該ADC34RF55是一款單核 14 位、3GSPS、四通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC),支持輸入頻率高達(dá) 3 GHz 的射頻采樣。該設(shè)計(jì)最大限度地提高了信噪比(SNR),并提供了-156 dBFS/Hz的噪聲頻譜密度。使用額外的內(nèi)部ADC和片上信號(hào)平均,噪聲密度提高到-158 dBFS/Hz。
每個(gè)ADC通道都可以使用支持相位相干跳頻的48位NCO連接到雙頻數(shù)字下變頻器(DDC)。使用GPIO引腳進(jìn)行NCO頻率控制,可以在不到1 μs的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)跳頻。
*附件:adc34rf55.pdf
這些器件支持具有子類 1 確定性延遲的 JESD204B 串行數(shù)據(jù)接口,數(shù)據(jù)速率高達(dá) 13Gbps。每個(gè)ADC通道只有2個(gè)serdes通道。因此,在旁路模式下,支持的最大輸出數(shù)據(jù)速率為1.5GSPS。在片上使用更快的ADC采樣率時(shí),需要抽取。
高能效ADC架構(gòu)功耗為1.2W/ch,并提供具有較低采樣率的功率縮放。
特性
- 14位、四通道3GSPS ADC
- 最大輸出速率:1.5-GSPS
- 噪聲頻譜密度:
- -156 dBFS/Hz,無(wú)平均值
- -158 dBFS/Hz,2 倍平均
- 單核(非交錯(cuò))ADC架構(gòu)
- 孔徑抖動(dòng):50 fs
- 低近距離殘余相位噪聲:
- 10 kHz 偏移時(shí)為 -127 dBc/Hz
- 頻譜性能(f IN = 0.9 GHz,-4 dBFS):
- 2 倍內(nèi)部平均
- 信噪比:62.3 dBFS
- SFDR HD2,3:63 dBc
- SFDR 最差雜散:85 dBFS
- 頻譜性能(f IN = 1.8 GHz,-4 dBFS):
- 2 倍內(nèi)部平均
- 信噪比:63 dBFS
- SFDR HD2,3:68 dBc
- SFDR 最差雜散:86 dBFS
- 輸入滿量程:1.1、1.35 Vpp (2、3.5 dBm)
- 代碼錯(cuò)誤率 (CER):10 -15
- 全功率輸入帶寬 (-3 dB):2.75 GHz
- JESD204B串行數(shù)據(jù)接口
- 最大通道速率:13 Gbps
- 支持子類 1 確定性延遲
- 數(shù)字下變頻器
- 每個(gè)ADC通道最多兩個(gè)DDC
- 復(fù)輸出:4 倍至 128 倍抽取
- 48 位 NCO 相位相干跳頻
- 快速跳頻:< 1 μs
- 功耗:1.2 W/通道
- 電源:1.8 V、1.2 V
參數(shù)
方框圖

一、產(chǎn)品概述
ADC34RF55 是德州儀器(TI)推出的四通道 14 位 3GSPS 射頻采樣模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) ,專為高帶寬、高動(dòng)態(tài)范圍的射頻信號(hào)采集場(chǎng)景設(shè)計(jì),如相控陣?yán)走_(dá)、軟件定義無(wú)線電(SDR)、頻譜分析儀、高速數(shù)字化儀及電子戰(zhàn)系統(tǒng)。器件采用非交錯(cuò)單核心 ADC 架構(gòu),集成數(shù)字下變頻器(DDC)、48 位數(shù)控振蕩器(NCO)與 JESD204B 高速串行接口,支持低噪聲、低相位噪聲的信號(hào)轉(zhuǎn)換,同時(shí)具備靈活的功耗控制與多通道擴(kuò)展能力,采用 64 引腳 VQFN 封裝(RTD,9mm×9mm),工作溫度范圍 - 40~85°C,是射頻信號(hào)鏈中的核心采樣器件。
二、核心特性
(一)高采樣速率與動(dòng)態(tài)性能
- 采樣與輸出能力
- 最高采樣速率 3GSPS,單通道最大輸出速率 1.5GSPS,支持 4 通道同步采樣,適配寬頻段射頻信號(hào)直接采樣(覆蓋 L 波段、S 波段);
- 14 位分辨率,噪聲譜密度(NSD)低至 - 156dBFS/Hz(無(wú)平均)、-158dBFS/Hz(2 倍平均),有效位數(shù)(ENOB)典型值 9.7~10.0 位,確保弱信號(hào)檢測(cè)精度;
