仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向 40V 低壓大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借超低導通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓大電流供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4.5V\)時典型值9.5mΩ，\(V_{GS}=10V\)時典型值6.5mΩ，低壓場景下導通損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：60A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）；脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達200A，滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 超低導通電阻：6.5~9.5mΩ 導通電阻設(shè)計，大幅降低低壓大電流場景下的傳導損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率；
• 高雪崩穩(wěn)定性：單脈沖雪崩能量（\(E_{AS}\)）達400mJ，在感性負載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強；
• 無鉛環(huán)保封裝：采用無鉛引腳鍍層，符合 RoHS 標準，適配綠色電子制造需求；
• 高均勻性與穩(wěn)定性：參數(shù)一致性優(yōu)異，適配高頻開關(guān)與同步整流的嚴苛工況。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：40W，實際應用需結(jié)合 PCB 敷銅、散熱焊盤等設(shè)計保障長期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：+150℃；存儲溫度范圍：-55~+175℃。

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5X6-8L 表面貼裝封裝，每卷 5000 片，適配高密度電路板的空間約束；
• 典型應用：
  • DC/DC 轉(zhuǎn)換器：在低壓同步整流、降壓拓撲中作為開關(guān)管，低損耗特性提升電源轉(zhuǎn)換效率；
  • 高頻開關(guān)與同步整流：適配各類高頻開關(guān)應用（如電源模塊、負載切換）及同步整流回路，保障開關(guān)穩(wěn)定性與整流效率。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）