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ADS868x 16 位高速單電源 SAR ADC 核心信息總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-11-10 16:48 ? 次閱讀
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ADS8681、ADS8685和ADS8689屬于基于逐次逼近 (SAR) 模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC) 的集成數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)系列。這些器件具有高速、高精度 SAR ADC、集成模擬前端 (AFE) 輸入驅(qū)動(dòng)電路、高達(dá) ±20 V 的過壓保護(hù)電路,以及具有極低溫度漂移的片內(nèi) 4.096V 基準(zhǔn)電壓源。
*附件:ads8681.pdf

這些器件采用單5 V模擬電源供電,但支持±12.288 V、±6.144 V、±10.24 V、±5.12 V和±2.56 V的真雙極性輸入范圍,以及0 V至12.288 V、0 V至10.24 V、0 V至6.144 V和0 V至5.12 V的單極性輸入范圍。增益和失調(diào)誤差在每個(gè)輸入范圍的指定值內(nèi)精確調(diào)整,以確保高直流精度。輸入范圍的選擇通過器件內(nèi)部寄存器的軟件編程完成。無論所選輸入范圍如何,這些器件都提供高電阻輸入阻抗(≥ 1 MΩ)。

多SPI數(shù)字接口向后兼容傳統(tǒng)SPI協(xié)議。此外,可配置的功能簡(jiǎn)化了與各種主機(jī)控制器的接口。

特性

  • 16 位 ADC,集成模擬前端
  • 高速:
    • ADS8681:1 MSPS
    • ADS8685:500 kSPS
    • ADS8689:100 kSPS
  • 軟件可編程輸入范圍:
    • 雙極性范圍:±12.288 V、±10.24 V、±6.144 V、±5.12 V 和 ±2.56 V
    • 單極性范圍:0 V–12.288 V、0 V–10.24 V、0 V–6.144 V 和 0 V–5.12 V
  • 5V 模擬電源:1.65V 至 5V I/O 電源
  • 恒定電阻輸入阻抗 ≥ 1 MΩ
  • 輸入過壓保護(hù):高達(dá) ±20 V
  • 片內(nèi)4.096V基準(zhǔn)電壓源,具有低漂移
  • 卓越的性能:
    • DNL:±0.4 LSB;INL:±0.5 LSB
    • 信噪比:92 分貝;總諧失真:–107 分貝
  • ALARM →高、低閾值
  • 帶菊花鏈的多SPI?接口
  • 擴(kuò)展的工業(yè)溫度范圍:–40°C 至 +125°C

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
ADS868x 系列(含 ADS8681/ADS8685/ADS8689)是德州儀器推出的集成數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),基于逐次逼近型(SAR)ADC,具備 16 位分辨率,支持單電源供電(5V 模擬電源),提供 TSSOP-16 與 WQFN-16 兩種封裝,工作溫度范圍–40°C 至 + 125°C,兼具可編程輸入范圍、高阻抗輸入、超壓保護(hù)與靈活通信特性,專為模擬輸入模塊、半導(dǎo)體測(cè)試、伺服驅(qū)動(dòng)控制模塊等工業(yè)場(chǎng)景設(shè)計(jì)。

一、核心特性與關(guān)鍵參數(shù)

1. 基礎(chǔ)性能

  • 采樣與分辨率:16 位無失碼分辨率,采樣速率分檔可選(ADS8681:1 MSPS、ADS8685:500 kSPS、ADS8689:100 kSPS);微分非線性(DNL)±0.4 LSB,積分非線性(INL)±0.5 LSB,直流精度優(yōu)異。
  • 輸入范圍:軟件可編程雙極性(±12.288 V/±10.24 V/±6.144 V/±5.12 V/±2.56 V)與單極性(0 V–12.288 V/0 V–10.24 V/0 V–6.144 V/0 V–5.12 V)輸入,適配不同幅值信號(hào)采集。
  • 動(dòng)態(tài)性能:信噪比(SNR)最高 92 dB,總諧波失真(THD)低至–107 dB,無雜散動(dòng)態(tài)范圍(SFDR)最高 114 dB;輸入阻抗≥1 MΩ(與采樣率無關(guān)),共模抑制比(CMRR)超 100 dB,抗干擾能力強(qiáng)。

