175°C），優(yōu)化了軟開(kāi)關(guān)性能。

?三、應(yīng)用場(chǎng)景與設(shè)計(jì)考量?

?3.1 典型應(yīng)用拓?fù)?/strong>?

模塊采用?四管全橋（Fourpack）結(jié)構(gòu)?，支持雙半橋并聯(lián)，適用于：

• ?OBC 的 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器?
• ?高密度電機(jī)驅(qū)動(dòng)?
• ?光伏逆變器?

?3.2 熱管理策略?

• ?結(jié)殼熱阻 RthJC?: 0.38°C/W，需搭配高效散熱器。
• ?NTC 參數(shù)?：25°C 阻值 ?10 kΩ?（公差±2%），B值 ?3980 K?，通過(guò)分壓電路實(shí)現(xiàn)溫度反饋。

?3.3 柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)建議?

• ?柵極電阻 RG? 影響開(kāi)關(guān)損耗（見(jiàn)圖13-14）：
  • 推薦 RG(on)=12 Ω、RG(off)=4.7 Ω，平衡 EMI 與效率。

?四、性能曲線(xiàn)分析?

1. ?輸出特性?（圖3-5）：
   低溫下（-40°C）導(dǎo)通電阻降低，但需注意電流降額。
2. ?開(kāi)關(guān)能量隨溫度變化?（圖10）：
   Eon 從 547 μJ（25°C）升至 733 μJ（175°C），需預(yù)留散熱余量。
3. ?瞬態(tài)熱阻抗?（圖18）：
   脈沖寬度 ?1 ms? 時(shí) ZthJC≈0.1°C/W，適用于高頻間歇工作。

?五、封裝與安裝要點(diǎn)?

• ?ECOPACK 環(huán)保封裝?，尺寸 ?44.0×39.0 mm?（典型值）。
• ?引腳布局?（圖1）：
  關(guān)鍵功率引腳（P1/P2、N1/N2）對(duì)稱(chēng)分布，降低寄生電感。
• ?凹槽設(shè)計(jì)? 增加爬電距離，提升絕緣可靠性。