- 全功率輸入帶寬 2.75GHz(-3dB),支持射頻信號(hào)直接采樣,無(wú)需額外下變頻電路,簡(jiǎn)化系統(tǒng)架構(gòu)。
- 低失真與相位噪聲
(二)集成化數(shù)字信號(hào)處理
- 數(shù)字下變頻器(DDC)
- 每通道最多支持 2 個(gè) DDC,復(fù)雜抽取比 4
128 倍可調(diào),實(shí)抽取比 4128 倍可調(diào),覆蓋寬至 520MHz、窄至 9.375MHz 的瞬時(shí)帶寬(IBW); - 抽取濾波特性:復(fù)雜抽取模式下通帶帶寬約 80%(-1dB),阻帶抑制≥85dB,實(shí)抽取模式下通帶帶寬約 40%,可有效濾除鏡像頻率與噪聲。
- 每通道最多支持 2 個(gè) DDC,復(fù)雜抽取比 4
- 48 位數(shù)控振蕩器(NCO)
- 支持相位連續(xù)與無(wú)限相位相干兩種模式,相位相干模式下可通過(guò) SYSREF 信號(hào)同步多器件頻率,實(shí)現(xiàn)無(wú)相位跳變的快速跳頻(<1μs);
- 頻率分辨率高,支持 ±Fs/2 的頻率調(diào)節(jié)范圍,SFDR≥100dBc,每 NCO 可預(yù)存 4 個(gè)頻率,通過(guò) GPIO 或 SPI 快速切換,適配動(dòng)態(tài)頻率 hopping 場(chǎng)景。
(三)高速接口與同步能力
- JESD204B 串行接口
- 系統(tǒng)同步
(四)可靠性與功耗控制
- 熱管理與校準(zhǔn)
- 內(nèi)置前臺(tái)校準(zhǔn)(Foreground Calibration):通過(guò)額外校準(zhǔn) ADC 核心,補(bǔ)償溫度漂移對(duì)線性度的影響,校準(zhǔn)時(shí)間約 23ms×3GSPS/Fs(每 ADC 對(duì)),支持 SPI 或 GPIO 觸發(fā),確保寬溫范圍內(nèi)性能穩(wěn)定;
- 熱阻特性:結(jié)到環(huán)境熱阻(RθJA)20.1°C/W,結(jié)到板熱阻(RθJB)5.2°C/W,底部散熱焊盤(pán)需與 PCB 銅皮緊密連接,確保高功率下的散熱效率。
- 多功耗模式
- 功耗范圍 1.2W / 通道(3GSPS),支持功率縮放(采樣速率降低時(shí)功耗同步下降),睡眠模式功耗僅 190mW,適配電池供電的便攜式設(shè)備;
- 可關(guān)閉未使用的 SERDES lane 或 DDC 模塊,進(jìn)一步優(yōu)化功耗,如禁用 2 路 lanes 時(shí)功耗降低約 15%。
三、器件信息與電氣規(guī)格
(一)基本參數(shù)與封裝
| 參數(shù) | 規(guī)格 |
|---|---|
| 通道數(shù)量 | 4 個(gè)獨(dú)立差分輸入通道 |
| 分辨率 | 14 位 |
| 最高采樣速率 | 3GSPS |
| 輸出接口 | JESD204B(8 路 SERDES,最高 13Gbps/lane) |
| 輸入帶寬(-3dB) | 2.75GHz |
| 電源電壓 | AVDD18(1.75 |
| 封裝類型 | 64 引腳 VQFN(RTD,9mm×9mm,0.9mm 最大高度) |
| 工作溫度 | –40~85°C |
| ESD 防護(hù) | 人體放電模型(HBM)±1000V,帶電器件模型(CDM)±500V |
(二)關(guān)鍵電氣特性(TA=25°C,VDD=1.8V/1.2V,F(xiàn)s=3GSPS)
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 噪聲譜密度(NSD) | fIN=0.9GHz,AIN=-20dBFS,2 倍平均 | –157.3 | dBFS/Hz |
| 信噪比(SNR) | fIN=0.9GHz,無(wú)平均 | 60.9 | dBFS |
| 無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍(SFDR) | fIN=1.8GHz,4 倍抽取 | 86 | dBFS |
| 總諧波失真(THD) | fIN=1.8GHz,1 倍平均 | 69 | dBc |
| 輸入滿量程(FS) | 差分,100Ω 端接 | 1.1/1.35 | Vpp(對(duì)應(yīng) 2/3.5dBm) |
| 代碼錯(cuò)誤率(CER) | – | 10?1? | – |
四、功能模塊詳解
(一)模擬輸入與采樣電路
- 輸入接口設(shè)計(jì)