2. 核心功能

  • 保護(hù)與集成設(shè)計(jì):內(nèi)置 ±20 V 輸入超壓保護(hù)(AVDD=5 V 時(shí)),AVDD 懸浮時(shí)支持 ±15 V 保護(hù);集成 2 階低通抗混疊濾波器(–3 dB 截止頻率 15 kHz)、ADC 驅(qū)動(dòng)放大器與 4.096 V 低漂移基準(zhǔn)源(溫度漂移 4 ppm/°C–7 ppm/°C),簡(jiǎn)化前端設(shè)計(jì)。
  • 報(bào)警與監(jiān)控:支持輸入電壓高低閾值報(bào)警與 AVDD 供電監(jiān)控(閾值 4.7 V–5.3 V),具備報(bào)警標(biāo)志與滯后功能,可通過引腳或寄存器反饋異常狀態(tài)。
  • 通信接口:采用 multiSPI 接口,兼容標(biāo)準(zhǔn) SPI 協(xié)議(CPOL/CPHA 可配置),支持單 / 雙 SDO 輸出、菊花鏈級(jí)聯(lián)與源同步傳輸,最高 SCLK 頻率 66.67 MHz,適配多設(shè)備擴(kuò)展與高速數(shù)據(jù)傳輸。

3. 功耗與可靠性

  • 功耗特性:動(dòng)態(tài)功耗(最大吞吐量)ADS8681 典型值 8.2 mA,ADS8685 5.6 mA,ADS8689 4 mA;支持休眠(NAP)與掉電(PD)低功耗模式,掉電電流僅 10 μA,平衡性能與功耗。
  • 可靠性:ESD 防護(hù) ±4000 V(模擬輸入引腳)、±2000 V(其他引腳);結(jié)溫最高 150°C,TSSOP 封裝結(jié)到環(huán)境熱阻 95.7 °C/W,WQFN 封裝 31.9 °C/W,適應(yīng)惡劣工業(yè)環(huán)境。

二、核心功能解析

1. 輸入與信號(hào)調(diào)理

  • 高阻抗輸入:輸入阻抗≥1 MΩ,無需額外驅(qū)動(dòng)放大器,可直接連接傳感器或信號(hào)源,降低系統(tǒng)復(fù)雜度;輸入電流小,減少信號(hào)源負(fù)載影響。
  • 超壓保護(hù):內(nèi)部集成過壓保護(hù)電路,通過 1 MΩ 輸入電阻與鉗位二極管限制輸入電流,避免過壓損壞器件,適配工業(yè)強(qiáng)干擾場(chǎng)景。
  • 基準(zhǔn)與濾波:內(nèi)置 4.096 V 基準(zhǔn)源(可外接基準(zhǔn)),基準(zhǔn)緩沖器漂移低至 0.5 ppm/°C;2 階低通濾波器有效抑制帶外噪聲,提升動(dòng)態(tài)性能。

2. 通信與擴(kuò)展

  • 靈活接口:支持標(biāo)準(zhǔn) SPI、雙 SDO 高速傳輸、菊花鏈級(jí)聯(lián)三種模式,可通過寄存器配置數(shù)據(jù)輸出格式(含設(shè)備地址、量程、報(bào)警標(biāo)志等附加信息),適配單設(shè)備或多設(shè)備組網(wǎng)需求。
  • 菊花鏈擴(kuò)展:多設(shè)備級(jí)聯(lián)時(shí)共享 SCLK 與 CONVST/CS 引腳,通過 SDI/SDO 首尾連接,實(shí)現(xiàn)多通道同步采集,無需額外控制引腳。

3. 報(bào)警與低功耗管理

  • 報(bào)警功能:可編程輸入高低閾值與滯后電壓,支持輸入超量程報(bào)警與 AVDD 供電異常報(bào)警,報(bào)警狀態(tài)通過引腳中斷或寄存器讀取,便于實(shí)時(shí)監(jiān)控。
  • 低功耗模式:休眠模式(NAP)通過寄存器使能,CONVST/CS 保持高電平時(shí)進(jìn)入,喚醒時(shí)間 20 μs;掉電模式(PD)可關(guān)閉模擬電路,僅保留寄存器配置,喚醒時(shí)間 20 ms,適配低吞吐量低功耗場(chǎng)景。

