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AFE2256 256 通道模擬前端技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-11-11 14:54 ? 次閱讀
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AFE2256是一款 256 通道模擬前端 (AFE),旨在滿足基于平板探測(cè)器 (FPD) 的數(shù)字 X 射線系統(tǒng)的要求。該器件包括 256 個(gè)積分器、一個(gè)用于滿量程電荷電平選擇的可編程增益放大器 (PGA)、一個(gè)具有雙庫(kù)的相關(guān)雙采樣器和 256:4 模擬多路復(fù)用器。

該器件還具有四個(gè)16位逐次逼近寄存器(SAR)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC)。來(lái)自ADC的串行數(shù)據(jù)以低壓差分信號(hào)(LVDS)格式提供。
*附件:afe2256.pdf

小睡和掉電模式可大幅節(jié)省功耗,在電池供電系統(tǒng)中特別有用。

特性

  • 256 個(gè)通道
  • 片內(nèi)16位ADC
  • 光電二極管短抗擾度
  • 高性能:
    • 噪聲:750 電子 rms(1.2 pC 輸入電荷范圍)
    • 低相關(guān)噪聲
    • 積分非線性:±2 LSB,帶內(nèi)部16位ADC
    • 掃描時(shí)間:< 20 μs 至 204.8 μs
  • 集成:
    • 六個(gè)可選的滿量程輸入范圍:0.6 pC(最小值)至 9.6 pC(最大值)
    • 內(nèi)部定時(shí)發(fā)生器 (TG)
    • 內(nèi)置相關(guān)雙采樣器
    • 流水線集成和讀取以提高吞吐量 — 集成期間的數(shù)據(jù)讀取
    • 串行LVDS輸出
  • 簡(jiǎn)單的電源方案:
    • AVDD1 = 1.85 V
    • AVDD2 = 3.3 V
  • 低功耗
  • 午睡和總掉電模式
  • 定制薄膜上芯片 (COF) 封裝

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png
AFE2256 是德州儀器專為數(shù)字 X 射線平板探測(cè)器設(shè)計(jì)的高集成度模擬前端(AFE),核心優(yōu)勢(shì)是 256 通道并行采集、16 位高分辨率、低噪聲及靈活的低功耗模式,搭配 LVDS 串行輸出與簡(jiǎn)化供電方案,適用于平板探測(cè)器、電荷檢測(cè)、電容測(cè)量等高精度多通道采集場(chǎng)景。

一、核心性能與定位

  • 通道與分辨率 :集成 256 路并行采集通道,搭配 4 個(gè) 16 位 SAR ADC,支持電荷信號(hào)直接采集,輸入電荷量程可在 0.6 pC~9.6 pC 間選擇,滿足不同靈敏度需求。
  • 噪聲與線性度 :等效輸入噪聲低至 750 電子 RMS,積分非線性(INL)最大 ±2 LSB,內(nèi)置相關(guān)雙采樣(CDS)模塊,有效抑制低頻噪聲與偏移誤差,提升采集精度。
  • 采集與傳輸 :掃描時(shí)間范圍 <20 μs~204.8 μs,支持 “積分 - 讀取” 流水線操作,可在積分過(guò)程中同步讀取數(shù)據(jù),提升吞吐量;采用 LVDS 串行輸出接口,減少傳輸線數(shù),適配高速數(shù)據(jù)傳輸。
  • 環(huán)境與供電 :工作溫度范圍覆蓋 0°C70°C(TBN 封裝)或 0°C85°C(TDR/TDU 封裝);供電方案簡(jiǎn)化,僅需 1.85 V(AVDD1)和 3.3 V(AVDD2)雙電源軌,降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度。