- 每通道差分輸入(INxP/INxM)內(nèi)置 100Ω 差分端接,支持 AC 耦合(推薦 100pF 電容),輸入共模電壓(VCM)典型值 350mV,需通過(guò)外部 balun 實(shí)現(xiàn)單端 - 差分轉(zhuǎn)換(推薦 Marki BAL-0009SMG、Mini-Circuits TCM2-43X + 等 balun,幅度平衡 < 0.7dB,相位平衡 < 5°);
- 支持 2 倍內(nèi)部平均模式:通過(guò) 2 個(gè) ADC 核心并行采樣后平均,噪聲譜密度改善 2dB,同時(shí)輸入滿量程提升至 1.35Vpp,適配高幅度信號(hào)。
- 過(guò)范圍檢測(cè)(OVR)
- 支持 GPIO 引腳或 JESD204B 數(shù)據(jù)流兩種過(guò)范圍指示方式:GPIO 方式響應(yīng)時(shí)間約 6 個(gè)時(shí)鐘周期,JESD 方式替換輸出數(shù)據(jù)的 LSB,實(shí)時(shí)反饋輸入信號(hào)是否超出滿量程;
- 過(guò)范圍標(biāo)志可配置為 “粘性”(需 SPI 清除)或 “自清除”,適配不同系統(tǒng)的故障處理邏輯。
(二)數(shù)字下變頻器(DDC)與 NCO
- DDC 功能與抽取比
- 每通道最多 2 個(gè) DDC,支持單頻段 / 雙頻段模式:?jiǎn)晤l段模式最高 4 倍復(fù)雜抽取,雙頻段模式最高 128 倍復(fù)雜抽取,輸出帶寬可靈活配置(如 3GSPS 采樣 + 128 倍抽取時(shí),輸出帶寬 18.75MHz);
- 抽取濾波采用 FIR 結(jié)構(gòu),通帶紋波?。ǖ湫椭?< 0.1dB),阻帶抑制≥85dB,有效濾除抽樣噪聲與鏡像頻率,無(wú)需外部濾波電路。
- NCO 與頻率跳變
- 48 位 NCO 支持相位相干頻率跳變,跳變時(shí)間 < 1μs(取決于抽取比:4 倍抽取約 350ns,128 倍抽取約 4μs),適配動(dòng)態(tài)頻率 agile 場(chǎng)景;
- 頻率編程靈活:支持 SPI 直接寫(xiě)入 48 位頻率值,或通過(guò) GPIO 快速選擇預(yù)存的 4 個(gè)頻率(每 NCO),相位連續(xù)性誤差 < 0.01°,確保跳頻時(shí)信號(hào)相位無(wú)突變。
(三)JESD204B 接口與同步
- 接口配置
- 支持 8 路 SERDES lane,每 lane 最高速率 13Gbps,支持幀組裝參數(shù)(LMFS)靈活配置,如 8-8-2-1(8 lanes、8 幀 / 多幀、2 字節(jié) / 幀、1 個(gè)轉(zhuǎn)換器)、4-8-4-1 等,適配不同 FPGA 的 lane 數(shù)量與速率限制;
- 支持鏈路層測(cè)試圖案(如 PRBS7/15/23/31、K28.5 碼型)與傳輸層測(cè)試圖案(斜坡、交替圖案),便于鏈路誤碼率測(cè)試與信號(hào)完整性驗(yàn)證。
- 系統(tǒng)同步
- SYSREF 輸入支持 DC/AC 耦合,內(nèi)部 100Ω 端接,通過(guò) SYSREF 窗口監(jiān)測(cè)電路(±50ps 捕獲窗口)確保多器件同步,同步誤差 < 16ps;
- 支持確定性延遲(子類 1),延遲可通過(guò)寄存器配置(如 8 倍抽取時(shí)約 506 個(gè) ADC 時(shí)鐘周期),適配多通道相位對(duì)齊場(chǎng)景(如相控陣?yán)走_(dá)的多通道波束成形)。
(四)校準(zhǔn)與功耗控制
- 前臺(tái)校準(zhǔn)
- 內(nèi)置溫度補(bǔ)償校準(zhǔn):通過(guò)額外校準(zhǔn) ADC 核心,補(bǔ)償積分非線性(INL)、微分非線性(DNL)與增益誤差,校準(zhǔn)后 INL±2LSB(14 位),增益誤差 ±3% FSR;
- 校準(zhǔn)觸發(fā)方式:SPI 命令觸發(fā)(單次 / 連續(xù))或 GPIO 觸發(fā)(低電平觸發(fā)),校準(zhǔn)狀態(tài)可通過(guò)寄存器 0x298 讀取(0x0E 表示校準(zhǔn)成功),確保校準(zhǔn)過(guò)程可監(jiān)控。
- 功耗管理
五、典型應(yīng)用與設(shè)計(jì)指南
(一)典型應(yīng)用場(chǎng)景:寬帶射頻采樣接收機(jī)
