仁懋電子（MOT）推出的MOT4633G是一款N+P 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET，集成 N 溝道與 P 溝道單元，憑借先進(jìn)溝槽設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通電阻及低熱阻特性，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類(lèi)型：N+P 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET（同時(shí)集成 N 溝道與 P 溝道單元）
• 核心參數(shù)：
  • N 溝道：
    • 漏源耐壓（\(BV_{DSS}\)）：40V；
    • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)小于 12mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)小于 17mΩ；
  • P 溝道：
    • 漏源耐壓（\(BV_{DSS}\)）：-40V；
    • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時(shí)小于 29mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)時(shí)小于 34mΩ。

二、核心特性

• 先進(jìn)溝槽單元設(shè)計(jì)：通過(guò)優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻，提升電流密度與功率轉(zhuǎn)換效率；
• 低熱阻特性：結(jié) - 殼熱阻（\(R_{thJC}\)）僅 3.6℃/W，大電流工況下結(jié)溫控制更穩(wěn)定；
• 互補(bǔ)拓?fù)溥m配：N+P 溝道集成，可直接應(yīng)用于推挽、橋式等互補(bǔ)對(duì)稱電路，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

• N 溝道：
  • 漏源極電壓（\(V_{DS}\)）：40V；
  • 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：±20V；
  • 連續(xù)漏極電流：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時(shí) 28A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí) 19.8A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：70A；
  • 最大功率耗散（\(P_D\)）：36W；
  • 結(jié) - 殼熱阻（\(R_{thJC}\)）：3.6℃/W；
  • 工作 / 存儲(chǔ)結(jié)溫（\(T_J, T_{STG}\)）：-55~+150℃。
• P 溝道：
  • 漏源極電壓（\(V_{DS}\)）：-40V；
  • 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：±20V；
  • 連續(xù)漏極電流：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時(shí) -15A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí) -10.6A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：-60A；
  • 最大功率耗散（\(P_D\)）：36W；
  • 結(jié) - 殼熱阻（\(R_{thJC}\)）：3.6℃/W；
  • 工作 / 存儲(chǔ)結(jié)溫（\(T_J, T_{STG}\)）：-55~+150℃。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN5X6-8L 表面貼裝封裝，每卷 5000 片，適配高密度電路板的空間約束；
• 典型應(yīng)用：
  • 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在小型電機(jī)的橋驅(qū)電路中作為互補(bǔ)開(kāi)關(guān)，低損耗特性保障電機(jī)動(dòng)力與效率；
  • DC-DC 轉(zhuǎn)換器：在同步整流、降壓 / 升壓拓?fù)渲凶鳛榛パa(bǔ)開(kāi)關(guān)管，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并提升電源轉(zhuǎn)換效率。

五、信息來(lái)源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）