二、關(guān)鍵功能與硬件特性

1. 集成功能模塊

  • 多通道信號(hào)調(diào)理:每通道含積分器與相關(guān)雙采樣(CDS)電路,針對(duì)性抑制平板探測(cè)器像素噪聲,提升弱信號(hào)采集能力;可編程增益放大器(PGA)支持不同輸入電荷量程配置,適配多樣化傳感器。
  • 時(shí)序與控制:內(nèi)置時(shí)序發(fā)生器(TG),支持外部時(shí)鐘(MCLK)同步與觸發(fā)(SYNC)控制;通過(guò) SPI 接口SDATA、SDOUT、SCLK、SEN)配置設(shè)備參數(shù),支持通道使能、量程選擇等功能。
  • 低功耗設(shè)計(jì):提供 “休眠模式”(Nap Mode)與 “完全掉電模式”,可大幅降低非工作狀態(tài)功耗,特別適配電池供電設(shè)備,延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間。
  • 封裝與集成:采用定制芯片膜(COF)封裝,引腳數(shù)量 320~325 個(gè),封裝尺寸緊湊(21.5 mm×48.35 mm 或 28 mm×38 mm),便于與平板探測(cè)器的薄膜晶體管TFT)陣列直接對(duì)接。

2. 工作模式

  • 并行采集模式:256 通道同步積分與采樣,通過(guò) 256:4 模擬多路選擇器(MUX)切換,由 4 個(gè) ADC 并行轉(zhuǎn)換,兼顧通道數(shù)與硬件復(fù)雜度。
  • 流水線模式:支持 “數(shù)據(jù)讀取與積分并行” 操作,即在當(dāng)前通道積分過(guò)程中,同步讀取上一輪采集數(shù)據(jù),縮短整體掃描時(shí)間,提升系統(tǒng)吞吐量。
  • 低功耗模式:休眠模式下核心電路低功耗運(yùn)行,完全掉電模式切斷大部分電源,按需切換以平衡性能與功耗。
  • 校準(zhǔn)模式:支持外部觸發(fā)校準(zhǔn)與內(nèi)部自校準(zhǔn),可修正通道間增益與偏移差異,保障多通道一致性。

3. 接口與封裝

  • 信號(hào)接口:差分模擬輸入適配平板探測(cè)器像素陣列,LVDS 串行輸出(DOUT_P/DOUT_M)搭配差分時(shí)鐘(DCLK_P/DCLK_M),提升抗干擾能力,簡(jiǎn)化板級(jí)布線。
  • 控制接口:SPI 串行控制接口用于配置設(shè)備參數(shù),支持量程選擇、采樣時(shí)序調(diào)整、低功耗模式切換等;TP_SEL 引腳用于測(cè)試模式選擇,便于系統(tǒng)調(diào)試。
  • 封裝選項(xiàng):提供三種 COF 封裝(TDU、TDR、TBN),引腳數(shù) 320~325 個(gè),封裝尺寸適配不同平板探測(cè)器的安裝需求,鉛鍍層為金(AU),符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。

三、典型應(yīng)用場(chǎng)景

  • 數(shù)字 X 射線平板探測(cè)器:醫(yī)療影像、工業(yè)無(wú)損檢測(cè)等場(chǎng)景的多通道像素信號(hào)采集;
  • 電荷檢測(cè)設(shè)備:高精度電荷傳感器信號(hào)調(diào)理與數(shù)字化;
  • 電容測(cè)量系統(tǒng):多通道電容傳感陣列的并行檢測(cè)。

四、設(shè)計(jì)關(guān)鍵要點(diǎn)

  1. 供電與去耦 :雙電源軌需嚴(yán)格按推薦電壓(AVDD1=1.85 V、AVDD2=3.3 V)供電,電源引腳就近配置低 ESR 去耦電容,減少電源噪聲耦合。
  2. 時(shí)序同步:外部時(shí)鐘(MCLK)需保證低抖動(dòng),同步信號(hào)(SYNC)需與探測(cè)器像素陣列時(shí)序匹配,避免采集相位偏差;LVDS 輸出線需阻抗匹配(100 Ω 差分),減少傳輸失真。
  3. 布局規(guī)范:采用 COF 封裝與平板探測(cè)器直接對(duì)接時(shí),需優(yōu)化引腳布線長(zhǎng)度與間距,避免信號(hào)串?dāng)_;模擬區(qū)與數(shù)字區(qū)嚴(yán)格分離,接地平面完整,提升抗干擾能力。
  4. 低功耗配置:根據(jù)系統(tǒng)工作周期,通過(guò) SPI 靈活切換休眠 / 掉電模式,非采集時(shí)段關(guān)閉冗余通道或進(jìn)入完全掉電,降低整體功耗。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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