- 應(yīng)用架構(gòu)
- 信號(hào)路徑:射頻信號(hào)(如 0.5~2.7GHz)→ 帶通濾波器(BPF)→ balun(單端轉(zhuǎn)差分)→ ADC34RF55 輸入(INxP/INxM)→ 內(nèi)部 DDC 抽取→ JESD204B 輸出→ FPGA(如 Xilinx UltraScale+);
- 時(shí)鐘與同步:采用 LMK04832 時(shí)鐘發(fā)生器,提供 3GSPS 低抖動(dòng)采樣時(shí)鐘(<50fs)與 SYSREF 同步信號(hào),確保多 ADC 通道同步;
- 電源方案:5V 輸入→ 開(kāi)關(guān)電源(如 LMS3635)→ 低噪聲 LDO(AVDD18 用 TPS7A8400,AVDD12/CLKVDD/DVDD 用 TPS7A70),每電源引腳就近并聯(lián) 0.1μF 陶瓷電容 + 10μF 鉭電容,降低電源噪聲。
- 關(guān)鍵配置參數(shù)
- 采樣時(shí)鐘:3GSPS,差分 1.0Vpp,50% 占空比,時(shí)鐘源相位噪聲 <-140dBc/Hz(1kHz 偏移);
- DDC 配置:2 倍平均、8 倍復(fù)雜抽取,輸出帶寬 187.5MHz,NCO 頻率 900MHz(將輸入信號(hào)下變頻至基帶);
- JESD204B:LMFS=8-8-2-1,8 路 lane,每 lane 速率 6.25Gbps,確定性延遲約 506 個(gè) ADC 時(shí)鐘周期。
(二)PCB 設(shè)計(jì)與布局
- 關(guān)鍵信號(hào)布局
- 模擬輸入與時(shí)鐘:采用 100Ω 差分走線,長(zhǎng)度匹配誤差 < 1mm,遠(yuǎn)離數(shù)字信號(hào)(如 JESD204B lane),避免串?dāng)_;差分對(duì)間距 2~3 倍線寬,減少耦合噪聲;
- JESD204B lane:采用 100Ω 緊密耦合差分走線,長(zhǎng)度匹配誤差 < 5mm,使用阻抗控制板(阻抗偏差 ±10%),每 lane 串聯(lián) 0.1μF AC 耦合電容(靠近 FPGA 端)。
- 電源與接地
- 電源域隔離:模擬地(AGND)、數(shù)字地(DGND)、時(shí)鐘地(CLKGND)單點(diǎn)連接至散熱焊盤(pán),避免地彈噪聲;電源平面分割,AVDD18/AVDD12/CLKVDD/DVDD 獨(dú)立平面,平面間間距≥0.5mm;
- 散熱設(shè)計(jì):底部散熱焊盤(pán)(Thermal Pad)需連接≥20mm2 銅皮,打 4 個(gè) 0.3mm 過(guò)孔至內(nèi)層地平面,確保 3GSPS 滿負(fù)荷工作時(shí)結(jié)溫 < 105°C。
(三)初始化與校準(zhǔn)流程
- 上電時(shí)序
- 先上電 DVDD(1.2V),再上電 AVDD12、CLKVDD(1.2V),最后上電 AVDD18(1.8V),避免電源時(shí)序錯(cuò)誤導(dǎo)致器件損壞;
- 上電后拉低 RESET 引腳(≥10ns),釋放后加載默認(rèn)寄存器配置,等待 5ms 后開(kāi)始 SPI 配置。
- 核心配置步驟
- 復(fù)位與模式配置 :寫(xiě)入寄存器 0x00 觸發(fā)軟件復(fù)位,配置數(shù)字頁(yè)面(0x05=0x02),設(shè)置 2 倍平均、8 倍復(fù)雜抽取、OVR 指示方式;
- JESD204B 配置 :選擇 JESD 頁(yè)面(0x05=0x04),配置 LMFS 模式(如 0x22=0x08,對(duì)應(yīng) 8-8-2-1)、SERDES lane 使能(0x28=0xFF)、PLL 參數(shù)(0x9F=0x11);
- SYSREF 同步 :配置 SYSREF 輸入(0x236=0x03),發(fā)送 SYSREF 脈沖(≥50ps 寬度),確保多器件同步;
- NCO 配置 :寫(xiě)入 48 位 NCO 頻率(如 0x100~0x105),加載 NCO(0x181=0x30),觸發(fā)頻率跳變;
- 校準(zhǔn) :選擇校準(zhǔn)頁(yè)面(0x05=0x20),觸發(fā)前臺(tái)校準(zhǔn)(0x45=0x8A),等待校準(zhǔn)完成(寄存器 0x298=0x0E)。
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