三、應(yīng)用場(chǎng)景

適用于模擬輸入模塊、半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備、伺服驅(qū)動(dòng)器電流 / 電壓采集、工業(yè)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等場(chǎng)景,尤其適配需要單電源供電、寬輸入范圍、高抗干擾能力的工業(yè)控制與測(cè)試應(yīng)用。

四、封裝與訂購信息

  • 封裝規(guī)格:16 引腳 TSSOP(PW 封裝,5.0 mm×4.4 mm)與 16 引腳 WQFN(RUM 封裝,4.0 mm×4.0 mm),均符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),引腳鍍層為 NIPDAU,焊接兼容性良好。
  • 訂購型號(hào):量產(chǎn)型號(hào)包括 ADS8681IPW(TSSOP,管裝 90 個(gè))、ADS8681IRUMR(WQFN,卷帶 3000 個(gè))、ADS8685IPWR(TSSOP,卷帶 2000 個(gè))、ADS8689IPWR(TSSOP,卷帶 2000 個(gè))等,MSL 等級(jí) 3(TSSOP)/1(WQFN),峰值回流溫度 260°C。

五、設(shè)計(jì)與使用建議

1. 電源與基準(zhǔn)

  • 電源設(shè)計(jì):模擬電源(AVDD)需 4.75 V–5.25 V,數(shù)字電源(DVDD)1.65 V–AVDD;AVDD 與 AGND、DVDD 與 DGND 需分別就近配置 1 μF+10 μF 去耦電容,減少電源噪聲影響。
  • 基準(zhǔn)配置:使用內(nèi)置基準(zhǔn)時(shí),REFIO 引腳需并聯(lián) 4.7 μF 濾波電容至 REFGND;使用外置基準(zhǔn)時(shí),需將 REFIO 配置為輸入,外部基準(zhǔn)電壓范圍 4.046 V–4.146 V,建議搭配低噪聲基準(zhǔn)源(如 REF5040)。

2. 輸入與布局

  • 輸入配置:模擬輸入需控制在所選量程內(nèi),未使用通道建議接地;AIN_P 與 AIN_GND 引腳布線對(duì)稱,匹配源阻抗,減少偏移誤差。
  • 布局規(guī)范:PCB 分為模擬區(qū)與數(shù)字區(qū),采用單接地平面;模擬信號(hào)遠(yuǎn)離 SCLK 等數(shù)字高速信號(hào);REFIO、REFCAP 引腳濾波電容緊鄰器件,避免 vias,降低基準(zhǔn)噪聲。

3. 接口與同步

  • 通信配置:根據(jù)傳輸速率選擇 SPI 模式(CPOL/CPHA),高速傳輸推薦雙 SDO 模式或源同步傳輸;多設(shè)備級(jí)聯(lián)時(shí)需確保所有設(shè)備配置一致,SCLK 頻率匹配器件吞吐量。
  • 同步采集:多設(shè)備同步時(shí),共享 CONVST/CS 信號(hào)觸發(fā)轉(zhuǎn)換,通過菊花鏈實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)串行傳輸,確保通道間時(shí)序一致性。

六、關(guān)鍵設(shè)計(jì)要點(diǎn)

  • 量程選擇:根據(jù)信號(hào)幅值選擇合適輸入量程,最大化 ADC 動(dòng)態(tài)范圍;例如 ±12 V 信號(hào)選擇 ±12.288 V 量程,5 V 信號(hào)選擇 0 V–6.144 V 量程。
  • 校準(zhǔn)與初始化:上電后需等待基準(zhǔn)穩(wěn)定(約 20 ms),必要時(shí)通過寄存器配置報(bào)警閾值與通信模式;多設(shè)備級(jí)聯(lián)需先配置主設(shè)備,再通過菊花鏈配置從設(shè)備。
  • 抗干擾措施:模擬輸入串聯(lián)合適電阻抑制 ESD,電源端添加磁珠濾波;數(shù)字地與模擬地單點(diǎn)連接,減少地環(huán)路干擾。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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